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采用机械合金化制备了n型(Bi1-x Agx)2(Te1-y Sey)3合金粉体,对其进行XRD分析表明Bi,Te,Ag,Se单质粉末,经2 h球磨后实现了合金化;SEM分析表明随着机械合金化时间延长粉体颗粒变得均匀、细小,颗粒尺寸在微米至哑微米数量级.采用放电等离子烧结制备了块体样品,研究了合金成分和球磨时间对热电件能的影响.结果表明材料的热电性能与掺杂元素有密切关系.Ag有利于提高功率因子和降低晶格热导率,球磨10 h的(Bi0.99Ag0.01)2(Te0.96Se0.04)3合金粉末的烧结块体具有最大的功率因子和最低的晶格热导率,并在323 K取得最高ZT值0.52. 相似文献
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结合机械合金化与放电等离子烧结工艺制备了Ni和Se共掺的细晶方钴矿化合物Co1-xNixSb3-ySey,研究了晶界和点缺陷的耦合散射效应对CoSb3热电输运特性的影响.通过Ni掺杂优化载流子浓度提高功率因子.在x=0.1时,功率因子达到最大值1750μWm-1K-2(450℃),是没有掺Ni试样的两倍.晶界和点缺陷的耦合散射机理使晶格热导率急剧下降,其中Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的室温晶格热导率降低至1.67Wm-1K-1,接近目前单填充效应所能达到的最低值1.6Wm-1K-1,其热电优值ZT在450℃时达到最大值0.53.将Callaway-Von Baeyer点缺陷散射模型嵌入到Nan-Birringer有效介质理论模型,对晶界散射和点缺陷散射的耦合效应对热导率的影响进行了定量分析,模型计算与实验结果符合.理论模型计算表明,当晶粒尺寸下降到50nm同时掺杂引入点缺陷散射后,Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的晶格热导率下降到0.8Wm-1K-1.
关键词:
3')" href="#">CoSb3
Ni和Se掺杂
热电性能
耦合散射效应 相似文献
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采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(100)衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度TC以上的高温顺磁相都很好
关键词:
0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3')" href="#">Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3
绝热小极化子模型
双交换作用
Jahn-Teller晶格畸变 相似文献
6.
本文采用高温有机溶剂法制备了(Fe1-xCox)3BO5纳米棒, 通过控制反应物中乙酰丙酮钴的含量合成了不同Co含量的(Fe1-xCox)3BO5. 利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、超导量子干涉磁强计(SQUID)对其形貌和磁性能进行了表征. 高分辨透射电子显微镜结果表明制备出的纳米(Fe1-xCox)3BO5为多晶棒状, 且具有多折孪晶结构; 磁性测量的结果表明,(Fe1-xCox)3BO5纳米棒在室温下表现出铁磁性, 随着Co含量的增加, 纳米棒的铁磁性逐渐增加, 该纳米棒有望用来研究生物大分子的机械性能. 相似文献
7.
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),分析了Bi2Te3-xSex体系中各原子自旋轨道耦合(SOI)的p1/2修正对体系性质的影响,并对Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物的电子特性进行系统的理论研究,首次计算出Bi2S
关键词:
2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物')" href="#">Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物
第一性原理
电子结构
自旋轨道耦合 相似文献
8.
用多体势结合分子动力学计算了L12型NiAl3, L12型Ni3Al, L10型NiAl和B2 型NiAl的晶格常数, 结合能以及合金形成热; 分析了结构性点缺陷在上述四种合金中的存在形式; 在此基础上研究了合金化元素Mo, Ta, W在NixAl1-x(x=0.25,0.5,0.75)中的择优占位行为. 计算结果表明: 对于四种结构的Ni-Al合金, 偏离理想化学配比时,主要的结构缺陷形式是反位置; 根据占位能最小化, 第三组元元素Mo, Ta, W在上述四种Ni-Al中都显著优先占据Al格位.
关键词:
多体势
Ni-Al合金
占位 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备1.0%mol Mn,Cr,Co掺杂 BaTiO3(BTO)粉体,在1350℃下烧结成多晶陶瓷样品.X射线衍射和差示扫描量热分析表明,室温下掺杂BaTiO3具有四方钙钛矿结构;居里点和相变潜热随Cr,Mn,Co掺杂逐渐降低.将掺杂BaTiO3与Tb1-xDyxFe2-y(TDF)胶合制成双层磁电复合材料,并研究了Cr:BTO-TDF,Mn∶BTO-TDF,Co:BTO-TDF层状复合材料中的磁电效应.实验表明,在340×80 A·m-1偏置磁场下, Cr:BTO-TDF的横向磁电电压系数达到最大值586 mV·cm-1·(80 A·m-1)-1.在400×80 A·m-1偏置磁场下,Mn∶BTO-TDF和Co:BTO-TDF的横向磁电电压系数的最大值分别为480 mV·cm-1·(80 A·m-1)-1和445mV·cm-1·(80 A·m-1)-1.研究表明掺杂BaTiO3-TDF层状复合材料中具有较强的磁电耦合.作为无铅压电材料,掺杂BaTiO3制备的磁电效应器件颇具应用前景.
关键词:
磁电效应
双层复合材料
3')" href="#">掺杂BaTiO3
1-xDyxFe2-y')" href="#">Tb1-xDyxFe2-y 相似文献
11.
采用熔体旋甩结合放电等离子烧结(MS-SPS)技术制备了单相n型四元(Bi0.85Sb0.15)2(Te1-xSex)3(x=0.15,0.17,0.19,0.21)化合物,并对所得样品的微结构和热电传输性能进行了系统研究.样品自由断裂面的场发射扫描电子显微镜及抛光面的背散射电子成分分析表明:块体材料晶粒细小,晶粒排列紧密,成分分布均匀且相结构单一,样品中存在大量10—100nm的层状结构.随着Se含量x的增加,样品的电导率和热导率逐渐增加,而Seebeck系数逐渐降低.相比商业应用的区熔材料,MS-SPS方法合成的高Se组成的样品均在425K后表现出更高的ZT值,其中(Bi0.85Sb0.15)2(Te0.83Se0.17)3样品具有最高的ZT值,在360K可达到0.96,并在320—500K均保持较高的ZT值,500K时其ZT值相比区熔材料提高了48%.此外,通过调节Se的含量,可以有效地调控材料的ZT峰值出现的温度段,这对多级或梯度热电器件的制备具有重要意义. 相似文献
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针对NiS2-xSex系统在x=1.00附近发生的反铁磁量子相变,制备了一系列NiS2-xSex(x=0.96, 0.98, 1.00, 1.05, 1.10和1.20)多晶样品,对其结构、磁性质和电阻率进行了系统的观测.结果发现:样品磁化率-温度关系呈现典型的强关联电子系统特征;与铜氧化物超导体相类似,它们的电阻率-温度关系在很宽的温
关键词:
量子相变
反铁磁自旋涨落
2-xSex体系')" href="#">NiS2-xSex体系 相似文献
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Polycrystalline p-type Ag 0.9 Sb 1.1 x Mn x Te 2.05(x = 0.05,0.10,and 0.20) compounds have been prepared by a combined process of melt-quenching and spark plasma sintering.The sample composition of Ag 0.9 Sb 1.1 x Mn x Te 2.05 has been specially designed in order to achieve the doping effect by replacing part of Sb with Mn and to present the uniformly dispersed Ag 2 Te phase in the matrix by adding insufficient Te,which is beneficial for optimizing the electrical transport properties and enhancing the phonon scattering effect.All the samples have the NaCl-type structure according to our X-ray powder diffraction analysis.After the treatment of spark plasma sintering,only the sample with x = 0.20 has a small amount of MnTe 2 impurities.The thermal analysis indicates that a tiny amount of Ag 2 Te phase exists in all these samples.The presence of the MnTe 2 impurity with high resistance and high thermal conductivity leads to the deteriorative thermoelectric performance of the sample with x = 0.20 due to the decreased electrical transport properties and the increased thermal conductivity.In contrast,the sample with x = 0.10 exhibits enhanced thermoeletric properties due to the Mn-doping effect.A dimensionless thermoelectric figure of merit of 1.2 is attained for the sample with x = 0.10 at 573 K,showing promising thermoelectric properties in the medium temperature range. 相似文献
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Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料, 在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景. 本文使用低温分子束外延(MBE)法, 在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金, 组分x分别为1.5%, 2.4%, 2.8%, 5.3%和14%, 采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS) 和透射电子显微镜(TEM)等方法表征Ge1-xSnx合金的材料质量. 对于低Sn组分(x≤ 5.3%)的样品, Ge1-xSnx合金的晶体质量非常好, RBS的沟道/随机产额比(χmin)只有5.0%, HR-XRD曲线中Ge1-xSnx衍射峰的半高全宽(FWHM)仅100' 左右. 对于x=14%的样品, Ge1-xSnx合金的晶体质量相对差一些, FWHM=264.6'.
关键词:
锗锡合金
锗
分子束外延 相似文献
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通过x射线衍射及磁测量手段研究了Y2(Fe1-y-x,Coy,C rx)17化合物的结 构及居里温度.研究结果表明Y2(Fe1-y-x,Coy,Crx)17化合物具有六 角相的Th2Ni17型结构.随着x的增加,Y2(Fe
关键词:
2(Fe1-y-x')" href="#">Y2(Fe1-y-x
y')" href="#">Coy
x)1 7化合物')" href="#">Crx)1 7化合物
x射线衍射
居里温度 相似文献