温度对光纤法-珀液位传感器腔深度的影响与补偿

在深入研究温度对光纤法-珀液位传感器腔深度影响的基础上,提出一种特别的腔结构设计,可以几乎完全补偿温度对F-P腔深度影响,使得腔的温度稳定性很好.这种压力式全光型光纤液位传感器的安装非常方便,特别适合于对已有的装载易燃易爆物质的大型油罐、储液罐等进行自动化监测与管理,也适合于一般工业生产与生活中液位的精密监控.     

吸收式光纤温度传感器的研究

提出了一种利用半导体光吸收谱随温度变化原理设计的半导体吸收式光纤温度传感器.该传感器用GaAs晶片作为温度敏感元件,以光纤作为传光介质,发光二极管作为光源,光电管作为光电转换器件.利用双光束补偿原理,消除了由于光源不稳定产生的干扰.研制出的光纤传感器具有体积小,结构简单,抗电磁干扰,灵敏度高等优点.实验表明:该传感器在－20℃~85℃温度范围内可以达到0.1℃的准确度,可以实现强电磁干扰下的高空飞行器内环境温度的测量.为进一步实现光传飞控系统中的温度测控奠定了基础.     

双波纹管补偿式差动光纤液位计

本文给出了一种双波纹管结构光纤液位传感器。该传感器能以差动方式工作,特别适于石油、化工产品的液位测量。在设计中,采用了全光路补偿方法和多种温度补偿技术,使得该光纤液位计具有自动补偿性能,克服了光源强度起伏和环境温度变化这两大主要因素对结构式强度型光纤传感器测量精度的影响。     

具有温度补偿的光纤位移传感器

位移测量是结构健康检测的重要参量之一.本文提出了一种双悬臂梁粘贴光纤光栅的位移传感器,它将位移变化转换成两只光纤光栅的波长移动,实现对位移量的绝对测量.通过引入对称补偿光纤光栅的方法解决了温度与位移交叉敏感的问题.推导了位移传感器的工作原理,完成了相关实验,并分析了传感器所产生误差的来源.实验结果表明,在量程为20 mm的时候,位移灵敏度为123 pm/mm,温度补偿前,温度对位移的影响是234.9 μm/℃;温度补偿后,温度对位移的影响为17 μm/℃.本位移传感器量程大、线性好、准确度高,不易受恶劣环境影响.     

基于误差补偿的分布式喇曼温度传感器(英文)

基于分布式喇曼传感器,对斯托克斯光和反斯托克斯光两路信号的同步问题进行了合理假设,并给出相应的补偿方法.为了进一步提高解调温度的准确度,采用温度解调系统及温度解调软件对实验系统收集到的数据进行分析.给出了实际开发分布式喇曼传感系统中补偿后离散式的温度解调算法,对该算法解调出来的温度进行实验测试.结果表明:解调温度的误差和监测点到光纤光注射端的距离及相应监测点待解调的温度值均有线性关系.该温度传感器空间分辨率达1m,对于整个2km的探测光纤,即使考虑到温控箱拥有0.5℃左右温度误差,整个实验系统的温度解调误差也在1℃左右.     

准确测量液位的反射式螺旋塑料光纤传感器

为消除工质成分和折射率（RI）对液位测量准确性的影响,利用低包层RI侧发光塑料光纤、反射镜、光纤固定杆和空气密封装置构建了反射式液位光纤传感器。首先,从理论及实验角度研究了光纤包层折射率对不同工质及不同折射率的同种工质液位测量的影响。然后,为了提高传感器灵敏度,研究了光纤螺旋直径和螺距对传感器灵敏度的影响。最后,研究了液位变化速率和工质温度对传感器响应特性的影响。研究结果表明,当工质RI大于光纤包层RI、液位变化速率为10～100 cm/min、工质温度变化范围为10～70℃时,传感器的输出与液位间具有线性关系。此外,测量结果不受工质成分、RI及工质液位变化速率的影响,传感器灵敏度可达0.0101 cm^-1,最大相对误差小于6.85%。     

一种新型光纤压力传感器的设计

设计了一种工作波长为800 nm的光纤压力传感器,提出了一种用补偿光纤对温度和双折射进行补偿的方法,并从理论上进行了解释.在不同温度和压力条件下对该传感器进行了实验,相对误差小于1.5％.实验结果表明,该补偿方法是有效的.在0℃~50℃的温度下,对传感器在0～40 MPa的压力范围内进行了测试,其标准偏差在1%以内.     

基于光纤形状改变实现的液位传感器实验

利用光纤自身形状的变化制作的传感器是一种新型液位传感器.本文介绍了光纤液位传感器的实验原理、光纤尖的制作方法,并利用光纤液位传感器实验系统测量了光纤尖在空气、甘油、酒精和水中不同位置的反射光功率.     

基于在线型光纤迈克耳孙干涉仪的液位传感器

为了简化光纤液位传感器的设计与制作工艺,提出了一种基于纤芯失配模间干涉的在线型光纤迈克耳孙干涉仪,由单模光纤熔接一段细径光纤构成。单模-细径光纤熔点处充当耦合器,激发出光纤高阶包层模,纤芯基模与高阶包层模被细径光纤端面反射后传输至单模光纤产生模间干涉并输出。传感器干涉条纹清晰、对比度高,对环境液位改变敏感。对细径光纤长度为12mm的传感器进行了不同溶液液位和温度响应特性的实验研究,实验结果表明在0~9mm的液位变化范围内,干涉谷波长与液位呈线性关系,水液位灵敏度为-0.116nm/mm,质量分数为4.7%的NaCl溶液液位灵敏度为-0.129nm/mm;在20~80℃的水温变化范围内,干涉谷的温度灵敏度为0.038nm/℃。传感器结构简单、制作简便,而且成本低廉,在石油化工等领域具有较好的应用前景。     

煤层底板突水监测预警光纤应变传感器的研制

针对煤层底板突水监测预警系统对应变传感器的特殊要求,研制了新型光纤光栅三分量应变传感器。三分量应变传感器采用内置温度补偿芯片的温度补偿方法,通过将3个应力芯片按一定角度放置的封装工艺研制而成。对所研制的光纤光栅应变传感器进行了温度特性试验、系统基本性能指标试验、疲劳耐久性试验等,试验结果表明:所研制的传感器在使用温度0℃～40℃内,灵敏系数为1.23 pm/,应变量程为1 000 ;横向效应为0.39%,机械滞后为1.18 ,蠕变为1.53 ,线性度为0.13%,重复性为0.16%,工作性能满足设计要求。经过煤层底板突水监测工程实例,验证了新型光纤光栅应变传感器均能准确感应煤层底板应变信息,可对监测点80 m范围内进行预警。     

Four contact electrical measurements on the anisotropic high-Tc superconductors: voltage reversals

We describe three mechanisms for the anomalous voltage reversals which are occasionally observed during four contact current-voltage measurements on the high temperature superconductors. Voltage reversals have been frequently observed for whiskers of the bismuth strontium calcium copper oxide (BSSCO) compounds, and we describe measurements made on high quality whiskers of the 2:2:1:2 and 2:2:2:3 phases. A simple model based on extreme anisotropy plus offset contacts can explain the gross features of four contact measurements in the ohmic flux-flow regime, but not the wealth of reversal phenomena found for the IVVI configuration in the lower temperature irreversibility region.     

高压射频等离子体增强化学气相沉积制备高效率硅薄膜电池的若干关键问题研究

报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD) 制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究结果, 主要包括: 1)器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征; 2)孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法; 3)氢稀释调制技术对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用; 4)高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得, 及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等. 在解决上述问题的基础上, 采用高压RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16%, 非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.61%.     

Superstrate p-i-n a-Si:H solar cells on textured ZnO:Al front transparent conduction oxide

Superstrate p-i-n amorphous silicon thin-film (a-Si:H) solar cells are prepared on SnO₂:F and ZnO:Al transparent conducting oxides (TCOs) in order to see the effect of TCO/p-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage V_oc than cells prepared on SnO₂:F. The presence of a thin microcrystalline p-type silicon layer (μc-Si:H) between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing an improvement in the fill factor as well as in V_oc of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of the p-i interface, we could obtain a high V_oc of 994 mV while keeping the fill factor (72.7%) and short circuit current density J_sc at the same level as for the cells on SnO₂:F TCO. This high V_oc value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.     

Enhanced functionalities of DNA thin films by facile conjugation with conducting polymers

In this study, we discuss a method to embed PEDOT:PSS into DNA with a designated concentration of PEDOT:PSS and construction of PEDOT:PSS-embedded DNA thin films. In order to shed light on the interaction between PEDOT:PSS and DNA, optical spectroscopy measurements were performed. DNA-PEDOT:PSS thin films showed a broad absorption band around 800 nm which was associated with PEDOT:PSS. The electrical properties of DNA-PEDOT:PSS thin films were assessed. A significant enhancement in current for DNA-PEDOT:PSS thin films DNA was observed which agreed with the decrement in band gap of DNA-PEDOT:PSS thin films. For the energy storage capability and dielectric constant of DNA-PEDOT:PSS thin films, capacitance measurements were conducted. Frequency-dependent capacitance indicated enhancement in the capacitance and dielectric constant by electric polarization of PEDOT:PSS in a DNA thin film. Our approach may assist in development of various biosensors and electronic devices with specific functionalities based on biomaterials and conducting polymer complexes.     

Kcl：Pb^2＋和RbCl：Pb^2＋单晶中HD色心的喇曼研究

本文报道KCl:Pb~(2+)和RbCl:Pb~(2+)单晶在温度77K经大剂量X射线辐照后的喇曼测量结果。根据高精度的偏振喇曼数据和最近发展起来的所谓表现型分析方法,确认频移为284cm~(-1)和270cm~(-1)的信号分别为KCl:Pb~(2+)和RbCl:Pb(2+)单晶中H_D色心的C_(1h)(010):A′动力学模振动引起的非弹性散射。     

Al表面的"类液"结构及其自扩散通道

应用分子动力学方法,采用嵌入势模型在熔点下和熔点上对Al(001),(110)和(111)表面的原子结构和自扩散现象进行研究.发现这些表面的第一层原子在低于熔点时,Al(110)面在700±10 K,Al(001)面在 860±10 K,Al(111)面在 930±10 K呈现明显自扩散且最终转变为"类液"结构,而其余各层仍保留有序状态.对这种"类液"结构进行均方位移、结构有序参数、径向分布函数和z向粒子密度分析,发现其结构和扩散行为与熔化的Al表面不同,并能在一定温度区间稳定存在.在"类液 关键词： 表面结构 分子动力学 自扩散     

Cr~(2+):ZnS和Fe~(2+):ZnS光谱特性的比较研究

基于密度泛函理论和投影平面波方法,采用第一性原理对比分析了Cr2+:ZnS和Fe2+:ZnS的电子结构和光学性能。晶体中二价掺杂离子的态密度、能带结构和几何优化由广义梯度近似的PBE描述。Cr2+:ZnS和Fe2+:ZnS的近中红外光谱表明,特征吸收来自于局域激发的d和p-d杂化轨道之间的跃迁,Fe2+:ZnS的中心跃迁能量比Cr2+:ZnS的要低,红移0.34eV;分别制备了Cr2+:ZnS和Fe2+:ZnS晶体,并测得了Cr2+:ZnS和Fe2+:ZnS的吸收光谱,证实了Fe2+:ZnS的特征吸收峰较Cr2+:ZnS红移0.34eV。     

真空变压吸附氢气纯化的参数研究

本文首先建立了多孔介质传热传质与吸附模型,模拟了多组分气(N2:CO:CO2:CH4:H2=0.007:0.012:0.23:0.021:0.73和N2:CO:CO2:CH4:H2=0.007:0.012:0.17:0.021:0.79)在AC5-KS活性炭吸附床中的穿透曲线和真空变压吸附循环。将实验数据与模拟值进行对比验证后,分析了压力、进气流率对穿透曲线的影响,并研究了压力、进气流率、循环步数、循环操作时间条件对真空变压吸附氢气纯化的影响。结果发现,增大吸附压力,减小进气流率,减少循环步数和吸附时间,增加冲洗和升压时间都会导致产品氢气纯度上升,氢气产率和回收率下降,并且在一般情况下氢气的纯度变化趋势与氢气产率和回收率变化趋势相反。     

Trends of the Raman active phonons of the suzuki phase in alkali halides

The Raman active frequencies of the Suzuki phase are reported in the systems NaCl:Ni, NaCl:Fe, NaBr:Cd and KCl:Mn. The role of the three ions on the formation of the Suzuki phase is analyzed. Finally, the dependence of the frequency and width of the Raman active phonons on heat treatments of NaCl: Cd samples is studied and discussed.     

Rate dependence of short-pulse laser ablation of metals in air and vacuum

Ablation rates of aluminum and stainless steel are studied as a function of fluence, hole depth, pulse duration and ambient pressure (air vs vacuum). We find a weak rate dependence on pulse duration from 150 fs to 500 ps, and a strong rate dependence on hole depth due to surface roughness. Machining in air plays an important role in deep holes, but has a weaker influence on initial surface ablation rates. Oxidation greatly reduces drilling rates for deep holes in aluminum. Received: 26 December 2001 / Accepted: 9 July 2002 / Published online: 4 November 2002 RID="*" ID="*"Corresponding author. Fax: +1-925/422-5537, E-mail: stuart3@llnl.gov