卤代苯和卤代萘磺化产物的1H NMR研究

研究了卤代苯和卤代萘磺化产物的¹H NMR分析方法.结合各产物有关质子的化学位移,偶合常数,分裂形式,积分高度可得到各种磺化产物的比例.讨论了双共振去偶合实验的具体应用,化学位移理论值的计算及其在质子谱峰归属中所起的作用,磺化产物¹H和¹⁹F的偶合分裂现象.首次报道了卤代芳香化合物多磺酸取代产物的¹H NMR数值.     

由四溴化碳、卤阴离子和溶剂分子组成的三角形卤键和氢键超分子复合物的理论与谱学研究

通过计算化学结合谱学实验揭示了四溴化碳与卤阴离子在质子溶剂中形成的CBr₄…X^-…H-C三角形的三键超分子复合物的作用模式. 卤键与氢键的强度均遵循：碘化物>溴化物>氯化物. 三键复合物中的卤键与氢键均呈现一定的协同效应. 紫外可见吸收光谱观察到四溴化碳与卤阴离子作用出现的新电荷转移峰,即卤键作用的吸收峰. 并利用Benesi-Hildebrand法确定了1:1的化学计量比、摩尔吸光系数及键合常数. 摩尔吸光系数及键合常数受溶剂的介电常数影响,在相同溶剂中遵循碘化物>溴化物>氯化物. 由键合常数表示的作用强度与理论计算的作用能相一致. 红外光谱测定的溶剂分子C-H振动频率随卤阴离子的加入有明显的红移,预示着C-H…X^-氢键的形成. 实验与理论均证明这种通过共享卤阴离子的三键复合物的存在.     

几种碱卤晶体热膨胀系数的理论计算

 本文利用P. Mohazzabi和F. Behrooz的方法计算了碱卤晶体NaCl、KCl、RbBr、KBr的热膨胀系数，取得了和实验较为一致的结果。     

HX（X=F，C1，Br）酸性强度的理论计算

中用Gibbs自由能ΔGacid定义了HX(g)的酸性强度。研究表明，用MP2、QCISD和B3LYP三种量化方法计算所得的HX酸性强度与献值对比，其最大的相对误差仅为2．45％。其中，B3LYP方法的计算结果与献值最为接近，其误差在0．37—1．09％范围内。HF气态分子有明显的氢键作用，其二聚体分子酸性强度ΔGacid与单体分子的△Gacid值相比降低了约-5～-11％，此时氟化氢气体的酸性强度已不能单从HF单体分子的△Gacid值来衡量，而应考虑HF分子的氢键作用。     

HX(X=F,Cl,Br)酸性强度的理论计算

本文用Gibbs自由能ΔGacid定义了HX(g)的酸性强度.研究表明,用MP2、QCISD和B3LYP三种量化方法计算所得的HX酸性强度与文献值对比,其最大的相对误差仅为2.45%.其中,B3LYP方法的计算结果与文献值最为接近,其误差在0.37-1.09%范围内.HF气态分子有明显的氢键作用,其二聚体分子酸性强度ΔGacid与单体分子的ΔGacid值相比降低了约-5～-11%,此时氟化氢气体的酸性强度已不能单从HF单体分子的ΔGacid值来衡量,而应考虑HF分子的氢键作用.     

Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

一种考虑电荷转移的普适相互作用势的应用：NaCl结构的碱卤离子体…

对Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒ等入提出的，基于考虑了离子间电荷转移的相互作用势的晶体结合能的普适表式中的待定参数，以１５种ＮａｌＣｌ结构的碱卤离子晶体为对象，全部进行了重新确定，同时，指出了原文［Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ４４（１９９１），９６９６和Ｐｈｙｓ，Ｒｅｖ．Ｂ４７（１９９赋），１０７３］中在确定参数时存在的问题。从得到的结合能曲线出发计算出的等温压缩曲线与实验数据都作过了比较。     

白光LED用新型绿色荧光粉Ca5(SiO4)2F2∶Eu2+的发光性能

采用高温固相法合成出系列绿色Ca5-xEu(SiO4)2F2荧光粉,并对其发光特性进行了研究.Eu2+ 离子在Ca5(SiO4)2F2基质中可被250～440 nm光有效激发发出绿光,适合作为UV-LED用绿色荧光粉.浓度猝灭实验结果表明,Eu2+离子的最佳掺杂摩尔分数为0.15,通过计算推测出Eu2+离子在Ca5-x...     

Er~(3+)掺杂新型GeS_2-In_2S_3-CsI玻璃上转换光谱性质研究

用熔融淬冷法制备了掺Er3+的80GeS2-10In2S3-10CsI(mol%)硫卤玻璃样品,测试了样品的热学稳定性、喇曼光谱、吸收光谱以及上转换光谱,分析了Er3+离子在该玻璃中的上转换发光机理.应用Judd-Ofelt理论计算分析了Er3+离子在该样品中的强度参量Ωt(t=2,4,6)、自发辐射跃迁几率A、荧光分支比β以及辐射寿命τrad等光谱参量.在980nmLD泵浦激发下,首次在该种玻璃中观察到强烈的绿光(526nm、549nm),分别对应于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的跃迁,其中549nm处绿光较强.549nm处上转换荧光寿命为0.34ms,量子效率为69%.同时研究了绿光(526nm、549nm)上转换发光强度随泵浦激发功率的变化,其发光曲线拟合斜率分别为1.71和2.03,表明绿光是双光子吸收过程.研究结果表明:掺Er3+的80GeS2-10In2S3-10CsI硫卤玻璃是一种上转换绿光激光器的潜在基质材料.     

人工神经元网络模拟卤代烷烃的电离势

利用人工神经网络反向传播模型计算了卤代烷烃第一电离势。通过优化神经网络结构，在已知样本范围内由ｌｅａｖｅ－ｏｎｅ－ｏｕｔ方法得到的标准预报误差为０．３４ｅＶ，好于文献报导的用ＰＬＳ方法的计算和预报结果。     

碱卤晶体热导率与压强的关系

 本文指出，关于碱卤晶体热导率λ与压强p之间关系的经验方程：λ=A+Bp或λ=A+Bp+Cp²，可以由Bridgman参量的定义g=-(d lnλ/dlnV)_T和Tait方程ΔV/V₀=ln(1+βp)/α导出。     

HXCO（X=F,Cl）解离和异构通道中的取代基效应

本文在２００－１３００Ｋ温度范围内，计算了ＨＸＣＯ、ＸＣＯＨ和ＨＣＯＸ解离和异构化反应的Ｇｉｂｂｓ自由能改变、热效应、速度常数以及Ｗｉｇｎｅｒ校正系数，讨论了取代基对反应的热力学和动力学参量的影响。结果表明：（１）取代基对反应的热力学量和速度常数影响较大，但影响结果因反应机理不同而异；（２）当反应所断裂化学键不直接连接取代基，则取代基对隧道效应影响较小；（３）仅用电子能量判断分子的稳定性是不可靠的     

卤代烷第一电离能的变化规律研究

卤代烷ＲＸ的第一电离能Ｉｐ的变化规律可用如下方程表示：Ｉｐ（ｅＶ）＝３．３３８０＋０．７３４４Ｅｐ（Ｘ）＋２．７４２４「（１／αｘ）ｑｘ」－１．４０２ＰＥＩ其中,Ｅｐ（Ｘ）、αｘ分别为卤素原子最外层Ｐ电子的电离能和原子极化离,ｑｘ是卤代烷ＲＸ分子中卤原子Ｘ所带的部分电荷,ＰＥＩ是ＲＸ分子中烷基Ｒ的极化效应指数。华肜上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。     

高压下碱卤晶体的状态方程

 从碱卤晶体总相互作用势能出发,得到了一个状态方程。在不存在压致转变的压力范围内,该方程能够很精确地描述室温时碱卤晶体在高压下的等温压缩行为。还进一步讨论了体积弹性模量和其压力导数之间的关系。计算结果与实验结果符合得很好。     

GeSe2-Sb2Se3-CsCl玻璃的光学性质与析晶动力学研究

采用熔融淬冷法制备了20GeSe₂-（80-x）Sb₂Se₃-xCsCl（x=2,4,8,10 mol%）硫卤玻璃系统,测试了样品在可见至中远红外区域的透过光谱,研究了硫卤玻璃中CsCl对玻璃短波吸收限的影响;并测试了典型的20GeSe₂-76Sb₂Se₃-4CsCl样品在不同升温速率下的DTA曲线,利用非等温方法研究了其析晶动力学; 关键词： 硫卤玻璃 非等温过程 析晶动力学     

掺Er3+卤碲酸盐玻璃上转换能级寿命和发光性能研究

对不同激发条件下Er3+离子在卤碲酸盐玻璃中的上转换能级寿命进行了测试.上转换激发时,由于Er3+离子间以及Er3+不同能级间能量转移的影响,使得其寿命远大于直接激发条件下的值.比较了碲酸盐玻璃和卤碲酸盐玻璃中Er3+离子的上转换发光强度,卤化物离子引入后引起发光强度的明显增加.探讨了Er3+离子在卤碲酸盐玻璃中的发光机制及上转换发光强度对抽运功率的依赖性.     

掺Er3+卤碲酸盐玻璃上转换能级寿命和发光性能研究

对不同激发条件下Er3+离子在卤碲酸盐玻璃中的上转换能级寿命进行了测试.上转换激发时，由于Er3+离子间以及Er3+不同能级间能量转移的影响，使得其寿命远大于直接激发条件下的值.比较了碲酸盐玻璃和卤碲酸盐玻璃中Er3+离子的上转换发光 强度，卤化物离子引入后引起发光强度的明显增加.探讨了Er3+离子在卤碲酸盐玻璃 中的发光机制及上转换发光强度对抽运功率的依赖性. 关键词： 卤氧玻璃 上转换发光 激发条件