600MeV ~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV（18）O轰击（nat）Ph（厚靶）生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果．通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较，讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制．测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较．结果表明，中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势．     

28MeV/u 18O与全阻止厚天然铅靶反应中丰中子汞同位素的截面测量

本次实验利用28MeV/u的¹⁸O束流和一套在线熔化铅靶装置以及4πΔEβ—γ符合技术,测量了该中能重离子反应中丰中子汞同位素^205—208Hg生成的相对截面比以及绝对截面的近似值.并外推出了²⁰⁹Hg的可能生成截面.发现由靶核²⁰⁸Pb削裂两个质子添加一个中子而生成²⁰⁷Hg的截面有一个突然的比较大的下降,这可以由反应的Q值的变化规律得到解释.     

6.3—24.6MeV/u 40Ar+natW反应中Hf的生成研究

用放射化学方法研究了6.3—24.6MeV/u ⁴⁰Ar+^natW反应中Hf的生成,得到了Hf同位素的激发函数、反冲性质和同位素分布.指出利用HIRFL能量的重离子和丰中子靶核作用,能以一定的截面生成A>170区丰中子新核素.利用中能重离子的强穿透力特点,使用厚靶,可以明显地提高丰中子新核素的产额.过高的入射能量对新核素生成无明显贡献.     

600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅰ)实验和技术

采用在束气相热色谱的Hg元素分离方法和特殊的探测技术,测量了600MeV ¹⁸O束轰击厚天然铅靶生成的¹⁸⁰Hg至²⁰⁹Hg计20余种放射性Hg同位素产物的独立截面,描写了实验装置、探测技术、γ谱分析以及从递次衰变子体的γ活性来提取Hg同位素生成截面的方法.     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

42MeV/u 12C与115In相互作用的靶余核

使用放射化学方法测定了42MeV/u ¹²C与¹¹⁵In相互作用靶余核的生成截面,得到了质量分布及同位素分布.实验得到的质量分布与使用级联的两体衰变模型GEMINI程序计算的结果很好地相符.根据同位素分布的系统性,对利用中能重离子反应生成新的远离β稳定线的缺中子核素进行了讨论.     

12N直接碎裂反应研究

描述了在兰州放射性束流线(RIBLL)上用78.6MeV/u的¹⁴N束流轰击Be靶产生出34.9MeV/u的¹²N次级束流. 利用¹²N轰击Si靶作为次级靶, 利用直接碎裂反应测量它的反应总截面. 利用理论模型进行了计算, 理论计算和实验结果符合的很好. 发现¹²N的质子密度分布相对于中子而言, 有一个很大的弥散.     

47MeV/u 12C同133Cs反应碘同位素产额的测定

用放化法测量了47MeV/u ¹²C同¹³³Cs相互作用时碘同位素的产额.发现碘同位素产额分布曲线的峰位在¹²⁴I附近,半宽度为6.5质量单位,最可几产物的质量损失为9.2个质量单位.靶核削裂2个质子的产物¹³¹I的形成截面约0.47—0.87mb,没观察到靶核削裂2个质子,再俘获1个中子的产物¹³²I的活性.     

25MeV/u 40Ar引起的反应中碎片同位素分布的研究

本文描述了25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁷Al、⁵⁸Ni、¹¹⁵In反应中在小角区方向测得的出射碎片同位素分布及其产额,给出了出射碎片的中子数与质子数之比(N/Z)和靶核的关系. 并对出射碎片的来源进行了分析.     

28.7MeV/u的14,16,18O+7,9Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann-Langevin方程研究了在入射能量为28.7MeV/u下,不同弹核¹⁴O,¹⁶O和¹⁸O轰击不同靶核⁷Be和⁹Be的反应,计算了生成碎片的产生截面,发现用丰中子(缺中子)炮弹或丰中子(缺中子)靶进行反应,所得到的产物均有丰中子(缺中子)的碎片出现.同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数,则同位素分布的宽度越大,峰位偏离β稳定线值越远,其同位旋效应越明显.     

80MeV/u 16)O+Fe反应中靶碎片的产额研究

使用核化学技术测量了80MeV/u ¹⁶O离子和天然铁反应中25个靶碎片的生成截面.根据这些数据导出了电荷分布和质量分布.实验结果和以前发表的数据进行了比较,指出A=48质量链的电荷分布宽度参数σ_z和最可见电荷Zp随轰击能量增加而略微增加.根据高能核反应的极限碎裂和因子化概念讨论了靶碎片的质量产额分布.     

中高能质子入射碎片质量分布研究

中高能质子轰击靶的碎片的质量分布是了解散裂中子靶的放射性累积和对靶材料性能的影响的一个重要方面.利用在级联-激子模型(CEM)的基础上发展起来的“多步动力学”模型(MSDM,Many Stage Dynamical Model)分别研究了入射质子能量为334,572,775,1200,1500和2600MeV轰击Nb靶,329,555,760,1200,1500和2600MeV轰击¹⁹⁷Au靶,160,230,271,322,533,660,759,1400,1600和2600MeV轰击Pb靶引起的碎片的质量分布,并和实验测量数据进行了比较.     

135MeV/u 12C和铁相互作用中靶余核的质量分布

用核化学技术测定了135MeV/u ¹²C和铁相互作用中的靶余核的生成截面,通过高斯电荷分布函数得到了靶余核的质量分布.与46MeV/u ¹²C+Cu相比,发现A<30质量区的产额明显增加,且产物有偏向丰中子一侧的趋势.实验测定的质量分布与熔合碎裂模型和级联两体模型的计算结果进行了比较,结果似乎表明在很高入射能情况下多重碎裂衰变是A<30靶余核生成的主要反应机制.     

50MeV/u 18O离子轰击Be、Cu和Au厚靶的中子产额和中子发射率

用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u ¹⁸O离子轰击Be.Cu和Au厚靶的总中子产额和前向中子发射率. 实验结果表明,中子产额对靶核原子序数有一定的依赖性,较轻靶子的中子产额和中子发射率高于较重的靶子;当靶核(Cu)和入射离子单核能(50MeV)相同时,¹⁸O离子的中子产额约为¹²C离子的4倍.     

用中子球测量重离子碰撞中单举中子我重性

本文介绍用中子球探测器测量重离子核反应中的单举中子多重性分布.给出在27、35、44和77MeV/u四个轰击能量下⁴⁰Ar+¹⁹⁷Au,⁴⁰Ar+²³²Th两个反应体系的实验结果.单举中子多重性分布反映了在反应过程中不同耗散程度的碰撞的相对贡献.     

中能8B和9C与Si反应总截面的测量

能量为75MeV/u的¹²C初级束轰击2mm厚的初级Be靶,并利用RIBLL从弹核碎片中分离出54.2MeV/u质子滴线核束8B和61.1MeV/u的⁹C,再轰击Si靶,用透射法测量了它们与Si的反应总截面σ_R.并应用Glauber模型进行理论计算,分析结果表明⁸B和⁹C都可能具有质子晕结构.     

28Si+238U的非完全熔合裂变与跟随裂变

以15.0和21.7MeV/A的²⁸Si束轰击²³⁸U靶,测量出裂变核在反应中得到的线动量转移(LMT)分布.从LMT分布上的不同区段,将非完全熔合裂变(ICF)与跟随裂变(SF)分开;并给出SF产额与总裂变产额的比值.从裂片在围绕反应平面上下的分布宽度,讨论了粒子发射使裂片反冲的效应.     

超铀区缺中子新同位素235Am的合成与鉴别

用35MeV质子轰击同位素靶²³⁸Pu,通过²³⁸Pu(P,4n)²³⁵Am反应,合成了新的缺中子同位素²³⁵Am.利用He-jet及毛细管传输技术收集反应产物,然后用放射化学法除去产物中的裂变碎片并分离出Am活性.根据观测到的²³⁵Pu的衰变Y及NP的特征X射线的生长-衰变行为和X-Y符合测量,肯定了²³⁵Am的首次合成,测得²³⁵Am的半衰期为15±5min.     

45MeV/A 12C和181Ta相互作用中余核的研究

用厚靶-厚收集箔技术测量了45MeV/A ¹²C和¹⁸¹Ta相互作用中余核的生成截面和反冲性质,并将实验得到的质量产额分布与统计碎裂模型进行了比较.根据前向平均反冲射程计算了线性动量转移,在与我们以前工作相比较后指出,在45MeV/A ¹²C离子引起的反应中,中心碰撞的线性动量转移随靶质量而增加,并与引导粒子模型计算结果很好相符.     

50MeV/u 12C离子实验靶区出射中子角分布实验测量

本文用氟和碳阈探测器对50MeV/u ¹²C离子引起的重离子反应实验靶区E_n>11MeV和E_n>20MeV中子的角分布进行了实验测量,结果显示出明显的前冲分布,较高能量的中子具有更强的前冲趋势.