MOS电容法测硅的产生寿命和表面产生速度

本文指出在表面产生速度可以看作常数的情况下,用线性电压扫描MOS电容测硅的产生寿命和表面产生速度。测线性扫描饱和电容随扫描速度的变化,可以较方便地求出产生寿命和表面产生速度。对一些MOS电容样品进行了测试。结果表明,测试方法在一定条件下是可行的。 关键词：     

消荧光现象与表面谐波产生

消荧光现象是激光与物质表面非线性相互作用的结果，这是一种普遍现象。在表面谐波产生的研究中，它常常被忽略。大量研究表明：表面谐波产生与消荧光现象，有着密切的内在联系。本文以消荧光观点详细讨论了表面谐波产生的机制，提出了表面谐波产生的消荧光模型。新机制可归纳为：（ａ）多光子受激吸收产生消荧光光斑，（ｂ）激光热效应等促进自发辐射转向准受激辐射，（ｃ）伴随荧光消失，部分产生荧光的激光能量转换为产生表面谐波     

压电晶体表面有限孔径源所产生声表面波的衍射场

到目前为止,声表面波有限孔径叉指换能器产生的衍射场一般是用角谱理论来进行唯象分析的,该标量理论的主要近似是忽略了问题的矢量性质,象在光学中那样,假定波场可以用一个标量来描述。在本文中,利用我们发展起来的压电晶体中弹性波场表面激发的严格矢量理论,给出了声表面波衍射场的全面严格的表叙。作为例子,对YZ-LiNbO_3进行了数值计算,所得结果跟角谱理论作了比较讨论。     

激光辐照InSb晶体表面产生的龟裂

 用一定宽度和一定能量密度的脉冲激光辐照InSb晶体时,该晶体表面产生了有规律的龟裂现象。从InSb晶体的晶格结构出发,分析了产生龟裂的机制。     

超短脉冲激光产生等离子体通道寿命研究

利用强飞秒激光在大气中产生等离子体通道内带电粒子的动力学模型,综合考虑二体吸附、三体吸附、离解和复合等因素,分析后续激光退吸附作用对等离子体通道寿命的影响,给出有效延长通道寿命的后续激光控制参量。计算表明,选择不同的激光注入形式和注入时间,对通道寿命的延长有着不同的效果,适当优化的激光可以延长通道寿命达25 s以上。     

高斯相关随机表面及其光散射散斑场的模拟产生和光强概率分析

提出了模拟产生高斯相关随机表面的方法,并模拟产生了这类表面在夫琅禾费面上产生的散斑场.以模拟产生的10000个随机表面作为表面样本系综,对具有不同粗糙度和横向相关长度的表面系综在夫琅禾费面上各点产生的散斑光强系综的概率密度分布进行了分析.发现：(1)散斑场的高斯和非高斯特性在空间上按一定的区域分布,并非整幅散斑图皆为高斯或非高斯散斑;(2)散射表面只包含少数散射颗粒时也可以形成高斯散斑. 关键词：     

银膜及其表面吸附吡啶分子的二次谐波产生

利用调QYAG激光器的1.06μm激光在银膜表面获得非表面等离子体激元增强效应的二次谐波产生。研究了银膜表面由于吸附吡啶分子而引起的表面二次谐波信号变化。应用表面二次谐波产生的方法首次验证了在常温常压下一定厚度的银膜对吡啶分子仍具有一定的吸附能力。     

低频室内声散射计算机模拟方法

近年来,声散射的模拟成为室内声场计算机模拟研究的重点。现有的方法一般是依据壁面性质(结构、粗糙度等),利用经验确定散射系数,并基于该系数来模拟室内散射声能的分布。这种方法在低频情况下的精度较差,主要原因是忽略了在低频声场中起重要作用的波动现象。为此,本文提出一种新的计算壁面散射的模型,该模型既可考虑壁面上产生的散射声能,又可计算因壁面边缘衍射而产生的散射声能。文中通过模拟和实测数据的对比,分析验证了该模型的有效性,并给出了表面散射系数的取值规则。     

双极晶体管的存储时间问题——开关管存储时间与集电区少子寿命无关

根据双极晶体管集电区少子存储可以忽略,提出了存储时间必然和集电区少子寿命无关的论点,并给出了一种验证该论点的简单实验方法.     

氮化铝薄膜中的二次谐波产生

利用X射线衍射技术对用直流反应磁控溅射技术沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的氮化铝(AIN)薄膜进行了晶体结构分析,对X射线衍射图样的分析结果表明：用该法沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜为单晶膜;利用脉宽为10ns、重复频率10Hz、最大平均功率为20W、单脉冲的最大能量为2J的Nd：YAG脉冲激光器对其进行了二次谐波产生的实验研究,对实验结果进行分析表明：沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜能在一个很宽的入射角度范围存在有效二次谐波的输出;且输出的二次谐波功率相对于AIN薄膜的表面法线成对称分布,这表明该AIN薄膜的表面法线方向即为AIN的光轴方向。     

表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响

本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响,并且导出了三次谐波振荡的表达式。然后,以GaAs柱形量子线为例作了数值计算。研究表明,当柱形量子线的横向半径d非常小时,电子和表面光学声子之间的耦合强度就非常大,表面光学声子对三次谐波振荡的影响就更强。     

调制激光致硅晶圆载流子辐射扫描成像试验研究

建立了调制激光诱发硅晶圆少数载流子密度波一维模型, 仿真分析了少数载流子输运参数对调制激光诱发载流子辐射信号频域响应的影响. 利用调制激光诱发载流子辐射扫描成像系统对含有表面划痕的硅晶圆进行了扫描成像试验研究. 通过少数载流子密度波模型与多参数拟合方法反求得到了扫描区域的输运参数二维分布图. 该方法得到的少数载流子寿命与利用传统光电导方法测量的少数载流子寿命结果相符; 分析了划痕对载流子输运参数造成的影响, 与光电导方法比较, 该方法可以测量不同位置的全部载流子输运参数且分辨率高.     

三代管MCP离子阻挡膜研究

三代管中GaAs光电阴极的表面Cs-O层经不住正离子的轰击,但在MCP的通道内,由于二次电子倍增,在MCP通道的输出端,电子密度较大,所以MCP通道内的残余气体分子就会被电离,正离子在电场的作用下向阴极方向运动,最终轰击阴极的表面Cs-O层,使阴极的灵敏度衰退.所以在MCP的输入端制作一层Al₂O₃离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用.本文介绍了MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺.     

双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率

提出了采用双波长自由载流子吸收技术同时测量半导体材料载流子体寿命和前表面复合速率的方法.通过数值模拟,定性分析了不同载流子体寿命和前表面复合速率对信号的影响,同时对测量参数的可接受范围和不确定度进行计算并与传统频率扫描自由载流子吸收方法测量结果进行比较.结果表明：提出的双波长自由载流子吸收方法可明显减小载流子体寿命和前表面复合速率的测量不确定度,提高参数测量精度;表面杂质和缺陷越多的样品,其前表面复合速率测量不确定度越小.进一步分析表明,此现象与不同波长激光抽运产生的过剩载流子浓度分布不同有关.     

Electrical properties of MOS structures on nitrogen-doped Czochralski-grown silicon: A positron annihilation study

Measurements of interface trap density, effective generation lifetime (GL) and effective surface generation velocity have been performed using different methods on selected MOS structures prepared on nitrogen-doped Czochralski-grown (NCz) silicon. The application of the positron annihilation technique using a pulsed low energy positron system (PLEPS) focused on the detection of nitrogen-related defects in NCz silicon in the near surface region. In the case of p-type Cz silicon, all the results could be used for the testing of homogeneity. In n-type Cz silicon, positron annihilation was found insensitive to nitrogen doping.     

Investigation of the influence of the bias applied to phase electrodes on the thermal generation currents in charge-coupled devices

A study was made of the kinetics of thermal generation currents and of their dependence on the bias voltage applied to phase electrodes. A mechanism is proposed to explain the observed phenomena. The surface recombination velocity and the lifetime of the minority carriers are determined.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 12, pp. 14–18, December, 1980.     

多点择优推进阵面法生成曲面三角形网格

在现有曲面非结构网格生成法的基础上,提出了一种新的曲面网格生成法——多点择优推进阵面法.它可在曲面上直接进行三角形网格划分,克服了映射法的网格变形问题,并且可以在网格生成结束后,对曲面网格直接进行Laplace格点松弛光顺.该方法使用简单,不受曲面块类型的限制,且网格质量高,可以为三维非结构网格生成提供高质量的初始阵面,并给出了若干个算例.     

表面复合速度对于锗的光电导光谱分布的影响(二)

The continuity equation of minority carriers in n-type germanium is solved for the stationary case, in which the volume recombination is assumed to be of the recombination-center type and the surface recombination is introduced in the boundary condition. An expression for the photoconductivity is obtained from this solution.By substituting the known absorption data and the volume lifetime of minority carrier in the sample into the expression of photoconductivity and by choosing suitable values of surface recombination velocity, photoconductive spectra are calculated and are compared with the experimental curves. The agreement is satisfactory for wave-lengths greater than 1.2 μ. Below 1.2 μ, the experimental curves fall well below the calculated curves. It is thought that other types of volume recombination may exist.The photoconductive spectra usually have a maximum outside the absorption edge. By measuring the relative height of the maximum, the surface recombination velocity can be obtained. This method is suitable for medium and large values of surface recombination velocity.The photoconductivity drops sharply on both sides of the maximum in case of large values of recombination velocity. In such cases, the energy gap of the semiconductor can be obtained in a simple way. For germanium the energy gap is 0.83 eV for direct transition and 0.635 eV for indirect transition.From this investigation, the energy gap of CdS is reestimated to be 2.53 eV and that of Cu₂O greater than 2.10 eV.     

交互式网格生成技术研究

探讨了分区网格生成的交互方法,包括交互输入、图形显示、网格质量检查、网格求解过程的随机可视控制等问题。在此基础上研制了一种具有交互性能的网格生成系统——BIGG。应用该系统生成的网格实例及流场解表明该交互技术是有效可行的,研制的软件系统提高了生成效率和网格质量。