Nd_2(Fe_(1-x)Co_x)_(14)B和Y_2(Fe_(1-x)Co_x)_(14)B的磁性

用磁测量和X-射线衍射研究了Nd_2(Fe_(1-x)Cox)_(14)B和Y_2(Fe_(1-x)Cox)_(14)B的晶格结构和内禀磁性。结果表明,低温下当钴含量较少时,Y_2(Fe_(1x)Cox)_(14)B的磁晶格向异性随钴含量的增加而增加,在1.5K和150K温度下,分别在x为0.4和0.2左右时磁晶各向异性常数达到极大;室温时的磁晶各向异性常数却随钴含量的增加而单调下降。用钴代换铁,对Nd_2(Fe_(1-x)Cox)_(14)B的自旋再取向温度的影响是复杂的。1.5K的饱和磁化强度在x=0.1左右达到极大。钴可以显著提高居里温度,对于Nd_2(Fe_(1-x)Cox)_(14)B和Y_2(Fe_(1-x)Cox)_(14)B,钴的作用几乎相同,表明居里温度主要由3d过渡金属原子之间的交换作用决定。     

固体化合物YbCl~2和AYbI~3(A=Cs,Rb, K)中^1^7^1Yb NMR谱 及核磁屏蔽性质

首次在室温下测定了^1^7^1Yb在YbCl~2中的化学位移、化学位移各向异性、自旋-晶格弛豫时间、自旋-晶格弛豫时间的各向异性,计算出自旋-自旋弛豫时间。根据TMS(^1H)的绝对屏蔽常数,计算了^1^7^1Yb在YbCl~2和在AYbI~3(A=K,Rb,Cs)中的平均绝对屏蔽常数(σ~i~s~o),逆磁绝对屏蔽常数(σ~i~s~o^d)和顺磁绝对屏蔽常数(-σ~i~s~o^p),并且对^1^7^1Yb的各项屏蔽常数与结构之间的关系进行了讨论。     

R_(15)Fe_(78)B_7的磁晶各向异性

用磁测量和X-射线衍射方法研究了R_(15)Fe_(78)B_7(R=Pr,Nd,Sm,Gd,Y)的磁晶各向异性。发现R=Pr,Gd和Y时,无论室温或低温,c轴都是易磁化方向;R=Sm时,易磁化方向都是在与c轴垂直的基面内;而R=Nd时,易磁化方向随温度变化。在室温时,c轴是易磁化方向,但当温度低于140K时,易磁化方向相对c轴形成一个θ角度。利用Sucksmith-Thompson方法估算了R_(15)Fe_(78)B_7的磁晶各向异性常数K_1和K_2的数值和符号;测量了θ与温度的依赖关系。并通过测定Nd_(15)Fe_(78)B_7和Y_(15)Fe_(78)B_7的磁晶各向异性及其随温度的变化,进一步分析了Nd_(15)Fe_(78)B_7中Nd和Fe不同次点阵对磁晶各向异性的贡献。     

(Nd1-xYx)3Fe27.31Ti1.69化合物的结构与磁性研究

制备了(Nd1-xYx)3Fe27.31Ti1.69(0≤x≤0.6)系列化合物,通过X射线衍射和磁性测量等手段研究了它们的结构和磁性.这些化合物均为Nd3(Fe,Ti)29型结构,A2/m空间群.化合物晶胞体积随Y含量增加而单调减少,居里温度Tc随Y含量增加略有降低,说明化合物的居里温度主要由Fe-Fe之间的交换相互作用所决定.温度为5K时,饱和磁化强度Ms随Y含量的增加而单调降低,与一个简单的稀释模型预期结果一致.所得化合物在低温下均发生自旋重取向,自旋重取向温度Tsr随Y含量增加而单调降低,从x=0时的232K减小到x=0.6时的121K.基于磁晶各向异性的研究结果确定了所得化合物的自旋相图.     

金属间化合物Ho2Co17-xSix的结构和磁性研究

研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2Co17金属间化合物结构和磁性的影响.X射线衍射结果表明, 所有Ho2Co17-xSix(x=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)化合物都为Th2Ni17型六角结构;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降.磁性测量结果表明, Ho2Co17-xSix化合物的饱和磁化强度随Si含量的增加而呈线性下降.从热磁曲线测量观察到, Ho2Co17-xSix化合物在x=0.5时可能呈面各向异性,当0.5≤x≤3.0时出现由易面到易轴的自旋重取向,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降,而后又上升,在x=2.5处出现最低点.     

Nd_3Fe_(20)C_x的晶、磁结构和基本磁性

用X射线衍射、磁测量和中子衍射对Nd_2Fe_(20)C_x化合物的晶、磁结构和基本磁性进行了研究。结果表明,该系列化合物的主相具有铁磁性菱方结构,其空间群为(?)m。这一结构是在二元化合物Nd_2Fe_(17)的菱方结构基础上形成的,碳原子加入到一对6c晶位铁原子之间的3a晶位上,改变了这对铁原子间的相互距离和交换作用,因此随着化合物中碳含最的增加,其晶格常数变大,居里温度升高。对Nd_3Fe_(20)C_x的中子衍射谱进行拟合计算,求出了单胞中各晶位原子磁矩的大小和方向,得出Nd_3Fe_(20)C_(1.0)的分子磁矩为25.57μ_B,各晶位原子磁矩的方向均与c轴垂直,这些结果与对取向样品的磁测量结果一致。     

化合物YCo12-xTix和YFe12-xTix的结构与磁性

通过X射线衍射分析和磁性测量研究了化合物YCo12-xTix和YFe12-xTix的结构与磁性.结果表明,化合物YCo12-xTix和YFe12-xTix均具有ThMn12型结构,室温下为单轴磁晶各向异性.随着Ti含量的增加,YCo12-xTix的居里温度Tc显著降低,而YFe12-xTix的居里温度Tc几乎不变.所有化合物的饱和磁化强度Ms和磁晶各向异性场Ha随着Ti含量的增加而降低,这可以用双次晶格模型来解释.     

自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应

采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)基体上以NiFe 薄膜为缓冲层制备了[Ni80Fe20/Cu/Co/Cu]n自旋阀多层膜, 并确定了电沉积的工艺条件. 利用X射线衍射(XRD)表征了自旋阀多层膜的超晶格结构, 研究了NiFe缓冲层对自旋阀生长取向的影响. 采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响, 通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线. 自旋阀的巨磁电阻(GMR)值最初随着铜层厚度的变化并发生周期性振荡, Cu 层厚度为3.6 nm时, GMR 达到最大值,随后逐渐减小. 随着Co层和NiFe 层厚度的增大, GMR 值的变化趋势均为先增大后减小. 当自旋阀的结构为NiFe(25 nm)/[Cu(3.6 nm)/Co(1.2 nm)/Cu(3.6 nm)/NiFe(2.8 nm)]30时, GMR 值可达5.4%, 对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.2%·Oe-1, 饱和磁场仅为350 Oe.     

金属间化物（Sm_（1－x）Y_x）_2Fe_（17）N_y中的各向异性机制探讨

通过Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱等手段研究金属间化物（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ１７Ｎｙ中的各向异性产生机制。结果表明，（１）Ｓｍ次格子的单轴各向异性较强，对总的各向异性贡献起主导机制；（２）Ｎ原子的占位与自旋磁结构密切相关，而与晶体结构无关，Ｎ原子的双重占位导致单轴各向异性；（３）Ｙ原子的择优占位导致晶体结构的变化，而对各向异性影响较小。     

金属间化物（Sm1—xYx）2Fe17Ny中的各向异性机制探讨

通过Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱等手段研究金属间化合物（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ１７Ｎｙ中的各向异性产生机制，结果表明，（１）Ｓｍ次格子的单轴各向异性较强，对总的各向异性贡献起主导机制；（２）Ｎ原子的占位与自旋磁结构密切相关，而与晶体结构无关，Ｎ原子的双重占位导致单轴各向异性；（３）Ｙ原子的择优占位导致晶体的变化，而对各向异性影响较小。     

三角晶场中4A2(3d3)态离子全组态EPR理论研究

在中间场耦合图像中,建立了4A2(3d3)态离子全组态EPR理论;研究了EPR参量随三角晶场参量V、V′及立方晶场参量Dq变化关系;用完全对角化方法验证了MacfarlaneEPR参量的三阶微扰公式,结果表明,在较大的晶场范围内微扰公式的收敛性很好;研究了EPR参量的微观起源及自旋二重态对EPR参量的贡献,指出自旋二重态对零场分裂参量的贡献不可忽略,二重态对g因子的贡献甚微.     

具有垂直磁各向异性的TbCo／Cr非晶磁化膜

采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。     

用模型拟合法研究1,2-聚丁二烯分子运动

本文采用Cole-Cole,Fuoss-Kirkwood经验相关时间分布模型和构象跳跃,高聚物局部主链运动阻尼取向扩散分子模型,对1,2-聚丁二烯在溶液中的~(13)C-NMR自旋-晶格弛豫时间nT_1和核Overhauser效应(NOE)值进行了数值拟合。用拟合所得分子运动参数讨论了1,2-聚丁二烯微观分子运动对链结构和温度的依赖性。     

同结构GdIIIMII(M=Cu，Ni，Co，Fe，Mn)配合物磁性理论研究

基于DFT-BS方法,在不同泛函方法和基组下计算[CuIIGdIII{pyCO(OEt)py C(OH)(OEt)py}3]2+及3d-Gd异金属配合物的磁耦合常数,结果表明,PBE0/TZVP(Gd为SARC-DKH-TZVP)水平可用于描述其磁学性质。顺磁中心CuII、GdIII与桥联配位氧原子间存在较强的轨道相互作用,其磁轨道主要由GdIII的4fz3、4fz(x2-y2)轨道、CuII的3dx2-y2轨道和桥联配位原子O的p轨道组成。顺磁中心CuII离子以自旋离域作用为主,GdIII离子以自旋极化作用为主,顺磁中心CuII自旋离域作用对桥联氧原子的影响大于顺磁中心GdIII的自旋极化作用。在同结构3d-Gd配合物中,随着MII离子未成对电子的增加,顺磁中心间自旋密度平方差越大,顺磁中心MII和GdIII之间的反铁磁性贡献越大,其磁耦合常数越小。     

三个异质同晶喹啉-8-氧醚乙酸配位聚合物的合成、结构及磁性质

本文通过溶剂热反应合成了3个异质同晶的配位聚合物[Ni(8-qoac)Cl]n(1,8-Hqoac=喹啉-8-氧醚乙酸),[Fe(8-qoac)Cl]n(2)和[Mn(8-qoac)Cl]n(3)。单晶结构分析表明,这些配合物结晶在Pbca空间群中,其中八面体配位的金属离子首先被2个氯离子桥连形成1个双核结构,双核单元再通过4个反-反配位模式的羧酸根与4个相邻的双核单元连接,形成1个以双核为节点的(4,4)网二维层状结构。磁学表征发现化合物1表现出类自旋倾斜的磁行为,而2和3只表现出简单的反铁磁行为,表明了金属离子的各向异性等特点对磁学行为会产生重要的影响。     

非晶Co-Pt合金纳米线有序阵列的制备及其磁学性质

通过直流电沉积方法，以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板，在室温下成功制备出一维非晶态Co-Pt合金纳米线有序阵列. SEM和TEM分析表明：纳米线长度均约10 μm，直径35 nm；纳米线在阳极氧化铝模板孔内互相平行. XRD结果表明，制备的纳米线为非晶态结构，经过700 ℃退火处理后则转变为面心立方(FCC)多晶结构. 采用VSM(振动样品磁强计)对退火处理前后样品的矫顽力和剩磁比进行研究，结果表明：当外加磁场与纳米线平行时，非晶态Co-Pt合金纳米线的矫顽力高达1700 Oe，剩磁比为0.83，表现出明显的垂直磁各向异性；而退火处理则使其优秀的磁学性质消失. 退火前后不同的磁学性质源于其不同的微观结构. 非晶态的Co-Pt合金纳米线由于无磁晶各向异性竞争，进而使得由纳米线一维形态引起的形状各向异性起主导作用，使其显示了很好的垂直磁各向异性；而多晶样品由于磁晶各向异性与形状各向异性竞争，导致矫顽力和剩磁比迅速降低.     

高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性研究

单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值。其中3d过渡金属单离子磁体(3d?SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注。目前文献上报道的大多数3d?SIMs通常具有较低的配位数,而对于高配位(七配位和八配位)的3d?SIMs缺少深入而系统的研究。我们结合近年来的研究成果,从磁各向异性的基本性质、实验表征和理论计算3个方面出发,对高配位3d过渡金属单离子磁体的配位环境、磁各向异性和慢磁弛豫行为进行了综述,分析了配位构型和配位原子等配位环境对高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性的影响,为高配位3d过渡金属单分子磁体的设计与调控提供思路。     

Tm2Fe14B中的晶场作用和交换作用

本文基于单离子模型,定量地解释了Tm_2Fe_(14)B的自发磁化随温度的变化,自旋重取向转变,以及不同温度下(T=4.2、100、150和200K)沿(100)、(110)和(001)轴的磁化曲线。详细分析了不同温度下Fe和Tm次晶格磁矩的磁化过程。磁化过程中Fe磁矩和Tm磁矩之间存在明显的非共线性。     

YTi（Fe1—xSix）11合金的结构和磁性研究

用磁测量和穆斯堡尔谱研究了YTi(Fe_(1-x)Si_x)_(11)(x=0.0～0.1)合金的结构和磁性。当x<0.07时,Si原子优先占据8j晶位;而当x>0.07时,Si原子除了占据8j晶位外,也开始占据8f晶位。在所研究的硅浓度范围内,Si原子不占据8i晶位。合金的居里温度随Si含量的增加而减小,在x=0.05～0.08范围内出现不明显的极小值,而后略有增加。合金的饱和磁化强度和磁晶各向异性场都随Si含量增加而减小。Si原子的加入也使晶胞体积收缩。     

高钐含量SmCo磁记录薄膜材料的研究

SmCo合金具有极高的单轴磁晶各向异性,成为未来高密度磁记录介质的候选材料之一.本文采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了Cr(100nm)/SmCo(50 nm)/Cr(20 nm)结构的Smco薄膜,SmCo层中Sm含量为35%(原子分数).利用综合物性测试系统(PPMS)和X射线衍射(XRD)对薄膜的磁性能和晶体学结构进行了测试.结果表明,通过550℃退火20 min可以获得很好的硬磁性能,矫顽力R.达到了3183kA·m-1,XRD结果表明薄膜中同时存在磁性相SmCo5和非磁性相SmCo2等.高Sm古量的SmCo薄膜在退火温度为450℃时开始晶化,退火温度达到550℃时,晶化进行的比较完全.