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1教学中实验存在的问题"电容器的电容"这节课的教学重点是定义电容器的电容和探究影响平行板电容器电容的因素.用比值定义法定义电容,教材是这样表述的,"实验表明,一个电容器所带的电荷量Q与电容器两极间的电压U成正比,比值Q U是一个常量."但教材并未给出此实验的具体方案.如果没有实验探究,仅凭讲解,学生很难理解Q U是一个常量的事实.因此,非常需要设计一个研究电容器两极间电压U与电荷 相似文献
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【题目】(2008年高考宁夏卷理综第21题)如图1所示,C为中间插有电介质的电容器,a和b为其两极板;a板接地.P和Q为两竖直放置的平行金属板,在两板间用绝缘线悬挂一带电小球.P板与b板用导线相连,Q板接地.开始时悬线静止在竖直方向,在b板带电后,悬线偏转了角度α.在以下方法中,能使悬线的偏角α变大的是A.缩小a,b间的距离B.加大a,b间的距离C.取出a,b两极板间的电介质 相似文献
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在新课程电动势教学中,教师们经常这样描述电流的形成:电源的正极有大量正电荷,负极有大量的负电荷;闭合外电路后,电源两极上的电荷对外电路建立一个电场,使导体中的电荷做定向移动;在内电路,电荷在非静电力作用下做定向运动.这样的描述有没有科学性错误?电池的两极究竟有没有带静电荷?可把此问题称之为电势之谜和电荷之谜.这两 相似文献
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《技术物理教学》2005,13(2):44-45
一、填空题1. 自然界存在种电荷, 电荷之间的相互作用力叫做力.2. 一平行板电容器的电容为 50μF带电量为 5×10-3C, 两板间电压为V, 若极板间距离为5cm, 两板间的电场强度为V/m.3. 金属导体中自由电子定向移动的方向, 跟导体中电流的方向 .4. 两根同样材料的电阻丝, 长度之比为 1∶ 5,横截面积之比为 2∶3, 则它们的电阻之比为 .5. 电流通过电动机, 电能主要转变成和.6. 如图所示, AB和CD分别为螺线管的中轴线和中垂线, 交于O点, 当螺线管通电后, 螺线管内的小磁针N极指向在上述五点位置中与点相同.7. 有一边长为 0.30m的正方形单匝线… 相似文献
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通过Al取代B在B12N12中掺杂,基于密度泛函理论对B6Al6N12的稳定性进行了系统研究.表明在B6Al6N12中,Al和B倾向于相对分开.在最稳定结构中,B原子和Al原子分别处在笼的两半.我们还分析了B12-nAlnN12 (n=0, 6, 12)的电子结构,B12N12的能隙为6.84eV,掺Al后其能隙明显变窄,Al12N12和B6Al6N12的能隙分别为3.91eV和4.08eV.NBO分析表明,B12N12中B/N原子的电荷分别为±1.17,Al12N12中Al/N 原子的电荷分别为±1.85.在B6Al6N12中,B/Al原子上的电荷分别为1.06~1.12和1.86~1.91,N原子上的电荷为-1.18~-1.83. 相似文献
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通过Al取代B在B12N12中掺杂,基于密度泛函理论对B6Al6N12的稳定性进行了系统研究.表明在B6Al6N12中,Al和B倾向于相对分开.在最稳定结构中,B原子和Al原子分别处在笼的两半.我们还分析了B12-nAlnN12 (n=0, 6, 12)的电子结构,B12N12的能隙为6.84eV,掺Al后其能隙明显变窄,Al12N12和B6Al6N12的能隙分别为3.91eV和4.08eV.NBO分析表明,B12N12中B/N原子的电荷分别为±1.17,Al12N12中Al/N 原子的电荷分别为±1.85.在B6Al6N12中,B/Al原子上的电荷分别为1.06~1.12和1.86~1.91,N原子上的电荷为-1.18~-1.83. 相似文献
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非平行板电容器电场和电容的另一种计算 总被引:13,自引:0,他引:13
通过求解电势的拉普拉斯方程,得到非平行板电容器两极板间的电势分布,从而求出其电场和电容,结果与用其他方法所得结果完全相同. 相似文献
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电动势是中专物理教材“恒定电流”中的一个重点概念,又是学生难以理解的难点内容.电动势描述了电源内部非静电力移动电荷做功的能力大小,在教学中学生对电源、电动势、电压之间的关系很容易混淆,对电源能持续向外供电的原因不理解,特别是对电源内部由于非静电力搬移电荷做功,使电源两极间保持恒定电势差的事实无法体会,同时,也很难利用实验做到让学生直观、形象地认识,因此形成了教学难点.鉴 相似文献
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求解不严格平行的平板电容器电容的探讨 总被引:2,自引:1,他引:1
求解不严格平行的平板电容器电容的探讨徐志和(上海交通大学物理系上海200030)很多大学物理教材中都选用了这样的习题:如图1所示,一电容器的两极板,都是边长为a的正方形金属平板,两板不严格平行,而有一个夹角θ.证明:当θda时,略去边缘效应,它的电... 相似文献
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平板电容作用力的扭摆测量方法罗俊,范淑华(华中理工大学武汉430074)平板电容两极板之间存在相互作用力是电磁学中为人们所熟悉的一个结论,从实验上直接观测电容作用力效应通常的办法是采用静电天平或电磁天平.本文提出平板电容作用力的扭摆测量方法.其实验设... 相似文献
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基于180nm标准CMOS工艺,设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂的深N阱形成PN结,选取不同的P电荷层掺杂浓度,对击穿电压进行优化,当P电荷层浓度为1×1018cm-3时,击穿电压为17.8V,电场强度为5.26×105 V/cm.进一步研究发现N电荷层的位置会影响漂移电流密度和扩散电流密度.当在深N阱与N隔离层交界处掺杂形成N电荷层,即N电荷层掺杂峰值距离器件表面为2.5μm时,器件性能最优.通过Silvaco TCAD仿真分析得到:在过偏压1V下,波长500nm处的探测效率峰值为62%,同时在300~700nm范围内的光子探测效率均大于30%. 相似文献