含QCD修正的p-A碰撞Drell-Yan过程的核效应

在微扰QCD α_s级近似下,采用双重Q²重标度模型,计算了p-A碰撞Drell-Yan截面与p-N碰撞Drell-Yan截面之比,即核效应函数R_QCD(x_A,Q²).计算结果与没有QCD修正的R(x_A,Q²)值比较,在0.03≤x_A≤0.3之间都有不同程度的压低,与实验符合的情况有所改善.说明对核Drell-Yan过程核效应的研究,QCD修正是有一定意义的,并且在计入这种修正后,双重Q²重标度模型仍然是有效的.     

η、η′和ι的夸克和胶子内容、双光子衰变和J/ψ辐射衰变产生

本文引进q_iq_i→q_jq_j以及q_iq_i→(gg)湮没项^[1],并考虑了对湮没项的SU(3)破坏效应^[2],讨论了η、η′和ι的混合,得到了它们的有声有色和胶子内容.与此同时,引入EPCAC(扩充的部分守恒赝矢流)假设^[3],考察了η、η′和ι的双光子衰变.本文还计算了衰变宽度比R₁=Γ(J/ψ→γη′)/Γ(J/ψ→γη)以及R₂=Γ(J/ψ→γη′)/Γ(J/ψ→γι),指出了实验结果对纯胶子球质量值的限制.     

高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

广义相对论“星系长城”

在度规系数为可分离和能量动量张量T_t^t=T_x^x=T_y^y=-σ(t,z)形式的假设下．得到Einstein场方程的三个新解，并研究了它们的对称性、奇异性等整体特性．     

L算符和量子包络代数

本文研究了L^±算符和量子包络代数生成元之间的具体关系,并以U_qA_N代数和U_qG₂代数为例,用生成元明显表出L^±算符.     

相场再结晶储能释放模型与显微组织演变的模拟研究

在相场再结晶模型中提出了形式为 f(η_i^k,η_j^k) = E_s (η_i^de )² (1-(η_j^re)²)的冷变形储能项,并应用该模型模拟了 AZ31镁合金的再结晶过程,模拟结果和实验观测结果符合很好.研究表明, 引入储能释放模型可以实现再结晶形核物理过程的模拟; 模拟结果可以把合金在冷变形后退火的过程按照机理分为再结晶和热晶粒 长大两个阶段,模拟得出的理论再结晶时间是实验再结晶时间的2/3. 考察了冷变形应变大小对形变金属的亚晶粒尺寸和储能的影响机理和 试验结果,并将考察结果代入到改进后的再结晶模拟模型, 成功地再现了一个经典实验结果:随预先应变量的增加, 存在临界应变量对应的一个再结晶晶粒尺寸峰值.同时还给出了 这一经典实验结果的理论解释.     

利用p型掺杂技术制备的高效有机电致发光器件

利用氧化钼(MoO_x)作为p型掺杂剂,以掺杂层4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP):MoO_x作为空穴注入层,制备了一种结构为ITO/MoO_x/CBP:MoO_x/CBP/CBP:tris(2-phenylpyridine)iridium(III)(Ir(ppy)₃)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen)/LiF/Al的有机电致发光器件.器件中CBP同时作为空穴注入层、空穴传输层以及发光层母体材料,这种结构具有结构简单同时能有效降低空穴注入势垒等优点.研究发现,随着空穴注入层厚度的增加,器件的电流密度增加,表明p型掺杂层的引入能够有效增强空穴的注入;通过优化器件空穴注入层与空穴传输层厚度,器件性能有所提高,最大电流效率为29.8 cd/A,可以认为合理的优化空穴注入层和空穴传输层的厚度,使载流子在发光层中的分布更加平衡是提高器件发光效率的主要原因.值得指出的是,从电流效率最大值到亮度为 20 000 cd/m²时,优化后器件的效率衰减仅为17.7%,而常规器件的效率衰减则为62.1%,优化后器件效率衰减现象得到了明显的改善.分析认为优化后的器件中未掺杂的CBP有助于展宽激子形成区宽度,进而减弱了三线态-三线态湮灭、三线态-极化子淬灭现象,激子形成区的展宽是改善效率衰减的主要原因.     

第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场的偶数阶等阶N次方Y压缩

本文构造了由多模复共轭相干态的相反态|{-Z_j^(a)*}>_q与多模虚共轭相干态的相反态|{-iZ_j^(b)*}>_q这两者的线性叠加所组成的第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q,利用多模压缩态理论研究了态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q的任意偶数阶等阶N次方Y压缩特性.结果发现:1)在压缩阶数N取偶数,即N=2p的条件下,无论p=2m(m=1,2,3,…,…),还是p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…),只要构成态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q的两个不同的量子光场态中各对应模的强度(即平均光子数)和初始相位都不相等,亦即R_j^(a)≠R_j^(b)和φ_j^(a)≠φ_j^(b)(j=1,2,3,…,q),并且 ,则当满足一定的量子化条件(或者在一些闭区间内连续取值)时,态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q总可呈现出周期性变化的、任意偶数阶的等阶N次方Y压缩效应.2)在N=2p且p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…)的条件下,若R_j^(a)=R_j^(b)和φ_j^(a)=φ_j^(b)(j=1,2,3,…,q),态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q则可呈现出等阶N次方Y压缩简并现象.     

第Ⅵ类两态叠加多模叠加态光场的广义非线性等阶N次方H压缩

本文根据量子力学中的线性叠加原理,构造了由多模相干态|{Z_j}〉_q与多模虚相干态|{iZ_j}〉_q这两者的线性叠加所组成的第类两态叠加多模叠加态光场|φ^₆(2)〉_q.利用多模压缩态理论,研究了态|φ^₆(2)〉_q的广义非线性等阶N次方H压缩特性.结果发现:1)在腔模总数q与压缩阶数N这两者之积取偶数亦即qN=2p的条件下,如果p=2l(l=1,2,3,…,…),则无论各模的初始相位和∑_j=1^qφ_j、态间的初始相位差(θ_pq^(R)-θ_pq^(I))以及各单模相干态光场的平均光子数之和∑_j=1^qR_j²等如何变化,态|φ^₆(2)〉_q总是恒处于等阶N-H最小测不准态.2)在qN=2p的条件下,如果p=2l+1(l=0,1,2,3,…,…),则当∑_j=1^qφ_j、(θ_pq^(R)-θ_q^(I))、∑_j=1^qR_j²、[(θ_pq^(R)-θ_q^(I))-∑_j=1^qR_j²]等分别满足一定的量子条件(或者在一些特定的闭区间内连续取值)时,态|φ^₆(2)〉_q总可呈现出周期性变化的等阶N次方H压缩效应.     

FeGa3的晶体结构

本文用X射线粉末法测定了FeGa₃的晶体结构,FeGa₃属四方晶系。在20℃的点阵常数是:a=6.2628?,c=6.5559?。每晶胞包含四个化合式量。空间羣为D_4h¹⁴——P4₂/mnm。Fe原子占据在4(f)等效位置上,Ga原子占据在4(c)及8(j)等效位置上;参数为:x_f=0.343,x_j=0.157,z_j=0.264。从结构看来,这是金属互化物的一种新类型。     

作用表示波动方程中与面有关项

这篇短文的内容是:(i)对於量子场论中的i(δψ[σ])/(δσ(x))=V(x,σ)ψ[σ] 如何由寻常的“曲面上的薛定谔方程”导出,作一个较严格的讨论,以及 (ii)讨论上式中的V(x,σ)在什么条件下不包含有σ。我们证明了所需的条件是 (?L^I)/(?φ_μ) (?L^I)/(?φ_ν)=(?²L)/(?φ_μ?φ_ν)F(φ,φ_ρ),式中L,L^I代表总拉格朗日及作用拉格朗日,φ代表场量,φ_μ代表φ/x^μ,F(φ,φ_ρ)代表φ及φ_μ的一个任意函数。     

第I种非对称两态叠加多模叠加态光场的任意不等阶Y压缩

利用多模压缩态理论研究了第种非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ_Iab〉_q的任意不等阶N_j次方Y压缩特性.结果发现:对于任意压缩阶数N_j,态|Ψ_Iab〉_q在一定条件下总可呈现出任意不等阶N_j次方Y混合压缩效应,但在某一压缩阶数区域内并不一定呈现压缩效应;压缩阶数N_j满足特定条件(N_mj=4_mj;4_mj+1;4_mj+2;4_mj+3,其中j=1,2,3,…,…q)时的不等阶N_j次方Y压缩效应仅仅是本文的理论结果在N_j在某一特定条件下的特例.     

纳米YPO4:Eu3+的合成及发光性质研究

采用水热法合成了纳米Y_1-xPO₄:xEu³⁺（005≤x≤030）系列荧光粉,并对样品进行了热处理.通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等手段分析了合成样品的结构及形貌,结果表明合成的样品均为四方磷钇矿结构,在酸性和碱性条件下分别为球状和细棒状,且均在纳米尺度.研究其在真空紫外（VUV）激发下的发光性质发现,样品的激发峰最大值位于142 nm左右;与固相法的样品相比,PO^3-     

第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场的任意奇数阶等阶N次方Y压缩

本文利用多模压缩态理论,研究了第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q的任意奇数阶等阶N次方Y压缩特性.结果发现:在压缩阶数N=2p+1的条件下,无论p=2m还是p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…),只要构成态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q的两个不同的量子态|{-Z_j^(a)*}>_q与|{-iZ_j^(b)*}>_q的各对应模的强度(即平均光子数)和初始相位都不相等,亦即Rj(a)≠Rj(b)和φj(a)≠φj(b)(j=1,2,3,…,q),并且 R_j^(a)(2p+1)= R_j^(b)(2p+1),则当各对应模的初始相位φ_j^(a)与φ_j^(b)、各对应模的初始相位差(φ_j^(a)-φ_j^(b)),态间的初始相位差(θ_nq^(aR)-θ_nq^(bI))以及光子干涉项的幅度 =R_j^(a)R_j^(b)等分别满足一定的量子化条件时,态|Ψ_Ⅱ^(ab)>_q的第一及第二这两个正交分量总可分别呈现出周期性变化的、任意奇数阶等阶N次方Y压缩效应.这一结果,与现有报道的结果截然不同.     

液晶N相→SA相相变点附近的反常声衰减

本文考虑在N→S_A相变中,当T→T_c⁺(相交点)时,声在液晶中传播引起的压力效应。使用模-模耦合方法计算了声的衰减和色散,得到在高频区间,声的衰减有反常发散行为,在低频极限声衰减的临界指数为2.5.当T→T_c⁺时,本文的理论曲线大体上与实验结果相一致。     

一种强度不等的新型两态叠加多模叠加态光场的等阶N次方Y压缩效应

本文构造了由多模虚共轭相干态{iZ_j^(a)*}>_q与多模虚共轭相干态的相反态|{-iZ_j^(b)*}>_q这两者的线性叠加所组成的一种强度不等的新型两态叠加多模叠加态光场 |Ψ^(ab)>_q.利用多模压缩态理论,对态|Ψ^(ab)>_q的等阶N次方Y压缩特性进行了详细研究.结果发现:该态在一定条件下可呈现出周期性变化的任意奇数阶和任意偶数阶的等阶N次方Y压缩效应,而在特殊条件下,则呈现出等阶N次方Y压缩简并现象.     

核电荷半径的同位旋相关性及其微观诠释

原子核电荷半径R_c所有的实验数据都表明, R_c系统偏离A^1/3律, 即随A增大R_c/A^1/3系统地递减, 而R_c/Z^1/3则比较接近于一个常量. 原子核巨单极共振能量E_x ∝ R^－1的大量实验数据也支持这一结论. 根本原因在于A^1/3律与同位旋无关, 而Z^1/3律已部分反映了同位旋的影响. 基于壳模型, 给出了Z^1/3律的微观诠释. 壳模型中质子和中子谐振子势强度参数ω_p和ω_n的差异, 可以用Z^1/3律说明. 基于与Wigner的原子核同位旋多重态质量公式(IMME)相似的理论考虑, 提出了核电荷半径改进的Z^1/3律.     

铝-镁合金的高温变形机构

用变温变速的拉伸试验,研究了Al-3％Mg和Al-6％Mg合金的高温变形行为,求得各温度下的激活能、激活体积和频率因子等。证明在250—400℃温度范围内,铝-镁合金变形机构可能是带割阶的螺位错作非保守性运动,变形方程为ε=Nι_jb²zAνexp{-(△H_s-ι_jb²τ)/(kT)}。然后计算得到两种合金在不同温度下的割阶间距ι_j,运动位错密度ρ=Nι_j,割阶密度N以及位错速度等数值。     

Nd掺杂对Bi4Ti3O12铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi₄Ti₃O₁₂(Bi_4-xNd_xTi₃O₁₂, x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd³⁺只取代类钙钛矿层中的A位Bi³⁺.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV·cm^-1的电场下为32.7μC·cm^-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd³⁺开始进入(Bi₂O₂)²⁺层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi₂O₂)²⁺层的结构,材料发生铁电-顺电相变.     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。