扩展幂律型脱钉和高温超导体及MgB2的电阻转变

近来,关于无序涡旋物质凝聚体的著名的涡旋玻璃理论受到了来自某些新实验的严重质疑.我们重新审查了高温超导体的临界标度,发现超导混合态的直流伏安特性具有扩展幂律的一般形式.由该扩展幂律型非线性方程模拟的等温线和Strachan等人得到的实验数据[Phys. Rev. Lett. 87(2001), 067007]符合得很好.文中还讨论了长期以来围绕纵向电阻率和霍尔电阻率的临界指数的某些争议.     

YBa_2Cu_3O_（7－x）和GdBa_2Cu_3O_（7－x）薄膜中涡旋

本文给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据．在有α方向晶粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流动的某些特征．这些结果可以在涡旋玻璃理论，Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型以及热激活磁通流动模型框架内给于很好的解释．     

转动冷原子研究的前沿介绍

环流的宏观量子化是超流体最引人瞩目的性质之一．1995年玻色一爱因斯坦凝聚的实现为超流提供了一个新的研究对象，使得人们可以对转动的超流体进行深入的研究．实验上在BEC中产生了涡旋激发，并进一步观测到了涡旋晶格．理论研究表明当冷原子的转速进一步增大，涡旋品格会融解成一种新的强关联系统——量子霍尔液体．文章主要介绍近年在转动冷原子方向上理论和实验的进展．     

选择理论生成幂律的扩展性研究

应用选择理论可以解释人类行为导致的幂律分布现象.通过对选择理论合理而简单的扩展,发现了更多幂律生成机制.研究表明选择理论对于单调的门限分布规律体现出生成机制的一般性;此类机制的扩展对幂律成因的深入研究具有较强的理论意义. 关键词： 选择理论 幂律分布 门限规律     

涡旋光束在湍流大气中的光束扩展

涡旋光束在湍流大气中传输时,其振幅和相位会发生随机起伏,导致在接收平面处的光强起伏及光束扩展等。以低阶拉盖尔-高斯涡旋光束为例,利用激光大气传输四维程序数值模拟了不同条件下的涡旋光束在湍流大气中传输时引起的光束扩展。由模拟结果可知,传输距离越长或湍流越强,涡旋光束在大气中传输时的束宽扩展受湍流的影响越大;涡旋光束的拓扑荷数越高、光束的束腰越小或光波的波长越长,其束宽扩展受大气湍流的影响越小。湍流的内尺度和外尺度也会影响涡旋光束的光束扩展,但影响程度相对较小。另外,通过计算仿真还比较了涡旋光束和普通高斯光束在湍流大气中传输时引起的光束扩展的差异。     

高温超导体霍尔电阻和霍尔角在涡旋玻璃相变附近的普适标度律及统一霍尔电阻方程

发现了一个钉扎效应影响霍尔电阻ρ_xy和霍尔角θ_H的普适标度律. 同时,根据纵向电阻ρ_xx的扩展幂律形式和对霍尔电导σ_xy的微观分析,给出了一个对有一次或多次霍尔反号的高温超导体都适用的霍尔电阻方程. 关键词： 高温超导体 涡旋玻璃相变 普适标度律 霍尔电阻方程     

高温超导体磁通动力学和混合态相图(Ⅱ)

（上接2006年第1期第16页） 5涡旋态相图的发展 随着理论和实验工作的不断进展，高温超导体混合态相图变得丰富多彩．首先在涡旋玻璃态理论出现后，相图就较常规超导体有了很大的变化．在常规超导体中，相图上就只有两根标志相边界的线。     

湍流大气中无衍射涡旋光束的展宽及相位奇点的演化

以经过圆形孔径截断的Bessel涡旋光束和Bessel-Gauss涡旋光束为例,数值模拟了近似无衍射涡旋光束在湍流大气中传输时引起的光束扩展和畸变光场中相位奇点的变化。仿真结果表明,与Bessel涡旋光束相比,Bessel-Gauss涡旋光束由大气湍流引起的束宽扩展较小,且在一定条件下其相位奇点代数和与入射涡旋光束的拓扑荷数保持一致;在远距离传输时,Bessel-Gauss涡旋光束相位奇点代数和的起伏偏差远小于Bessel涡旋光束。Bessel-Gauss涡旋光束在自由空间光通信中作为信息载体具有较大的优势。     

用“持续电流法”测量氧化物超导体的电阻率和临界电流

氧化物超导体发现后，弄清它的直流电阻率到底是多少成为一个极待解决的问题．我们用“持续电流法”首先测量了钇、钡、铜氧比物超导体的直流电阻率，还用同样的实验装置测量了这种超导体的临界电流及其随温度的变化．本文介绍这种测量方法的原理和实验装置，并给出了我们的主要实验结果．     

YBa2Cu3O7—x和GdBa2Cu3O7—x薄膜中的涡旋玻璃转变的观察

本给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据，在有ａ方向昌粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。     

半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量

本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量，与Hall系数和电阻率测量实验相对应，从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征．由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型．半导体内有两种导电机制：杂质导电和本征导电．在杂质导电区，可以确定晶格散射因子；在本征导电区，可以确定硅的禁带宽度．     

磁体在导体管内下落现象的研究与应用

变化的磁场在导体内会引起涡电流。本文分析了磁体在导体管内下落这一现象,推导出磁体匀速下落的表达式,并介绍利用这一现象测量物体的一些物理量。     

MgB_2和Mg_(0.93)Li_(0.07)B_2的电阻率与霍尔效应研究

测量了MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的电阻率 ρ(T)与霍尔系数RH(T)的温度依赖关系 .电阻率的测量结果表明 ,MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的正常态电阻率与温度有平方的依赖关系 .MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的超导转变温度几乎相同 .霍尔系数的测量结果表明 ,MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的载流子类型为空穴型 ,二者的霍尔系数都随温度升高而减小 ,且Mg0 .93Li0 .0 7B2 的霍尔系数比MgB2 略有减小 ,这可能与Li掺杂引入空穴有关 .二者的霍尔角都与温度平方呈线性关系 .     

传输线的电容和电阻特性及其应用

讨论了横向电磁传输线的另一个重要特性——电容和电阻特性,即单位长度的电容与电阻之积等于电容率与电阻率之积．并对一些典型的传输线进行了应用．     

钠含量对NaxCoO2结构和输运性质的影响

用固态反应的方法制备了层状化合物NaxCoO2（0．52≤x≤0．8），并系统地研究了化合物的结构和输运性质．研究表明，随着Na含量x的增加．晶胞参数α增大，而晶胞参数c减小并且其数值远小于那些从Na0．77CoO2中用化学方法脱Na制得的样品的晶胞参数．所有的样品都呈现金属特征的输运性质并且电阻率曲线在x=0．68附近达到一个最小值．本工作还发现对于某些样品在某个温度点Tx附近，dρ／dT会出现一个跳变，这二跳变很可能对应于NaxCoO2材料输运性质从钴氧层内输运到三维空间输运的转变．     

MgB2和Mg0.93Li0.07B2的电阻率与霍尔效应研究

测量了MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B₂的电阻率ρ(T)与霍尔系数R_H(T)的温度依赖关系.电阻率的测量结果表明,MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B₂的正常态电阻率与温度有平方的依赖关系.MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B_{2关键词： 电阻率 霍尔效应}     

新型超导体MgB_2的热电势和电阻率研究

测量了MgB-2的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T2依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度Te(零电阻36.6K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能EF、能带宽度等.     

La1-x／2Pr1-x／2SrxCuO4的电输运性质和超导电性

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备.X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构.磁化率测量显示:Sr搀杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K.电阻的测量显示:随搀杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0 αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失.本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的电输运行为和超导特性.     

新型超导体MgB2的热电势和电阻率研究

测量了MgB₂的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T²依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度T_c(零电阻366K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能E_F、能带宽度 关键词： 新型超导体 热电势 电阻率     

冲击压缩下聚四氟乙烯电阻率及冲击绝热线的实验研究

 实验测量了国产聚四氟乙烯（SFB-1）在15~40 GPa冲击压力范围内的电阻率及冲击压缩线。主要的实验结果是：电阻率是冲击压力的单调递减函数，其数值在2.45×10⁵~1.73×10³ Ω•cm之间变化；冲击压缩线可用D=1.571+1.961u-0.0537u²表示（D，u分别为冲击波速度及粒子速度，单位均为km/s）。与其他作者发表的数据相比，发现不同制造厂家生产的聚四氟乙烯材料的电阻常数数值有一定的差别，但其以D-u关系表示的冲击压缩线没有出现可以察觉的变化。