SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究

对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）及生长动力学进行了研究，结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围的浓度成正比；ＳｉＣ晶须生长的催化选择性温度的增加而提高．复合催化剂可提高合成ＳｉＣ晶须反应速率及催化选择性。     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

SiGe ECL电路时间延迟分析

为保证 ＥＣＬ具有更好的电路性能,低温下制备 ＳｉＧｅ ＨＢＴ作为基本器件的 ＳｉＧｅ ＥＣＬ电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小．１引言 ＳｉＧｅ ＥＣＬ电路是目前国际研究前言,在高速 ＣＰＵ、卫星通讯等领域有较高应用价值,在国内军事领域也将会有应用前景［１］ 采用ＳｉＤｅ ＨＢＴ作为ＥＣＬ电路单管可实现更低延迟时间单元电路［２］．为保证ＥＣＬ单元电路具有较快速度,ＳｉＤｅ ＨＢＴ需采用超薄基区、低发射区掺杂高基区掺杂等新型结构［３,４］． 从基尔霍夫方程出发,可对ＥＣＬ对管延迟时间作较为精确的推导．ｔ…     

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积

本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ＥＣＲＰＣＶＤ）的工作原理、特点及其应用．ＥＣＲＰＣＶ Ｄ由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成．处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动，使电子的回旋运动频率与微波频率相同；处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量，从而产生高活性和高密度的等离子体．电离度大于１０％，电子密度为１０１３ｃｍ３．ＥＣＲＰＣＶＤ可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜．以该技术淀积的Ｓｉ，Ｎ４，ＳｉＯ２薄膜可分别与高温ＣＶＤ的Ｓｉ３Ｎ４高温热氧化的ＳｉＯ２相比拟．ＥＣＲＰＣＶＤ淀积ａ－Ｓｉ：Ｈ淀积速率为通常ＣＶＤ的２０倍，而性能与射频ＣＶＤ淀积的ａ－Ｓｉ：Ｈ相当．ＥＣＲＰＣＶＤ 已成功用于淀积多种薄膜。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

Study of a Waveguide CO_2 Laser with Two Parallel Tubes

ＳｔｕｄｙｏｆａＷａｖｅｇｕｉｄｅＣＯ２ＬａｓｅｒｗｉｔｈＴｗｏＰａｒａｌｅｌＴｕｂｅｓＨＵＡＮＧＹｕａｎｇｑｉｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＳｃｉ．Ｉｎｓｔｒ．ａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＭｅｃｈ．ｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖ．，Ｘｉａｍｅｎ，３６１００５，Ｃｈｉｎ...     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

CaxSr1—xS：Bi,Tm,Cu和CaS：Eu荧光材料的研究

所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料ＣａｘＳｒ１－ｘＳＢｉ，Ｔｍ，Ｃｕ（ｘ＝０，０．７５，１）进行了研究．ＣａＳ和ＳｒＳ两种基质材料高温互溶后，因为基质的晶体微结构上的变化引起Ｂｉ３＋离子荧光效应的变化，即发光的发射波数发生改变．另一部分工作是对ＣａＳＥｕ加入陷阱机制后发光效应的研究．新的陷阱机制的引进，使得其余辉效应有较大的延长．     

激光诱发SiH4＋CH4等离子体的发射光谱

本工作采用光学发射谱方法测量了ＴＥＡ ＣＯ２脉冲激光辐射ＳｉＨ４＋ＣＨ４系统产生的等离子体反应过程中的发射谱特性，探测到了Ｓｉ，Ｓｉ＾＋，Ｓｉ＾２＋，Ｃ，Ｃ＾＋，Ｃ＾２＋，ＣＨ，ＳｉＨ，ＳｉＨ＾＋，Ｓｉ２和Ｈ的特征辐射，研究了含Ｃ，Ｓｉ碎片粒子光谱随实验条件的变化规律，并讨论了反应条件对ＯＥＳ的影响。     

Theoretical Analysis and Experimental Research on Recordable Compact Disc with Dye Material

ＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＡｎａｌｙｓｉｓａｎｄＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＲｅｃｏｒｄａｂｌｅＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃｗｉｔｈＤｙｅＭａｔｅｒｉａｌ￥ＷＡＮＧＳｈｉｙｏｎｇ；ＷＡＮＧＳｈｉｊｉｅ（ＳＡＳＴＤＯＤＣｏ．Ｌｔｄ．，Ｓｈｅｎｚｈ...     

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性     

光纤受激布里渊散射效应及其应用

光纤受激布里渊散射效应及其应用刘波，杨经国（四川大学物理系６１００６４）ＦｉｂｅｒＳＢＳＥｆｆｅｃｔａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ￥ＬｉｕＢｏａｎｄＹａｎｇＪｉｎｇｇｕｏ（ＳｉｃｈｕａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＣｈｅｎｇｄｕＰ．Ｒ，Ｃｈｉｎａ６１０...     

静高压下Cu－Si块状纳米合金的制备与表征

用压淬的方法，在６ＧＰａ静高压下，以２００Ｋ／ｓ的冷却速率冷却熔融状态的Ｃｕ＿（７０）Ｓｉ＿（３０）合金，制备出块状Ｃｕ－Ｓｉ纳米合金．Ｘ射线衍射和透射电子显微镜分析表明：该纳米合金由γ－Ｃｕ＿５Ｓｉ和一未知相组成，未知相为简单立方晶体，晶格常数α＝０．８５３５ｎｍ，其热力学状态为亚稳态。并对静高压下块状纳米合金的形成机理进行了探讨。     

纳米SiC蓝光发射的研究

在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因     

THERMAL INSTABILITY OF D-T BURNING PLASMAS

ＴＨＥＲＭＡＬＩＮＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＤ－ＴＢＵＲＮＩＮＧＰＬＡＳＭＡＳ￥Ｂ．Ｒ．ＳＨＩＹ．Ｘ．ＬＯＮＧＨ．Ｇ．ＺＨＡＯ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１，Ｓｉｃｈｕａｎ...     

电子回旋共振等离子分解CH19Si2N制备SICNB膜XPS分析

电子回旋共振等离子分解ＣＨ１９Ｓｉ２Ｎ－Ｎ２混合气体，采用溅射共混、气相液相共混沉积技术，制备四元素ＳｉＣＮＢ膜，由ＸＰＳ分析了膜的成份及生成的键结构，发现溅射共混、气液共混沉积过程中聚合成了Ｃ－Ｎ、Ｃ－Ｂ、Ｎ－Ｂ、Ｓｉ－Ｃ化合物。     

三角形弯晶单色器的分光及聚焦特性研究

北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的４Ｗ１Ｃ光束线用斜切角为１２．１６°的三角形Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（２２０）和Ｓｉ（４２２）晶体在衍射角为２３．６５°时选择０．２５２ｎｍ、０．１５４ｎｍ和０．０８９ｎｍ波长的单色Ｘ光．三角形晶体压弯成柱面，可实现单色光水平方向的聚焦，为漫散射实验站提供聚焦的单色Ｘ光．解析计算和ＳＨＡＤＯＷ软件包进行追踪的结果与实验测试结果符合得很好．     

Effects of Atomic Centre-of-mass Motion in T-C Model

ＥｆｅｃｔｓｏｆＡｔｏｍｉｃＣｅｎｔｒｅｏｆｍａｓＭｏｔｉｏｎｉｎＴＣＭｏｄｅｌＸ．Ｘ．Ｙｉ１，３）Ｔ．Ｊｉｎｇ２）Ｊ．Ｃ．Ｓｕ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｅａｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉ...