聚四氨基钴酞菁膜修饰电极对甲巯咪唑的电催化氧化

用循环伏安法(CV)研究了聚四氨基钴酞菁(CoTAPc)膜修饰电极(p-CoTAPc CME)对甲巯咪唑的电催化氧化行为.在pH=2的缓冲溶液中,与未修饰玻碳电极(GC)相比,甲巯咪唑在p-CoTAPc CME(GC基体)上的氧化峰电位(Vpa)负移220 mV左右,峰电流(Ipa)变为原来的3倍多;还原峰电位(Vpc)正移大约223 mV,峰电流(Ipc)几乎变为裸电极时的6倍.同时,p-CoTAPc CME对甲巯咪唑的电催化氧化活性有很高的稳定性.     

过渡金属酞菁配合物化学修饰电极的研究：Ⅱ,对联氨的电催化氧化

用不可逆吸附法首次制备了Fe(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)的3,3＇,3＇＇,3＇＇＇-四硝基酞菁配合物化学修饰电极(ML CME),研究了它们对联氨氧化的电催化作用,发现当电位扫描区间为-1.2—0.6V时,它们对联氨的氧化都有明显的电催出作用;而当电位扫描区间为-1.2—0.0V时,只有FeL CME和CoL CME具有明显的电催化作用.FeL CME和CoL CME对联氨的氧化不仅电催化活性高,而且稳定性也很高,具有很好的重复性,联氨电催化氧化峰电流与联氨浓度有良好的线性关系.初步拟定了ML CME电催化氧化联氨的机理.     

铁氰化镍修饰电极对抗坏血酸电催化氧化的研究

抗坏血酸(AH_2)在玻碳和铂电极上的过电位较大,其电极反应不可逆.有关AH_2在碳及其它修饰电极上的电催化氧化已有一些报道,如减压热处理、Al_2O_3微粒研磨、普鲁士蓝修饰膜和聚乙烯二茂铁修饰膜等.本文研究了铁氰化镍修饰膜电极催化AH_2氧化的电化学行为.发现其阳极峰电流与AH_2浓度呈线性关系,可测定1×10~(-7)mol/L的AH_2,其灵敏度比聚乙烯二茂铁修饰电极提高一个数量级.用于蔬菜、水果中AH_2的测定,结果满意.     

碳载Pt/Sb_(ad)电极上乙醇电催化氧化特征和原位FTIR反射光谱研究

用电化学循环伏安法和原位 FTIR反射光谱法研究了 Sb在碳载纳米 Pt膜电极 (nm -Pt/ GC)表面不可逆吸附的电化学特性及酸性介质中乙醇的吸附和电催化氧化特性 .结果指出 ,当扫描电位的上限 Eu≤0 .5 0 V(SCE)时 ,Sbad可以稳定地吸附在 nm-Pt/ GC电极表面 .与未修饰的 nm-Pt/ GC电极上结果相比 ,Sbad修饰的 nm-Pt/ GC/ Sbad/ (nm-Pt/ GC)的催化活性显著增加 .测得当覆盖度θsb=0 .1 3 7时 ,修饰电极对乙醇的电催化活性最高 ,乙醇氧化的峰电位负移了 0 .1 5 V,峰电流增大了 1倍 .原位 FTIR反射光谱的结果从分子水平揭示了 Sb修饰对乙醇氧化反应途径的选择功能 .     

异菸肼在吸附型过渡金属酞菁配合物化学修饰电极上的电催化氧化

合成了一系列过渡金属的3,3,′3,″3(?)-四硝基酞菁配合物,用不可逆吸附法制备了它们的以玻碳为基体的化学修饰电极(简记为ML CME,M为金属离子,L为酞菁配体).用CV等方法系统地研究了它们的电化学性质特别是电催化性能,本文报道ML CME(M为Fe~(Ⅱ)、Co~(Ⅱ)、Ni~(Ⅱ)和Cu~(Ⅱ))对异菸肼氧化的电催化作用.     

化学修饰电极的研究 Ⅷ.聚乙烯二茂铁薄膜电极对抗坏血酸的电催化氧化

本文表明用旋转涂层法制备的聚乙烯二茂铁(PVFc)薄膜电极在水溶液和乙腈中,0.3～1.0V(vs.SCE)电位范围内均可呈现二茂铁(Fc)的氧化还原峰.PVFc薄膜电极对水溶液中的抗坏血酸(AH_2)在较宽的pH范围和较宽的浓度范围内均有良好的电催化氧化作用,为EC平行催化过程.利用旋转圆盘电极进行了催化过程动力学分析,求出了催化反应动力学参数.PVFc薄膜电极的稳定性和催化稳定性都较好.在AH_2浓度6×10~(-2)～6×10~(-6)mol/L范围内,催化峰电流与AH_2浓度呈良好的线性关系,有应用于分析AH_2的意义.     

铁氰化钆修饰电极对鸟嘌呤的电催化氧化及应用

用电化学沉积法制备了稀土铁氰化钆修饰玻碳电极(GdHCF/GC/CME),考察了该电极对鸟嘌呤的电催化氧化性能,同时根据Fenton反应产生的羟基自由基对鸟嘌呤的氧化作用和修饰电极氧化作用之间的竞争机理,对抗坏血酸清除羟基自由基进行了初步评价.实验结果表明,修饰电极对鸟嘌呤具有很好的电催化氧化性能.在HAc-NaAc缓冲液(pH=5.1)中,鸟嘌呤在1.0×10-6～4.6×10-5 mol/L浓度范围内与其氧化峰电流呈良好的线性关系,其线性回归方程为Ip(μA)=0.1112C 2.8715,r=0.9889;检出限为3.3×10-7 mol/L.以此电极评价抗坏血酸对羟基自由基的清除作用,取得了较好的效果,为羟基自由基清除剂的筛选提供了一种新的方法.     

新型花状纳米四氧化三钴修饰玻碳电极对芦丁的电催化氧化及其测定

采用滴涂法制备了新型花状纳米Co3O4修饰玻碳电极(F-Co3O4-np/GC/CME).纳米Co3O4的扫描电镜(SEM)表明,纳米Co3O4膜为多孔纳米材料;X-射线衍射光谱(XRD)表明,纳米Co3O4为纯面心立方相尖晶石结构.采用循环伏安法(CV)、计时电量法(CC)、半微分线性伏安法(SDV)研究了芦丁在F-Co3O4-np/GC/CME上的电化学行为及动力学性质.结果表明:芦丁在此修饰电极上有敏锐的氧化还原峰,其氧化峰电流与电位扫描速度(v)呈良好线性关系,表明芦丁在修饰电极上的伏安行为受吸附控制.芦丁的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-6～4.5×10-4 mol/L范围内呈线性关系;检出限为5.0×10-7 mol/L.本方法可用于槐花、红花、金银花、杜仲叶的提取液中芦丁含量的测定,加标回收率为99.5%～100.9%之间;RSD为1.7%～4.5%.     

肉桂酸修饰电极同时测定多巴胺和抗坏血酸的研究

用电化学聚合方法制备肉桂酸(CA)修饰的玻碳电极(PCA/GC),研究多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在修饰电极上的电化学行为.结果表明,在DA和AA共存体系中,DA、AA在PCA/GC电极上氧化峰电流增大且氧化峰电位相差200 mV,据此可同时检测DA和AA.在pH 7.0磷酸盐缓冲液中,DA和AA的氧化峰电流与其浓...     

磷钼酸修饰的铂电极对二甲醚氧化的电催化作用

利用循环伏安扫描法制备了磷钼酸(H3PMo12O40)修饰的铂电极.在制备修饰电极时,随着扫描次数的增加,磷钼酸的氧化还原峰电流增大,但最终获得稳定的重现性好的磷钼酸修饰的铂电极.通过循环伏安法研究了该修饰电极对二甲醚氧化的电催化反应.结果表明,与未修饰的铂电极相比,磷钼酸修饰的铂电极电催化氧化二甲醚的起始氧化电位负移50 mV,氧化峰电位负移35 mV,氧化峰电流密度提高了1.86倍,这表明修饰电极的电催化活性有了很大的提高.同时,电位负扫时,二甲醚在425 mV(vsSCE)处出现氧化峰,表明二甲醚在修饰电极上的电氧化机理可能发生了改变.实验还发现,制备修饰电极时,降低扫速会提高还原物质杂多蓝的吸附量,但过多的修饰物质会降低铂的活性位数目,反而降低了对二甲醚氧化的电催化作用.     

氯丙嗪在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极上的伏安行为

对氯丙嗪(CPZ)在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极(BMIMPF6/GC)上的伏安行为进行了研究.发现CPZ在该修饰电极上于065V左右产生氧化还原峰,峰的可逆性比玻碳电极(GC)有较大改进,其电极过程为吸附控制.在0050 mol/L磷酸缓冲溶液(pH 4)中,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰的峰电流约为GC上的2倍.在优化实验条件的基础上,采用微分脉冲伏安法对不同浓度CPZ溶液进行了测定.结果表明,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰电流与浓度在56×10-9～30 ×10-5mol/L范围内有线性关系.将此方法用于尿样的测定,其加入回收率为97％左右.用3种电极测定了CPZ的表观扩散系数,其大小为D(BMIMPF6/GC)＞DOMIMBF6/GC)＞D(GC),这与电极表面积变化及膜内扩散有一定关系.     

金复合介孔SBA-15吸附血红蛋白在H2O2电催化反应中的应用

以P123嵌段共聚物表面活性剂为模板剂制备介孔氧化硅SBA-15,并用沉积-沉淀(DP)法在SBA-15介孔表面负载纳米Au颗粒制备得到金复合介孔SBA-15材料(Au-SBA-15).再以Au-SBA-15材料制备玻碳修饰电极,将血红蛋白固定于修饰电极上用循环伏安法考察其对不同浓度H2O2溶液的电催化反应.在固定了血红蛋白的Hb/Au-SBA-15/GC修饰电极上,H2O2在+0.95 V处出现了氧化峰,且随着H2O2浓度的增大峰电流不断增加,说明金复合介孔氧化硅材料具有良好的生物兼容性,有利于血红蛋白的固定,其修饰电极对H2O2溶液具有一定的电催化作用.     

聚对苯二酚修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用

采用循环伏安(CV)法制备了聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极,利用其电催化氧化作用建立了抗坏血酸的定量分析方法,探讨了其催化氧化机理。研究发现:在0.2 mol/L Na2HPO4-NaH2PO4(PBS,pH 7.0)缓冲溶液中,以0.1 mol/L KC l作支持电解质,聚对苯二酚修饰电极(PHQ/CME)对抗坏血酸(AA)存在灵敏的催化氧化作用,氧化峰电位负移177 mV。应用微分脉冲伏安法(DPV)对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在3.3×10-5~1.7×10-2mol/L和1.7×10-2~1.2×10-1mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.3×10-6mol/L。机理研究结果表明:PHQ/CME上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因。     

聚拉莫三嗪膜修饰玻碳电极的电化学行为及电催化性能研究

研究了拉莫三嗪在玻碳电极上的电化学修饰及其修饰电极的电化学行为.在H2SO4介质中,采用循环伏安法制备了聚拉莫三嗪膜修饰玻碳电极(PLTG/GCE),用交流阻抗技术对修饰层进行表征.研究发现,该电极对NO-2具有明显的电催化氧化作用和灵敏的电流响应,NO-2的氧化峰电流与其浓度在9.6×10-6 ～ 1.1×10-3 ...     

掺杂多壁碳纳米管改性聚溴甲酚绿膜修饰电极的制备、表征与应用研究

研究了掺杂多壁碳纳米管(MWNT)改性聚溴甲酚绿膜(PBG),以不同修饰方法制备了4种修饰电极,用扫描电镜、交流阻抗及循环伏安法等对电极进行表征。结果表明:4种修饰电极的电活化面积均得到明显提高,其中以层层修饰制备的聚溴甲酚绿膜/多壁碳纳米管复合膜(PBG/MWNT/GC)电极最能发挥MWNT和PBG的电活性。将电极用于8-羟基喹啉(8-HQ)电化学行为的研究,结果表明:4种修饰电极的伏安响应明显提高,且8-HQ在PBG/MWNT/GC上的氧化峰电位负移最多,峰电流最大,约为裸玻碳电极的4.5倍,电催化作用显著增强。8-HQ在PBG/MWNT/GC上电极反应的电子转移数和质子数均为1,是吸附控制的不可逆电氧化过程,氧化峰电流Ip与浓度c在4.0×10-6～3.5×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,r=-0.997 2,检出限(S/N=3)为1.96×10-8mol/L。PBG/MWNT/GC修饰电极可实现8-HQ的快捷、简便测定。     

Pt-CNTs 修饰玻碳电极(Pt-CNTs/GC)电氧化活性的研究

采用透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)技术, 分别表征了Pt-CNTs/GC电极的表面形貌和所负载铂纳米原子簇的结构. 以CO和CH3OH为探针分子, 用循环伏安和计时电流等常规电化学方法检测了CO和CH3OH在Pt-CNTs/GC电极上的氧化行为. 研究结果表明, CO在Pt-CNTs/GC电极上有3个氧化电流峰(Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ), 其中峰Ⅰ为CO桥式吸附的氧化峰, 而峰Ⅱ和Ⅲ则分别为CO线形吸附在碳纳米管负载的不同粒径的Pt纳米原子簇以及Pt原子薄膜上所分裂的氧化峰; CH3OH在Pt-CNTs/GC电极上也能自发解离吸附强吸附中间体CO; Pt-CNTs/GC电极对CH3OH的氧化峰电流不总是随CNTs上载铂量的增加而增大, 表明在制备直接甲醇燃料电池阳极时, 应选择合适的载铂量.     

pMB/MWNTs/GC电极对水体中苯二酚异构体的同时测定

通过在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上电聚合亚甲基蓝,制备了聚亚甲基蓝/碳纳米管/玻碳电极(pMB/MWNTs/GC)。用循环伏安法研究了3种苯二酚异构体在该电极上的电化学行为,结果表明,在pH7.0的磷酸盐缓冲溶液中,该修饰电极对苯二酚异构体的氧化表现出优异的电催化性能和选择性,对苯二酚、邻苯二酚和间苯二酚的氧化峰分别为0.104、0.203、0.609 V(vs.SCE),峰电位差值分别为99、406 mV。基于苯二酚异构体在pMB/MWNTs/GC修饰电极上的伏安行为,建立了苯二酚3种异构体同时分析的新方法。考察了各影响因素对测定的影响,最优实验条件下,在5.0×10-6~1.5×10-4mol.L-1范围内,3种苯二酚异构体的阳极峰电流与其浓度存在线性关系,检出限均为1.0×10-6mol.L-1。将该法用于水体及冲洗废液中苯二酚异构体含量的测定,结果满意。     

基于铁氰化钐修饰的玻碳电极研究鸟嘌呤和腺嘌呤的电化学行为及其含量的测定

利用电化学沉积法将铁氰化钐沉积在玻碳电极表面,形成铁氰化钐修饰电极,并利用循环伏安法研究了鸟嘌呤和腺嘌呤在该修饰电极上的电化学行为。相比裸玻碳电极,鸟嘌呤和腺嘌呤在修饰电极上的氧化峰电流增大,氧化峰电位降低,说明该修饰电极对鸟嘌呤和腺嘌呤的氧化具有良好的电催化能力。在优化条件下,两者的氧化峰电流与其浓度在5.0~70μmol·L-1范围内呈现线性关系,检出限(3S/N)均为1.0μmol·L-1。     

苯胺在邻-氨基苯磺酸功能化的玻碳电极上聚合及其对抗坏血酸的电催化氧化

通过电氧化法将ABS分子以CN键共价键合在玻碳电极(GCE)表面,形成ABS分子单层膜修饰的GCE(ABS/GCE),在此电极上对AN进行电聚合,从而制备了聚苯胺/邻氨基苯磺酸复合膜修饰电极(PAN-ABS/GCE/CME).由于ABS中磺酸基功能团对PAN的掺杂作用使PAN在中性或碱性介质中都能呈现出较好的电化学活性.研究表明,PAN-ABS/GCE/CME在PBS(pH 6.8)中对AA的电氧化具有催化作用,其氧化峰电位为0.17 V,比在裸GCE上(0.39 V)负移了0.22 V,峰电流明显升高.AA在修饰电极上的氧化峰电流与其浓度在0.5～16.5 mmol/L范围内呈良好的线性关系,其线性回归方程为ipa(μA)=20.2+6.20CAA,r=0.9973; 检出限(3δ)为7.2 μmol/L,电极具有较好的稳定性和重现性.并采用计时电流法对AA催化氧化的扩散系数和催化速率常数进行了研究.     

对硫磷在纳米氧化铝薄膜修饰电极上的电化学行为及其测定

制备了纳米氧化铝修饰玻碳电极(nano-Al2O3/GCE/CME),用循环伏安法(CV)、线性扫描伏安法(LSV)研究了对硫磷(TP)在nano-Al2O3/GCE/CME上的电化学行为.实验表明,该修饰电极与裸电极相比能显著提高TP的氧化还原峰电流并降低其氧化峰电位.在0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH =5)中,TP在该修饰电极上产生1个不可逆的还原峰( Epc1=-0.567 V)和1对可逆氧化还原峰( Epa2=0.018 V和Epc2=-0.008 V) ,氧化峰电流与TP的浓度在2.5×10-9～1.0×10-7 mol/L和1.0×10-7～1.0×10-5 mol/L范围内具有良好的线性关系,回归方程分别为: ip(μA)=0.2529+4.201C(μmol/L), r=0.9984和ip(μA)=0.6752+0.3181C(μmol/L), r=0.9946.开路富集30 s后,检出限为1.0 ×10-9 mol/L(S/N=3).在1.0×10-5 mol/L TP试液中连续测定10次,其RSD为3.8%.用此方法测定了蔬菜中TP的含量,回收率为95. 6%～100.5% ,结果满意.