Ta对C—15相V2Hf和V2(Zr0.5Hf0.5)系列声子性能的影响

本文用中子飞行时间方法对C-15相的超导材料V₂Hf,V₂Ta和V₂Hf_0.8Ta_0.2以及V₂Zr_0.5。Hf_0.5和V₂Zr_0.5Hf_0.33Ta_0.17的热中子非弹性散射谱作了测量,并计算出相对的广义声子态密度。结果与早先发表的Nb对C-15相V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)系列声子性能的影响一致:声子频率随超导转变温度T_c增加而软化,随T_c减小而硬化。这表明,对于此类材料弹性软化在一定程度上对提高T_c起了作用。结果还进一步表明V₂Zr或V₂Hf与V₂(Zr_0.5Hf_0.5)之间有着质的差别,V₂Hf加Ta后,T_c增加,声子频率软化,而V₂(Zr_0.5Hf_0.5)加Ta后,T_c减小,声子频率则略有硬化。这与V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)加Nb的结果是一致的。此结果可以用角动量分波表象的能带论方法分析电-声耦合相互作用得出的杂化理论来定性解释。 关键词：     

Nb对C-15相V2Zr和V2(HfZr)系列声子性能的影响

本文用中子飞行时间方法对C-15相的超导物质V₂Zr,V₂Zr_0.95Nb_0.05及V₂Hf_0.5Zr_0.5,V₂Hf_0.5Zr_0.3Nb_0.2的热中子非弹性散射谱作了测量,发现Nb的添加对V₂Zr和V₂Hf_{0.5 关键词：}     

C-15结构(Hf,Zr,Ta)V2和(Hf,Zr,Nb)V2合金超导转变的压力效应研究

本文研究了C-15结构化合物(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂(x≤0.2)和(Hf_0.5Zr_0.5-xNb_x)V₂(x≤0.2)的超导转变温度T_c及其压力效应?T_c/?P。报道了实验方法与结果。与(Hf_1-xTa_x)V₂和(Zr_1-xTa_x)V₂的情况不同,在(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂中Ta的引入使常压下的T_c下降,然而(?)T_c/(?)P却大为提高。因此高压下Zr_0.5Hf_0.45Ta_0.05V₂的T_c反而比Hf_0.5Zr_0.5V₂更高。导出了一个基于角动量分波表象能带论方法的描述压力效应的新关系式。它指出导带电子波函数中的高角动量成分变化对T_c的压力效应影响比较重要。这个公式有助于理解上述复杂的实验现象,并能合理地解释某些元素(如Cs,Ba,La等)的T_c随压力剧增的事实。 关键词：     

The effect of Nb addition on the thermal stability and magnetic properties of Fe-based amorphous alloys with a wide supercooled liquid region

We have examined the effect of Nb addition on the thermal stability of the supercooled liquid before crystallization, the glass-forming ability and magnetic properties for the amorphous alloy series Fe₇₃Nb_xAl_5-xGe₂P₁₀C₆B₄ and Fe₆₃Co₇Nb_xZr_10-xB₂₀. The supercooled liquid regions (ΔT_x=T_x-T_g) have maximum values of 66 and 79K, respectively, for Fe₇₃Nb₁Al₄Ge₂P₁₀C₆B₄ and Fe₆₃Co₇Nb₄Zr₆B₂₀ alloys. The saturation magnetization σ_s of the Fe₇₃Nb_xAl_5-xGe₂P₁₀C₆B₄ alloy system is much higher than that of the Fe₆₃Co₇Nb_xZr_10-xB₂₀ alloy system, and is almost unchanged with an increasing Nb content from 0 to 3 at%. But the σ_s of the Fe₆₃Co₇Nb_xZr_10-xB₂₀ alloys decreases linearly with increasing Nb content. The coercive force H_c of the two alloy series can have a minimum value of 31A/m for Fe₇₃Nb₁Al₄Ge₂P₁₀C₆B₄ and 37A/m for Fe₆₃Co₇Nb₄Zr₆B₂₀. All these values are for the ribbons annealed at 773 and 873K for 15min in vacuum.     

非晶态Fe90-xMnxZr10合金的磁性

本文报道用单辊急冷方法制备的非晶态合金Fe_90-xMn_xZr₁₀(x=0,4,6,10,15)的磁性,讨论了样品中每个原子的平均磁矩和居里温度T_c随Mn含量x的变化以及类自旋玻璃特性,给出了非晶态Fe_90-xMn_xZr₁₀合金的磁相图。观察到非晶态Fe₈₄Mn₆Zr₁₀合金晶化后的热磁曲线 关键词：     

A—15型化合物的超导性经验规律

本文给出一张既能考虑A-15结构型变,又能描述A-15型化合物T_c(超导临界温度)变化规律的图。从而预言:所述A-15系列中大概不会存在T_c很高(>25K)的化合物;铌系列中Nb₃Ge的T_c可能是最高的;钒系列中T_c可望还能提高(>17.1K),V₃Ge可望提高到12K以上。检查Nb₃Si,得不到Geller那样的乐观估计,并认为:以新工艺得到的A-15相Nb₃Si,是以牺牲正当化学配比或改变正常原子体积为代价而获得的非理想结构。从T_c与半径比关系及理想A-15结构对半径比的要求来看,笔者认为文献上关于Nb₃Si在有较高T_c(>23K)的种种预言,都是缺乏充分依据而不足置信的。 关键词：     

Nb对C-15结构V_2(HfZr)系列的超导转变温度的影响

本文中研究了C-15结构V_2Hf_(1-x)Nb_x,V_2Zr_(1-x)Nb_x和V_2Hf_(0.5)Zr_(0.5-x)Nb_x系列的超导转变温度T_c与Nb合量x的关系,发现V_2Zr,V_2Hf加Nb后与V_2Hf_(0.5)Zr_(0.5)加Nb后性能显著不同。测定了V_2Zr,V_2Hf和V_2Hf_(0.5)Zr_(0.5)的X射线光电子能谱。结果表明,当Hf原子和Zr原子共存于AB_2化合物的A位上时,发生了一种增强原子间相互作用的新的电荷转移。这个事实支持由角动量分波表象能带论方法分析电声耦合超导原理的结果对四元V_2(HfZrNb)系列的超导行为提出的一种可能解释:4d-5d原子配位可能有助于提高4d导带的杂化程度,从而有利于提高超导T_c。     

(Hf0.5Zr0.5V2)Hx的声子谱与超导性的关系

本文报道了用Be过滤探测器谱仪对C-15相的(Hf_0.5Zr_0.5V₂₎H_x等五种样品的声子谱的测量。观察到了它们的声子谱随含氢量而变化以及声学支有规则的软化现象。表明(Hf_0.5Zr_0.5V₂₎H_x的T_c随x的变化,主要是声学支的贡献,声学文软化有利于T_c的提高,而光学支“软化”可能会抑制超导性。 关键词：     

高掺杂Sn对Y-Ba-Cu-O体系结构和性质的影响

通过对高掺杂Sn的YBa₂Cu_3-xSn_xO_7-y体系的穆斯堡尔谱测量,确定了掺杂的Sn全部以Sn⁴⁺离子形式存在,多数占据Ba,Y,Cu(2),少量占据Cu(1)位置,Sn含量x不同,其在各个位置上的占有比例也不同,超导电性测量表明,该系列样品T_c大都在77K以上,Cu(2)和Y位上的金属离子被替代对超导温度T_c影响不大,为Cu-O面不是超导的主要原因 关键词：     

Y1-xCaxBa2Cu3-xMxO7-δ (M=Fe,Ni)体系的超导电性

本文报道,通过对Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xMxO_7-δ(M=Fe,Ni)体系样品的晶体结构、氧含量、正常态电阻率与温度的关系,以及超导转变温度等测量,并与YBa₂Cu_3-xMxO_7-δ(M=Fe,Ni)体系进行比较,发现Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xFe_xO_7-δ体系的T_c显著地高于相应x值的YBa₂Cu_3-xFe_xO_7-δ体系,而Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xNi_xO_7-δ体系则相反,T_c低于仅Ni替代的体系,表明Ca和Fe同时替代时两者引起的载流子浓度(n_H)变化相互补偿,抑制了仅Fe替代时引起的n_H和T_c急剧下降;而作Ca和Ni同时替代时主要的不是两者引起载流子浓度变化的相互补偿,Ca和Ni替代效应之间的关联较弱。作者认为,对Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xFe_xO_7-δ体系属于CuO₂平面外的元素替代,这时载流子浓度是决定Tc的主要因素;而对Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xNi_xO_7-δ体系,由于Ni²⁺离子主要占据Cu(Ⅱ)位,它导致磁拆对效应,Ni²⁺离子的拆对效应是引起T_c下降的直接原因。 关键词：     

具有宽过冷液相区的Fe62Co8-x(Cr,Mo)xNb4Zr6B20非晶态合金的热稳定性与磁性

根据制备块状非晶态合金的三条经验准则,选择了成分为Fe₆₂Co_8-xCr_xNb₄Zr₆B₂₀和Fe₆₂Co_8-xMo_xNb₄Zr₆B₂₀(x=0,2,4)的合金系.利用单辊急冷法制备出厚为30μm宽为5mm左右的条带,并用差热分析、X射线衍射以及 关键词： 过冷液相区 铁磁性 非晶态合金     

非晶态FeZrB合金的电阻率与温度的关系

本文研究了非晶态(Fe_1-xZr_x)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1,0.15)和Fe_90-xB_xZr₁₀(x=0,4,10,16,20)合金的电阻率ρ与温度T的关系。实验结果表明,当Zr含量在0.02≤x≤0.08时,ρ-T曲线出现两个线性斜率,在略高于居里温度T_c处出现转折,在T关键词：     

Chemical vapor deposition of ZrxTi1−xO2 and HfxTi1−xO2 thin films using the composite anhydrous nitrate precursors

Zr-Ti and Hf-Ti composite nitrates were successfully developed as single-source precursors for the chemical vapor deposition (CVD) of Zr_xTi_1−xO₂ and Hf_xTi_1−xO₂ thin films. The Zr-Ti nitrate can be assumed as a solid solution of the individual Zr and Ti nitrates, and the Zr/Ti molar ratio in the deposited Zr_xTi_1−xO₂ films is consistent with that in the precursor. The Hf-Ti nitrate appears to be a mixture of the Hf and Ti nitrates and the composition of the deposited Hf_xTi_1−xO₂ films depends remarkably on the heating time of precursor. Both Zr_xTi_1−xO₂ and Hf_xTi_1−xO₂ films exhibit trade-off properties between band gap and dielectric constant. The obtained results suggest that Zr_xTi_1−xO₂ and Hf_xTi_1−xO₂ films are promising candidates for gate dielectric application to improve the scalability and reduce the leakage current of the future complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices.     

AgxCu50-xZr50非晶态合金及其晶化

采用高频熔炼后的真空单辊急冷技术制备了Ag_xCu_50-xZr₅₀金属玻璃,发现在x<12的范围内都可得到完全的非晶态。测量了x=2,4,6和10的Ag_xCu_50-xZr₅₀金属玻璃的玻璃转变温度和晶化温度,并采用Kissinger方法测定了晶化激活能E_a。发现在金属玻璃Ag_xCu_50-xZr_{50关键词：}     

Ti1－x(Hf0.919Zr0.081)xNiSn的制备及热电性能

采用固相反应法合成了单相的Ti_1-x(Hf_0.919Zr_0.081) _xNiSn (x＝0.00—0.15)，并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料. 研究 了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律. 结果 表明：少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化，显著地降低了体系的热导率κ，同时 显著地提高了体系的Seebeck系数α. 组成为Ti_{0.85关键词： 半Heusler 固相反应 热电性能}     

压力对NH4IO3及其固溶体相变的影响

在流体静压力到10kbar范围内,采用DTA技术研究了压力对NH₄IO₃及其固溶体K_x(NH₄)_1-xIO₃的相变温度(T_c)的影响。实验结果表明,虽然固溶体的相变温度T_c随K⁺组分的增加而减小,但是dT_c/dP值却同K⁺组分无关。这意味着在压力下IO₃^-离子的伸长对T_c随压力增加起主要作用。 关键词：