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1.
基于CMOS图像传感器的成像系统设计   总被引:6,自引:0,他引:6  
宋勇  郝群  王占和  何林 《光学技术》2002,28(3):253-254
以OV 5 116CMOS图像传感器为例 ,讨论了基于CMOS图像传感器的成像系统的电路设计方法及系统设计中应注意的问题 ;并通过对CMOS图像传感器外围电路的优化设计实现了成像系统的微型化和轻量化。  相似文献   
2.
王占和  李燕 《物理实验》1989,9(4):158-159
交流等效参数的测定是高校普通物理实验中的很重要的内容.目前多采用交流电桥法,Q表法和三表法.本文介绍的示波法较上述方法具有形象直观,简便易行的优点.  相似文献   
3.
纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制   总被引:3,自引:1,他引:2  
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O  相似文献   
4.
纳米晶氧化锡薄膜的接触特性   总被引:3,自引:0,他引:3  
王占和  郝群  祝侃  蒋煜婧 《光学技术》2001,27(4):346-347
在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0~ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况  相似文献   
5.
纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0~ 40 0℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2 :Sb透明导电薄膜 ,通过测定X射线衍射谱 ,表明薄膜择优取向为 [110 ]和 [2 11]方向。测量了SnO2 :Sb薄膜的导电特性随衬底温度及氧分压的变化。光学特性测量结果表明薄膜具有较高的透过率。  相似文献   
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