W65+—W71+离子2s1/2—2p3/2电子碰撞激发过程及相应辐射跃迁谱线极化度的理论研究

利用基于多组态Dirac-Fock理论方法的原子结构及性质计算程序GRASP92,详细研究了类氟W⁶⁵⁺到类锂W⁷¹⁺离子的2p_38/2—2s_1/2跃迁性质.计算结果与Podpaly等[Phys.Rev.A 80 052504（2009）]的实验结果符合得非常好.在此基础上,利用全相对论扭曲波方法研究了2s_1/2—2p_1/2的电子碰撞激发总截面和磁子能级碰撞激发截面以及部分谱线的线性极化度,分析了电子碰撞激发截面和谱线线性极化度随碰撞能量的变化规律.     

电子与类铍N3+和O4+离子碰撞激发截面的相对论扭曲波计算

采用全相对论扭曲波方法,系统地计算了类铍N³⁺和 O⁴⁺离子从基态到2s2p和2p² 的各激发态以及从亚稳态到2p²各激发态的电子碰撞激发截面,详细地讨论了靶态的关联效应对激发截面的影响.结果表明：对于2s-2p的单电子激发,在低能碰撞时,靶态的电子关联效应起非常重要的作用,且使得激发截面降低;而高能碰撞时,靶态波函数的描述对连续态波函数的影响比较小,对激发截面影响也比较小.对于2s²-2p²的双电子激发,其中基态2s²¹S₀到J=0的2p²³P₀,¹S₀的激发截面较大,其主要原因是末离子态波函数与基组态波函数的混合,但是其他几个激发的激发截面较小. 关键词： 全相对论扭曲波方法 电子碰撞激发 电子关联效应     

3He(4He)与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=05eV时惰性气体原子³He(⁴He)与H₂分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律. 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素替代 散射角     

Breit相互作用对类氦离子亚稳态1s2s 3S1电子碰撞激发截面的影响

利用新近发展的基于全相对论扭曲波方法研究电子-离子碰撞激发过程的计算程序,通过对Breit相互作用的考虑,计算了类氦等电子序列离子从亚稳态1s2s³S₁激发2s电子到n=2,3壳层的电子碰撞激发截面;研究了不同入射电子能量时Breit相互作用对碰撞激发截面的影响,进一步总结了沿等电子序列变化时,Breit相互作用对截面影响的一般规律.部分计算结果与实验结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 全相对论扭曲波方法 Breit相互作用 电子碰撞激发截面     

50—5000 eV电子被C4H8O,C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50—5000eV的电子被4个复杂大分子C₄H₈O, C₅H₁₀O₂, C₆H₅CH₃和C₄H₈O₂散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2，T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H₂及其同位素D₂,T₂替代碰撞体系的振转激发碰撞截面. 通过分析He-H₂(D₂,T₂)各碰撞体系分波截面的差异,总结出在H₂分子的对称同位素替代情形下He-H₂(D₂,T₂)碰撞体系分波截面随量子数和体系 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素     

Xe~(53+)离子与Xe原子碰撞过程中的辐射电子俘获和辐射退激发光谱的理论研究

基于多组态Dirac-Fock方法和密度矩阵理论,系统地研究了在197 Me V/u的碰撞能量下,Xe~(53+)离子与Xe原子的辐射电子俘获过程(REC)以及电子被俘获到激发态后辐射退激发产生的特征谱线.计算了炮弹Xe~(53+)离子俘获电子到不同壳层np_(1/2,3/2)(n=2—5)的总截面与相应的REC光子能量和角分布,以及由激发组态1snp_(1/2,3/2)(n=2—5)J_f=1向基态1s~2Jd=0辐射退激发的跃迁能量、跃迁概率和特征光子的角分布和线性极化度.计算结果表明,辐射光子具有显著的角各向异性特征.此外,1snp_(3/2)J_f=1→1s~2J_d=0退激发特征光子也显示出很强的线性极化和角各向异性特征,而1snp_(1/2)J_f=1→1s~2J_d=0退激发特征光子的线性极化度趋于零并且角分布也趋于各向同性.     

运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2 分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

用最近改进的球高斯分布(distributed spherical Gaussian,DSG)极化势模型,在振动密耦合框架下和基于量子力学从头计算的静电势、交换势的基础上,研究了低能电子与H₂分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面(momentum transfer cross section,MTCS).通过包含18个振动波函数、5个分波和16个分子对称性,得到了0<E≤10 eV时收敛性很好的ν=0→ν'=0,1,2,3等几个振动跃迁通道和总的MTCS,并与其他实验和理论得到的值进行了比较和分析. 关键词： 2分子碰撞')" href="#">H₂分子碰撞 动量迁移散射截面 振动激发 球高斯分布极化势     

钪原子的自电离里德伯能级3d4s(1D2)nf2 D3/2,3d4s(1D2)nf2 F5/2和3d4s(1D2)np2 D3/2<

在多通道量子亏损理论框架下,利用相对论多通道理论,分别在冻结实近似和考虑偶极极化下计算钪原子的J^π=(3/2)^-,(5/2)^-的三个收敛于 3d4s(¹D₂)的自电离里德伯系列的能级.对3d4s(¹D₂)np²D_3/2和3d4s(^{1 关键词： 相对论多通道理论 多通道量子亏损理论 电子-电子关联 自电离里德伯系列}     

基于4A"势能面研究C(3P)+NO(X2Π)→CO(X1Σ+)+N(4S)反应的立体动力学性质

运用准经典轨线方法(QCT), 基于Abrahamsson等构造的⁴A"势能面(Abrahamsson E Andersson S, Nyman G, Markovic N 2008 Phys. Chem. Chem. Phys. 10 4400), 在碰撞能为0.06 eV时, 对C(³P)+NO(X²Π )→CO(X¹Σ⁺)+N(⁴S)反应立体动力学性质进行了理论研究. 在考虑反应物NO转动和振动激发的条件下, 计算了质心坐标系下k-j'矢量(k与j'分别为反应物速度与产物角动量)相关的P(θ_r)分布和k-k'-j'矢量(k'为产物相对速度)相关的P(φ_r)分布. 此外还计算了该反应的三个极化微分截面(2π/σ)(dσ₀₀/dω_t), (2π/σ)(dσ₂₀/dω_t)以及(2π/σ)(dσ₂₂+dω_t). 计算结果表明转动和振动激发对产物取向影响较大而对定向影响较小; 对于三个极化微分截面, 转动激发的影响不大, 而振动激发的影响则较大.     

共面双对称几何中Li+(1s2)(e,2e)反应的理论研究

利用Berakdar理论,考虑了入射道的库仑相互作用,在共面双对称碰撞几何中,计算了能量为251eV入射电子碰撞Li⁺(1s²)(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),讨论了不同散射振幅对截面的贡献,分析了干涉效应及入射道库仑场对截面的影响.结果表明,它们对决定TDCS的角度分布和大小起着重要作用. 关键词：     

Xe54+离子与Xe原子碰撞过程中的辐射电子俘获及退激发辐射的理论研究

基于多组态Dirac-Fock理论方法和冲量近似, 对Xe⁵⁴⁺与Xe在197 MeV/u碰撞能量下, 炮弹离子的俘获及退激发过程进行了理论研究. 计算了炮弹离子从中性靶原子俘获一个电子到nl (n=1, 2, 3, 4, 5; l=s, p, d) 轨道上的辐射电子俘获截面和相应的辐射光子能量, 以及俘获末态退激发辐射跃迁的能量和概率. 结合这些计算结果, 进一步模拟了碰撞产生的炮弹离子的退激发X射线谱的结构, 并与兰州重离子加速器装置上的最新实验观测结果进行了比较, 符合得很好.     

应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

异质结构的构筑与堆垛是新型二维材料物性调控及应用的有效策略.基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了4种不同堆叠构型的新型二维Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性质. 4种异质结构型均为Ⅱ型能带结构的间接带隙半导体,光致电子的供体和受体材料由二维In₂Se₃的极化方向决定.光吸收度在可见光区域高达25%,有利于太阳可见光的有效利用.双轴应变可诱导直接-间接带隙转变,外加电场能有效调控异质结构带隙,使AA2叠加构型的带隙从0.195 eV单调增大到0.714 eV,AB2叠加构型的带隙从0.859 eV单调减小到0.058 eV,两种调控作用下异质结的能带始终保持Ⅱ型结构.压缩应变作用下的异质结在波长较短的可见光区域表现出更优异的光吸收能力.这些研究结果揭示了Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结电子结构的调控机理,为新型光电器件的设计提供理论指导.     

H2对N2直流辉光放电电子行为的影响

通过用Monte Carlo方法模拟N₂-H₂ 混合气体直流辉光放电等离子体快电子行为，从不同H₂浓度的电子能量分布函数，电子密度以及e_f-N₂碰撞率等方面，研究了加H₂对氮辉光放电等离子体过程的影响. 研究结果表明: 随着H₂浓度的升高，电子的平均能量增加, 电子密度及e_f-N₂的各种非弹性碰撞率减小; 但在 关键词： 2-H₂辉光放电')" href="#">N₂-H₂辉光放电 Monte Carlo模拟 2碰撞率')" href="#">e-N₂碰撞率     

He-H2(D2,T2)碰撞体系振转相互作用势及分波截面的理论计算

采用超分子单双迭代(包括非迭代三重激发)耦合簇理论CCSD(T)方法,选择由原子中心高斯函数和高斯键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算了He-H₂(D₂,T₂)碰撞体系的H₂分子取不同键长时的相互作用势能面.运用Tang-Toennies势模型和非线性最小二乘法拟合构造了He与同位素分子H₂(D₂,T₂)在质心坐标系下的振转相互作用势.通过密耦计算得 关键词： 高斯键函数 Tang-Toennies势函数 分波截面 碰撞参数     

Yb2.75C60同步辐射光电子能谱

在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带（C60分子轨道LUMO，HOMO和HOMO 1导出的能带）和芯态（Yb 4f7/2，4f5/2）能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子，用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律，通过定量拟合，得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明，光子能量高于约300 eV时，芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此，研究Yb275C60价态时，应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析，发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小，反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用. 关键词： Yb275C60 同步辐射光电子能谱 光电离截面振荡     

CS2团簇增强的激光多价电离现象的质谱研究

利用脉宽为25ns的脉冲Nd: YAG 532 nm的激光，在8×10¹⁰W/cm²的强度下，用飞行时间质谱对CS₂的激光电离过程进行了研究.观察到了较强的C²⁺和S²⁺高价离子信号，这些高价离子C²⁺，S²⁺的最可几平动能高达144 eV，112 eV.不同进样方式，激光延迟以及束源压力的实验结果表明，这些高价离子可能来源于CS₂团簇的库仑爆炸过程.多光子电离引发，逆韧致吸收加热-电子碰撞电离模型可能是高价离子产生的机理. 关键词： 2')" href="#">CS₂ 团簇 高价离子 激光电离     

超精细结构效应对辐射光谱圆极化特性的影响

在相对论多组态Dirac-Fock方法和密度矩阵理论的基础上,利用发展的全相对论扭曲波程序,系统研究了超精细结构效应对纵向极化电子碰撞激发过程以及退激发辐射光谱圆极化特性的影响.计算得到了类氦Sc~(19+)和~(205)Tl~(79+)离子1s~2 ~1S_0→1s2p ~3P_2超精细结构层次上M_F能级的碰撞强度,考察了辐射衰变过程中发出特征光子的极化特性,并分析了E1-M2量子干涉效应以及电子-电子间相互作用的相对论修正对退激发辐射光子圆极化度的影响.     

N2价轨道的精细电子动量谱学研究

在高分辨率（ΔE=08?eV,Δp≈01a.u.）高效率的第三代电子动量谱仪上获得了N₂价轨道的电离能谱和动量谱.通过对伴线结构的电子动量谱学（EMS）研究,得到了不同伴线结构的电子动量谱,另一方面也得到了伴线结构的强度.由伴线的电子动量分布形状判断出其跃迁的主要来源,并由实验测量的伴线结构强度确定了谱因子（极强度）的大小,通过对谱因子实验值与理论计算结果的比较检验了各种理论模型的精确度. 关键词： 氮分子 价轨道 电子动量谱 电子关联效应     

钠分子同位素替代对低温下的He-Na2冷碰撞体系转动激发积分散射截面的影响

用多体刚性椭球模型计算了不同能量下氦的同位素原子⁴He,¹⁰He与钠的同位素分子¹⁸Na₂,²³Na₂,³⁷Na₂ 替代碰撞体系的转动激发积分散射截面.通过分析⁴He,¹⁰He-¹⁸Na₂,²³Na₂,³⁷Na₂各转动激发积分散射截面的差异,总结出在钠分子的对称同位素替代情形下⁴He,¹⁰He -¹⁸Na₂,²³Na₂,³⁷Na₂碰撞体系转动激发积分散射截面随钠分子转动量子数和体系约化质量变化的规律.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响.另外,计算了相对入射能量为100 meV时,相互作用势的不同区域对¹⁰He-¹⁸Na₂,²³Na₂,³⁷Na₂各碰撞体系转动激发积分散射截面的贡献情况. 关键词： 多体刚性椭球模型 转动激发积分散射截面 钠同位素分子 椭球等势面