柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜（ＩＴＯ）是一种新型半导体材料，目前主要依赖进口，但价格昂贵，国内生产厂家较少．深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发，形成了年生产５０，０００Ｍ透明导电膜（ＩＴＯ），产品质量完全可以替代同类进口产品．北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点，该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜，还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装，在某些方面它可以取代导电玻璃，并且可以开拓许多导电玻…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ITO)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年生产 5 0 ,0 0 0 M透明导电膜(ITO) ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开拓许多导电玻璃所不…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜(ITO)是一种新型半导体材料, 目前主要依赖进口, 但价格昴贵, 国内生产厂家较少. 深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发, 形成了年产50,000m2透明导电膜(ITO)的能力, 产品质量完全可以替代同类进口产品.     

激光制造透明导电膜

东京三菱研究所（ＭＲＩＴ）的研究人员开发了制造透明导电膜的一种新的激光处理技术。这种工艺可用于不耐热或易氧化的基片,可用来制造透过９０％可见光的晶体—氧化物导电膜。透明导电膜通常用作光传输电极。用氧化物制造的电极在可见光波长上特别透明,且薄膜非常坚固。有一种这样的材料就是氧化铟（Ｉｎ２Ｏ３）外加氧化锡（ＩＴＯ）,这种材料广泛用于液晶和等离子体显示器可见光元件的电极。直到现在,这种薄膜可以通过原材料上的发光离子或电子光束形成,即使它汽化,并将气体沉积到穿过该材料放置的衬底上。但是,由于该材料是由不…     

掺钼ZnO透明导电薄膜的太赫兹电磁波传输性质

采用直流磁控反应溅射方法,通过调节氧分压在玻璃基底上制备了不同载流子浓度的掺Mo的ZnO（ZMO）透明导电薄膜.应用太赫兹电磁波时域光谱技术研究了ZMO导电膜的太赫兹电磁波透射性质及介电响应,得到了与频率相关的电导率、能量吸收和薄膜折射率,实验结果与经典Drude模型相符很好.ZMO导电膜的太赫兹电磁波脉冲透射性质表明,通过调节ZMO薄膜的载流子浓度,该导电膜可作为应用于衬底和光学器件等太赫兹电磁波频率范围的宽带抗反射涂层. 关键词： 太赫兹电磁波光谱 薄膜电导率 宽带抗反射 透明导电薄膜     

透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用

阐述了氧化铟锡（ＩＴＯ）薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用，对ＩＴＯ气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。     

透明导电薄膜

<正> 引言金属薄膜和半导体薄膜都具有透明、导电和反红外线三种性能。我们镀制的掺锡(SnO_2)三氧化二铟(In_2O_3)薄膜,方电阻R_□=20±10Ω;可见光透光率T_(0.4～0.75)=(96±2)%,激光1.06μ透光率T_(1.06)=(92±2)%;对直径140㎜、厚12㎜的玻璃上镀膜后,施加28V的电压,经过5min可以从-45℃低温下上升到5℃;用功率50MW,能量500mJ的激光器连续2min600次发射激光冲击膜层,膜层未见损伤。本文将要介绍透明导电膜的分类、几种制备方法、透明导电膜的机理、镀膜的工     

有机薄膜电致发光器件的光学微腔效应

制备了以铝掺杂氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜为阳极的有机薄膜电致发光微腔器件，研究了垂直的光学法布里－珀罗微共振腔对有机器件的自发发射的微腔效应，发出了光谱窄化、发光强度增加及发射的角度依赖关系等现象。具有微腔结构的器件发射谱将高宽只有１４display status     

一种保护玻璃防水雾透明导电薄膜的设计与制备

为了使光学仪器能适应低温潮湿环境,设计了一种复合型的保护玻璃防水雾透明导电薄膜.采用非平衡闭合磁场反应溅射技术在K9玻璃基底上沉积了氧化铟锡(ITO)导电膜以及复合型的透明导电膜系.采用光谱仪、方阻仪测试了样品的透射光谱以及方块电阻,并对样品进行了环境试验.结果表明,样品的光学技术指标以及抗恶劣环境性能均达到了使用要求...     

柔性有机电致发光器件导电基板的工艺性能

在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。     

基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管

首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。     

透明导电薄膜研究现状

一 透光率高电阻率低的透明导电薄膜,在飞机、航天飞行器和太阳能光伏电池诸方面,都有重要应用.具体地说,可用作电光显示器件的透明电极;超大口径电光快门透明电极;飞行器上防霜加热玻璃窗;防反射多层膜以及特制毛玻璃等.透明导电薄膜,有各种制备材料及制膜方法.制备材料有金、钢等纯金属和金属氧化物.金属氧化物中,目前最好的材料为SnO2和In2O3等.获得透明导电膜的方法,通常有下列几种.1.蒸熏法 把SnO2等金属氧化物和被镀基片放在特制烘炉,加热到一定温度(约+70°C),在热空气中SnO2被气化蒸熏于基片上.2　喷镀法 在烘炉中加热基片到一…     

固体碳薄膜中布基管的分形生长

在氩，氮气氛下，采用直流弧光放电在Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）透明导电玻璃上沉积出碳薄膜，用电子显微镜和激光拉曼谱分析证实，该膜中含有大量布基管结构及自相似分形生长，称为布基树晶格植物结构，为实验研究布基膜及分形理论提供了新的实验依据和结果。     

纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况     

H/Al共掺杂对ZnO基透明导电薄膜光电性质和晶体结构的影响

利用H在ZnO中作为浅施主杂质的特性,研究了H掺杂对ZnO：Al透明导电薄膜特性的影响。通过降低ZnO：Al中Al的含量并同时引入H掺杂,解决了透明导电薄膜中高导电性与高透过率之间的矛盾。H的掺杂可以显著降低ZnO基透明导电薄膜的电阻率,这是由于H一方面作为施主可以提供电子从而提高了自由载流子浓度;另一方面与ZnO晶界中的O^-结合降低了晶界势垒,提高了载流子迁移率。利用H掺杂,可以在Al掺杂量降低10倍的情况下,仍然能获得低电阻率（6.3×10^-4 Ω·cm）的透明导电薄膜,同时其近红外波段（1 200 nm）透光率从64%提高到90%。这种具有高导电性和高透光性的透明导电薄膜可以应用于各类薄膜太阳能电池中以提升器件效率。     

激光制造透明导电膜

东京三菱研究所(MRIT)的研究人员开发了制造透明导电膜的一种新的激光处理技术。这种工艺可用于不耐热或易氧化的基片,可用来制造透过90%可见光的晶体——氧化物导电膜。透明导电膜通常用作光传输电极。用氧化物制造的电极在可见光波长上特别透明,而且薄膜非常坚固。有一?..     

IPTO薄膜制备及其在有机光电器件中的应用

新型IPTO(Pr Ti O3掺杂In2O3)薄膜的可见光透过率及导电性可与商业化的ITO薄膜媲美。采用双源电子束设备制备了一种新型的IPTO透明导电薄膜,通过开尔文探针法测试,其功函数为5.14 e V。为验证新型IPTO透明导电阳极对有机电致发光器件性能的影响,将IPTO替代商业化ITO作为阳极制备了有机电致发光器件。基于IPTO阳极的器件的亮度最大值为85 140 cd/m2,外量子效率最大值为3.16%,分别为以ITO为阳极的器件的3倍及1.13倍。这种性能的改善是由于IPTO具有较小的表面粗糙度及较高的功函数,可以降低阳极的注入势垒,有利于电荷向有机层注入,改善了器件内的空穴及电子的注入平衡。     

Plasma处理对有机薄膜电致发光器件性能及稳定性的影响

有机薄膜电致发光是双极注入的发光器件，电极及注入界面是影响器件性能的重要因素，采用高功函数透明电极及低功函数金属电极是普遍使用的方法，人们还采用高离化势的有机透明电极［１］，低离化势的ＣｕＰｃＢｕｆｅｒ层［２］，ｐｌａｓｍａ处理ＩＴＯ的方法［３］来改...     

直流反应磁控溅射制备掺铟ZnO透明导电薄膜的研究

本文介绍了掺铟ZnO透明导电膜的制备工艺.并应用半导体物理理论分析了薄膜的导电机理,用Drude理论建立了物理模型,分析与计算了薄膜从可见到红外光波段的光学性能,结果表明,理论计算与实测值两者符合得较好.