活动标架系下O（n）非线性σ模型Laxpair矩阵的Poisson—Lie结构

在活动标架系下给出了Ｏ（ｎ）／Ｏ（ｎ－１）对称空间上非线性σ模型的Ｐｏｉｓｓｏｎ－Ｌｉｅ括号，并用协变分解的方法讨论了活动标架与固定标架系的协交关系，得到的ｒ、ｓ矩阵可以明显地看出其依赖于场量的部分是由于Ｓｎ－１流形上的联络引起的．     

活动标架系下O（3）非线性σ模型Lax—pair矩阵的Possion—Lie结构

在Ｏ（３）／Ｏ（２）对称空间上给出了非线性σ模型的Ｐｉｓｓｏｎ－Ｌｉｅ括号，用协变分解的方法讨论了活动标架与固定标架系的协变关系。     

活动标架系下以O(3)非线性σ模型Lax-pair矩阵的Poisson-Lie结构

在Ｏ（３）／Ｏ（２）对称空间上给出了非线性σ模型的Ｐｏｉｓｓｏｎ－Ｌｉｅ括号，用协变分解的方法讨论了活动标架与固定标架系的协变关系。     

反质子与核的电荷交换反应和非弹性散射

在扭曲波冲量近似下,讨论了反质子与核的电荷交换反应A(p,n)B和非弹性散射A(p,p′)*A.并具体地计算能量为E_p=179.7MeV和46.8MeV下¹²C(p,n)¹²B,¹⁸O(p,n)¹⁸N和¹⁸O(p,p′)¹⁸O的微分截面.用严格的分波法处理扭曲波.非弹性散射的微分截面能符合实验.同时预示了在这些能量下,反质子与核发生电荷交换反应可能出现的微分截面理论结果.     

Determination of Astrophysical 13N(p,γ)14O S-factors from the Asymptotic Normalization Coefficient of )14C → 13C + n

The angular distribution of the ¹³C(d,p)¹⁴C reaction is reanalysed using the Johnson--Soper approach. The squared asymptotic normalization coefficient (ANC) of virtual decay ¹⁴C →¹³C + n is then derived to be 21.4 ± 5.0fm^-1. The squared ANC and spectroscopic factor (SF) of ¹⁴O → ¹³N + p are extracted to be 30.4 ± 7.1fm^-1 and 1.94 ± 0.45, respectively. The astrophysical S-factors and reaction rates of ¹³N(pγ)¹⁴O are determined from the ANC of ¹⁴O → ¹³N + p using the R-matrix approach.     

143Nd中高自旋同质异能态的识别与研究

利用能量为80MeV的18O束流,通过¹³⁰Te(¹⁸O,5n)反应研究了¹⁴³Nd的高自旋态能级结构.基于γγ延迟符合、γ射线的角分布及线性极化测量,首次发现了¹⁴³Nd的一个半寿命为(35±8)ns,自旋和宇称为49/2⁺的同质异能态.用形变独立粒子模型探讨了此同质异能态的形成机制.     

镜核间的反质子与核的电荷交换反应

研究镜核之间的反质子与原子核的电荷交换反应. 在扭曲波冲量近似下,用严格的分波法分析反质子能量是179.7MeV和46.8MeV下¹³N(p,n)¹³C和¹⁵O(p,n)¹⁵N可能到达的能态的微分截面. 并指出同位族相似态跃迁与非相似态跃迁的差异.     

14MeV中子引起的185Re(n,2n)184g,mRe和191Ir(n,2n)190Ir的核反应截面测量

利用活化方法测量了1?4MeV中子引起的¹⁸⁵Re(n,2n)^184gRe,¹⁸⁵Re(n,2n)^184mRe和¹⁹¹Ir(n,2n)¹⁹⁰Ir核反应的截面.中子能量E_n=(14.7±0.2)MeV时的实验结果分别为:(1817±85)mb,(390±18)mb和(2038±82)mb.并利用HFTT程序计算了中子能量在7—18MeV范围内的截面值,给出了其中两个核反应的激发函数曲线.     

Ba(n,x)134Cs,134Ba(n,2n)133Ba,140Ce(n,2n)139Ce,142Ce(n,2n)141)Ce和23Na(n,2n)22Na反应截面的测量

用中子活化法相对于⁵⁴Fe(n,P)⁵⁴Mn反应,在13.50—14.80MeV中子能区测量了Ba(n,x)¹³⁴Cs,¹³⁴Ba(n,2n)¹³³Ba,¹⁴⁰Ce(n,2n)¹³⁹Ce,¹⁴²Ce(n,2n)¹⁴¹Ce和²³Na(n,2n)²²Na的反应截面.并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较,中子能量是用⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr反应和⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面比法测定的.     

双奇核170Ta的转动带结构

用能量为105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁵⁹Tb(¹⁶O,5nγ)¹⁷⁰Ta反应研究了¹⁷⁰Ta的高自旋态,观察到¹⁷⁰Ta的3个转动带,其中一个耦合带和一个半退耦带中的非优先ΔI=2转动系列是由本工作发现的.文中还讨论了这些转动带可能的准粒子组态.     

13.5-14.6MeV中子能区锶同位素反应截面的测量

在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测量了⁸⁴Sr(n, 2n)⁸³Sr,⁸⁶Sr(n, 2n)^85mSr, ⁸⁶Sr(n, 2n)⁸⁵Sr,⁸⁸Sr(n, 2n)^87mSr, ⁸⁴Sr(n, p)⁸⁴Rb, ⁸⁶Sr(n, p)⁸⁶Rb,⁸⁸Sr(n, p)⁸⁸Rb和⁸⁸Sr(n, α)^85mKr的 反应截面值, 以⁹³Nb(n, 2n)^92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测量值和收集到的文献值做了比较.     

13.5—14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的⁷⁶Ge(n,2n)⁷⁵Ge, ⁷⁰Ge(n,2n)⁶⁹Ge, ⁷⁰Ge(n, p)⁷⁰Ga, ⁷²Ge(n,p)⁷²Ga, ⁷³Ge(n,p)⁷³Ga, ⁷²Ge(n,α)^69mZn和⁷⁴Ge(n, α)^71mZn的反应截面值. 中子注量用⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)⁴He反应获得. 同时还列举了已收集到的文献值以作比较.     

稳定核84Sr的高自旋态研究

利用75MeV的¹⁸O束流,通过⁷⁰Zn(¹⁸O,4n)反应布居了⁸⁴Sr核的高自旋态,测量了激发函数,γ–γ符合及DCO比值和γ射线强度,观察到了12条新能级,近30条新γ跃迁,建立了新的能级纲图,与D.C.M.(deformod configuration-mixing shell model)理论计算结果符合得很好,发现其负宇称带有强烈的振动性.     

均匀磁场中的转动导体和麦克斯韦方程组的协变性

对某文献中"形如E=±v×B的电场的非零散度与真实的电荷密度无本质关联"的观点提出商榷,指出它违反麦克斯韦方程组的协变性,而实际情形是电场的散度仍然为0.然后就原文举出的匀强磁场的例子,在匀速转动系中利用曲线坐标系和嘉当(Cartan)随动标架进行了相应的计算,结果表明麦克斯韦方程组的协变性并未被破坏.     

14MeV中子引起的Pb(n,x)203Hg, W(n,x)182Ta和W(n,x)183Ta的核反应截面测量

利用活化方法测量了14MeV中子引起的Pb(n,x)²⁰³Hg,W(n,x)¹⁸²Ta和W(n,x)¹⁸³Ta的反应截面.中子注量由监督反应⁹³Nb(n,2n)^92mNb给出,中子能量利用⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr和⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应的截面比来确定.     

14MeV中子硒同位素反应截面的测量

在14MeV中子能区用活化法测得了⁸²Se(n,2n)^81m,gSe, ⁷⁶Se(n,2n)⁷⁵Se,⁷⁸Se(n,p)⁷⁸As,⁷⁶Se(n,p)⁷⁶As,⁷⁴Se(n,p)⁷⁴As和⁸⁰Se(n,α)⁷⁷Ge反应截面值, 以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测量值和收集到的文献值进行了比较.     

用两束真空紫外激光和离子速度成像方法测量12C16O分子在108000∽113200 cm-1能量范围的解离通道分支比：生成O(1D)通道的观测

本文利用两束可调谐真空紫外激光和离子速度成像的方法测量了CO在108000∽113200 cm^-1光解离通道分支比[C(³P₀)+O(¹D)]/{[C(³P₀)+O(³P)]+[C(³P₀)+O(¹D)]}和[C(³P₂)+O(¹D)]/{[C(³P₂)+O(³P)]+[C(³P₂)+O(¹D)]}. 本文先用一束真空紫外激光将CO分子激发至特定的高激发量子态并发生解离，接着用另一束真空外激光选择性地电离C(³P₀)和C(³P₂)并进行探测. 1VUV+1UV/visible共振增强多光子电离的方法大大提高了实验的探测灵敏度，使得之前没有观测到的较弱的吸收带也首次被观测到. 通过分支比的测量，发现自旋禁阻的解离通道C(³P₀)+O(¹D)和C(³P₂)+O(¹D) 只在某些分立的较窄能量范围内才能被观测到. 这可能是由于直接激发的高里德堡态和解离到上述自旋禁阻通道的价态在这些能量范围内发生了共振的自旋-轨道耦合相互作用.     

羟基自由基双光子激发解离动力学

本文利用高里德堡态氢原子飞行时间探测技术，研究了羟基自由基的双光子激发解离动力学. H(²S)+O(¹D)和H(²S)+O(¹S)解离通道是由于羟基在经由A²Σ⁺(v''=2, J''=0.5-2.5)中间态通过双光子激发最终到排斥性的激发态势能曲线2²Ⅱ和B²Σ⁺上产生. 这两种解离通道产物都具有各向异性的角向分布，其中H(²S)+O(¹D)产物角分布异向因子β为-0.97，H(²S)+O(¹S)产物角分布异向因子β为1.97. 各向异性的角向分布与OH自由基在排斥性的激发态势能曲线上直接解离机理相吻合. 此实验观测到羟基自由基的解离能为35580±15 cm^-1.     

14MeV钕的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准测得的¹⁵⁰Nd(n,2n)¹⁴⁹Nd,¹⁴⁸Nd(n,2n)¹⁴⁷Nd和¹⁴²Nd(n,2n)¹⁴¹Nd的反应截面值.由13.5±0.2,14.1±0.1和14.6±0.2MeV中子引起的¹⁵⁰Nd(n,2n)¹⁴⁹Nd反应截面值分别为2037±85,1737±68,1657±65mb,¹⁴⁸Nd(n,2n)¹⁴⁷Nd反应截面值分别为1394±58,1416±54,1956±76mb,^{142Nd(n,2n)141Nd反应截面值分别为1501±59,1623±62,1764±111mb.单能中子由T(d,n)4He反应获得.文中还收集了已发表的数据以作比较.}     

187Pt的转动带性质研究

利用在束γ谱学技术和¹⁷³Yb(¹⁸O, 4n)熔合蒸发反应研究了¹⁸⁷Pt的高自旋态能级结构. 建立了包括3个转动带的¹⁸⁷Pt高自旋态能级纲图. 基于¹⁸⁷Pt周围核结构的系统学和比较带内B(M1)/B(E2)比率的实验值和理论值, 建议上述3个转动带的组态 分别为11/2⁺[615], 7/2^－[503]和1/2^－[521]. 对各转动带的带交叉频率、顺排增益、旋称劈裂等进行了讨论.