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1.
L.Huang N.Ding G.D.Jian Southwestern Institute of Physics P.O.Box Chengdu China 《核聚变与等离子体物理》1996,(4)
ＴＯＲＯＩＤＡＬＳＨＥＡＲＦＬＯＷＤＲＩＶＩＥＮＩＮＳＴＡＢＩＬＩＴＹＬ．ＨｕａｎｇＮ．ＤｉｎｇＧ．Ｄ．ＪｉａｎＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１，ＣｈｉｎａＡＢＳＴＲＡＣＴ... 相似文献
2.
《原子与分子物理学报》1996,(3)
ＴＯＴＡＬＣＲＯＳＳＳＥＣＴＩＯＮＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳＦＯＲＥＬＥＣＴＲＯＮＳＣＡＴＴＥＲＩＮＧＯＮＭＥＴＨＡＮＥＢＥＴＷＥＥＮ１ＡＮＤ５０ｅＶＬｉＴａｉｈｕａＹｅＲｕｉｙｉｎｇＹａｎｇＹｏｎｇＣｅｎｔｅｒｆｏｒＲａｄｉａｔｉｏｎＰｈｙｓｉｃｓ... 相似文献
3.
ＴＨＥＲＭＡＬＩＮＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＤ－ＴＢＵＲＮＩＮＧＰＬＡＳＭＡＳ￥Ｂ．Ｒ．ＳＨＩＹ．Ｘ．ＬＯＮＧＨ．Ｇ．ＺＨＡＯ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１，Ｓｉｃｈｕａｎ... 相似文献
4.
5.
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ01（０．２９８），Ｅ02（０．３４１），Ｅ03（０．５５５）和Ｅ04（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇03（０．５４）和Ｈ″03（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
关键词： 相似文献
6.
Chen Chen Mei Liangmo Department of Physics Shandong University Jinan P.R.China Guo Huiqun Zhao Jiangao State Key Lab. of Magnetism Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Beijing P.R.China 《原子与分子物理学报》1997,(2)
ＧＩＡＮＴＭＡＧＮＥＴＯ－ＩＭＰＥＤＡＮＣＥＩＮＦｅ－ＢＡＳＥＤＳＯＦＴＦＥＲＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣＲＩＢＢＯＮＳＣｈｅｎＣｈｅｎＭｅｉＬｉａｎｇｍｏＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｎａｎ２５０１００... 相似文献
7.
Tan Jichun Wei Xiaofeng Cheng Zhe Yuan Xiaodong Liu Lirong Shi ZHiquan 《Chinese Journal of Lasers》1998,7(1):46-50
ＧｅｏｍｅｔｒｉｃＡｒａｎｇｅｍｅｎｔｗｉｔｈＭｕｌｔｉｐｌｉｃｉｔｙｏｆＬａｓｅｒＢｅａｍｓｉｎＴａｒｇｅｔＡｒｅａＴＡＮＪｉｃｈｕｎＷＥＩＸｉａｏｆｅｎｇ１）ＣＨＥＮＧＺｈｅＹＵＡＮＸｉａｏｄｏｎｇ１）ＬＩＵＬｉｒｏｎｇＳＨＩＺｈｉｑｕａｎ（Ｄｅ... 相似文献
8.
CHEN Hongbing ZHU Congshan LU Haihe YU Baolong GAN Fuxi 《Chinese Journal of Lasers》1998,7(6):520-522
Ｏｓｔｅｒｂｅｒｇｅｔａｌ．ｒｅｐｏｒｔｅｄＳＨＧｆｒｏｍＧｅＯ２ｄｏｐｅｄＳｉＯ２ｇｌａｓｆｉｂｅｒｓａｆｔｅｒｔｈｅｆｉｂｅｒｓｗｅｒｅｉｌｕｍｉｎａｔｅｄｗｉｔｈａｎｉｎｔｅｎｓｅ１０６μｍｌａｓｅｒｂｅａｍ［１］．ＬａｔｅｒＬａｗａｎｄｙｅ... 相似文献
9.
连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品… 总被引：9，自引：0，他引：9
本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０． 相似文献
10.
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ2，并且大大增强了原有的Ｅ01（０．２９８）和Ｅ02（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ03。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇01（０．２１６），Ｅ＇02（０．３４１），Ｅ＇2，Ｅ＇4和Ｅ＇5（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ01和Ｅ＇01是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
关键词： 相似文献