后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性.然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃.用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能.结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向.PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响.     

电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响

采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3 (LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA).用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构.再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用 RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱.分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响.     

Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的结构与形貌分析

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献   

掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了Pb(Zrx，Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zr，Ti1-x)O3(PC—ZT)铁电薄膜，实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响．不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05uC／cm^2，矫顽场Ec=26．35kV／cm，而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度，当掺杂钴达到12%时，Pr=36．26uC／cm^2，矫顽场减小．同时，掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流。     

电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．     

基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响

在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响.实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN.TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小.随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小.     

LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能

用磁控溅射法在Si（111）基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3（LNO）薄膜,基片温度370℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理（500℃,10min）。使用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况。分析发现：LNO薄膜经退火处理后,其中的Ni／La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1：1,其导电性能也越好。另外,我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极,四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能,实验发现：（1）LNO薄膜的电阻率随膜厚的增加而降低,在大约300nm厚时略又有增加趋势;（2）LNO薄膜的红外吸收系数随其厚度的增加而增加,且随红外波长的增大而减小。     

SnO2气敏薄膜的制作与性能研究

采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜，并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏．使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析，测量了薄膜的吸收光谱和电阻，并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响．结果表明，不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构，退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响：退火温度愈高，薄膜中形成的晶粒越完整，晶化程度愈高；电阻率随着退火温度的升高而降低，考虑到气敏薄膜的敏感性能，本文选取1100℃为最佳退火温度．由于掺杂的影响，在氧化锡的禁带中产生了杂质能级，使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收．     

β-FeSi2薄膜的结构与光电特性

用磁控溅射法沉积了Fe／Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe／Si多层膜在880℃温度下热退火后，制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现p（220）／（202）择优取向，而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明，Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量，Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0．88eV。由Fe／Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应，这种效应在真空退火样品中更为显著，在40W光源照射下，光电导效应大于30％。     

C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构

利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元素具有类石墨性质.     

介质层中电磁波的能量中心运动方程

用广义变分法处理了介质层中电磁波的传播问题。把介质界面处的电磁波视为一个受约束的系统。采用广义变分基于在坐标变换下约束系统的变换性质，推导了两个介质界面附近电磁波的一些性质．由这些性质导出了电磁波能量中心运动方程。显示出每个界面都存在横向移动。     

铜合金中金相组织特征参数的测量

：根据体视学和定量金相分析的基本原理，利用Image—Pro Plus(IPP)图像分析软件测定了铜合金金相组织的相体积分数、晶粒度大小、粒子间距等特征参数，并提出了一种测量粒子间距的近似算法。     

对宁波大学本科生身体形态和机能的评价

采用９４年度宁波大学全体本科生１８６０名（男１２７０名，女５９０名）有关身高、体重、胸围和肺活量的测量数据与９１年全国样本相比较，用ｔ检验比较９１届本科生１９９４与１９９１年所测上述四项体测数据之间的差异，测定结果分析表明宁波大学学生肺活量与机能指数低于全国样本，差异非常显著。９１届学生９４年比９１年胸围、肺活量有明显增加，但９４年肺活量的均值仍较全国样本低。提出学生今后应加强长跑、游泳等项目的锻炼，以增加肺活量，进一步增强自身的体质。     

圆形微带天线高阶模特性分析

圆形微带天线高阶模特性分析黄景熙，范治波（武汉大学电子信息学学院，武汉，４３００７２）关键词微带天线，圆形微带天线，伽略金法中图法分类号ＴＮ４５５１理论分析在图１中第ｉ区域（ｉ—０（空气）和ｉ—ｌ（基片》内的正负电磁场分量可根据两个标量位函数的汉克尔...     

增生算子零点算法

设X是具有Gǎteaux可微范数的自反Banach空间,对增生算子的零点,给出一个显式迭代逼近算法。     

关于奇点类型的讨论

剖析了数学奇点和物理奇点这两个概念及其它们在本质上的差异：数学上的本性奇点只不过是无穷级极点。而物理奇点如Schwarzchild黑洞中的Schwarzchild坐标的原点r=0的奇异性却出现在黎曼曲率张量里,它才真正反映了事物本质上的奇异性。     

水稻花药特异表达基因启动子的扩增及克隆

采用ＤＮＡ聚合酶链式反应（ＰＣＲ）扩增技术，以水稻黄化苗总ＤＮＡ为模板成功地扩增到水稻花药特异表达基因启动子Ｏｓｇ６Ｂ的７７０ｂｐ和９６０ｂｐ两个片段Ｏｓｇ６Ｂａ和Ｏｓｇ６Ｂｂ．并将其克隆到ｐＵＣ１８上形成完整的Ｏｓｇ６Ｂ，这为通过基因工程方法进行水稻杂种优势利用奠定了基础．     

一类(0,1)矩阵变换图的Hamilton性

设G(R,S)表示m×n阶(0,1)矩阵类(R,S)的变换图.Brualdi提出问题:“G(R,S)有Hamilton圈吗?”当min{m,n}=2时,文献[3]中证明了此变换图是Hamilton连通的,并且是泛圈的(除K_1,K_2外),从而给该问题一个肯定的答案,当min{m,n}=3时,本文进一步地证明了此变换图是边Hamilton的(除K_1,K_2外),从而也给出该问题一个肯定的答案。     

三种非放射性标记DNA探针杂交灵敏度的比较

以地高辛配基、光敏生物素及补骨脂素标记的Ｎ－ｒａｓＤＮＡ片段为探针，采用点渍法和ＤＮＡ印渍法，比较了这三种非放射性标记探针的杂交灵敏度．在点渍法中，三者能检测到的低限ＤＮＡ浓度分别为０．１μｇ·Ｌ－１，１μｇ·Ｌ－１和１μｇ·Ｌ－１．在ＤＮＡ印渍法中，地高辛配基能检测到的低限ＤＮＡ浓度亦为０．１μｇ·Ｌ－１．本文还讨论了影响上述三者灵敏度的有关因素．     

关于边色数GOLDBERG问题的注记

本短文指出度数为3、边色数为4的图的边数 e(G):e(G)≥[11v(G)-3]/8是否为真的图,指的是临界图.其中 v(G)表示 G 的点数.