新型噻唑并[3,2-a]嘧啶类化合物的合成

5-乙氧羰基-4-芳基-6-甲基-3,4-二氢嘧啶-2-酮与丁炔二酸二甲酯反应, 合成了系列新的噻唑并[3,2-a]嘧啶类化合物, 反应具有时间短、收率高、后处理简单等优点. 采用NMR (1H, 13C, COSY, HSQC和HMBC), IR等多种谱学技术, 结合元素分析对产物进行详细表征, 通过对目标产物的1,3-偶极环加成的衍生化产物进行X射线单晶衍射而确定目标产物的结构.     

拓扑量子方法估算多环芳香烃类化合物的电离能

分子图的邻接矩阵是分子的拓扑不变量,它与分子的结构型性质如电离能等有关.以往的研究工作[1]在构建邻接矩阵时一般不考虑顶点(原子)本身的性质,而将矩阵的主对角元规定为0.本文以多环芳香烃化合物为模型,在构建邻接矩阵的主对角元时,结合烷基极化效应指数(PEI)来考虑分子图顶点的性质,用拓扑量子方法构建多环芳香烃类化合物新的邻接矩阵[2],在邻接矩阵与电离能之间建立某种新的联系.例如,苯分子(C6H6)的邻接矩阵,以往的分子拓扑方法,在构建分子图顶点邻接矩阵时,忽略顶点本身的性质,将主对角元均定为0,如矩阵A所示,当考虑顶点的相对能量,即以CH的∑PEI=0.6243代入主对角元,得到新的邻接矩阵,如矩阵B所示.     

分子拓扑学方法估算多环芳香烃类化合物的电离能

在构建多环芳烃类化合物分子的邻接矩阵主对角元时,结合烷基极化效应指数考虑分子图顶点的性质,以分子碎片C、CH、CH2、CH3等的相对能量作主元,用分子拓扑学方法构建了多环芳香烃类化合物新的邻接矩阵.研究结果发现,新的邻接矩阵特征根与多环芳香烃类化合物的电离能有良好的相关性Ipi=4.756+2.870OMOi,R=0.9853,s=0.1765,n=446.用这种新方法估算多环芳香烃类化合物的电离能,所用参数少且为分子结构性参数,稳定可靠,计算简便,结果较满意.     

5-(4-羟基-3-硝基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉结构

基于卟啉为荧光发色团,以2,4-二硝基苯磺酰氯为识别部分,设计并合成了一种具有较高选择性、高灵敏度的近红外苯硫酚荧光探针,其结构经¹H NMR, IR和HR-MS(ESI)表征。并研究了其荧光性能。结果表明：该探针可快速(90 s)、高选择性地检测苯硫酚,在5×10^-6～13×10^-6mol·L^-1呈良好的线性关系,检出限为61 nm。     

新型1,4-二氢吡啶基尾式卟啉的合成及其抗菌活性研究

以乙酰乙酸乙酯、4-羟基苯甲醛、碳酸氢铵和二溴烷烃为原料,经两步反应合成溴烷氧基1,4-二氢吡啶;再将其与5-对羟基苯基-10,15,20-三苯基卟啉缩合,得到了12种新型的卟啉-二氢吡啶及其金属锌配合物,结构通过NMR,IR和HRMS进行详细表征.研究中测试了这些复杂的卟啉-二氢吡啶化合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus,ATCC 25923)和大肠杆菌(Escherichia coli,ATCC 25922)的抑菌活性,实验结果显示这12种化合物都有很好的抑菌活性,其中对金黄色葡萄球菌抑菌效果较好,且卟啉-二氢吡啶二元化合物的抑菌效果优于两种单体.     

一种卟啉结构硫离子荧光探针的合成及荧光性能

以卟啉为荧光发色团,4-氯-7-硝基苯并-2-氧杂-1,3-二唑为识别基团,设计合成了一种具有较高选择性、高灵敏度的近红外硫离子荧光探针,其结构经~1H NMR,IR和HR-MS(ESI)表征。该合成路线简短,后处理简单。以荧光光谱为检测手段,测试了该探针分子对硫离子的识别效果。结果表明,此探针不仅具有高选择性和灵敏度,且在1. 0×10~(-6)～7. 0×10~(-6)mol·L~(-1)的浓度范围内呈现良好的线性关系,其检出限为78 nm。     

5-(4-羟基-3-硝基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉结构高选择性苯硫酚荧光探针的研究

基于卟啉为荧光发色团,以2,4-二硝基苯磺酰氯为识别部分,设计并合成了一种具有较高选择性、高灵敏度的近红外苯硫酚荧光探针,其结构经~1H NMR,IR和HR-MS(ESI)表征。并研究了其荧光性能。结果表明:该探针可快速(90 s)、高选择性地检测苯硫酚,在5×10~(-6)~13×10~(-6)mol·L~(-1)呈良好的线性关系,检出限为61 nm。     

卤代烷第一电离能的变化规律研究

卤代烷ＲＸ的第一电离能Ｉｐ的变化规律可用如下方程表示：Ｉｐ（ｅＶ）＝３．３３８０＋０．７３４４Ｅｐ（Ｘ）＋２．７４２４「（１／αｘ）ｑｘ」－１．４０２ＰＥＩ其中,Ｅｐ（Ｘ）、αｘ分别为卤素原子最外层Ｐ电子的电离能和原子极化离,ｑｘ是卤代烷ＲＸ分子中卤原子Ｘ所带的部分电荷,ＰＥＩ是ＲＸ分子中烷基Ｒ的极化效应指数。华肜上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。     

单取代烷烃电离能的估算

根据量子力学微扰理论,将单官能团取代甲烷(MeZ)和单官能团取代烷烃(RZ)分别当作未微扰体系和同扰体系,则后者的第一电离能Ip~1~(~R~Z~)可由下式估算：Ip~1~(~R~Z~)＝Ip~1~(~M~e~Z~)＋7.1702△qz－1.3949△PEI。其中Ip~1~(~M~e~Z~)为取代甲烷的第一电离能,△qz为RZ和MeZ分子中Z上面的部分电荷之差,△PEI为基团R和Me的极化效应指数(PEI)之差。对10类单官能团取代烷烃的61个化合物计算结果表明,计算值和实验值之间的平均相对误差仅为0.20%。     

卤代烷第一电离能的变化规律研究

卤代烷RX的第一电离能[WTBX]Ip的变化规律可用如下方程表示：Ip(eV)=3.3380+0.7344Ep(X)+2.7424[(1/ax)qx-1.4302PEI其中,Ep(X)、x分别为卤素原子最外层P电子的电离能和原子极化度,qx是卤代烷RX分子中卤原子X所带的部分电荷,PEI是RX分子中烷基R的极化效应指数。研究结果表明用上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。