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| LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能 | |
| 引用本文： | 王震东,赖珍荃,范定环,张景基,黄志明.LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能[J].南昌大学学报(理科版),2005,29(6):610-612. |
| 作者姓名： | 王震东 赖珍荃 范定环 张景基 黄志明 |
| 作者单位： | 1. 南昌大学,物理学系,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学与工程学院,江西,南昌,330047 2. 南昌大学,物理学系,江西,南昌,330047 3. 南昌大学,材料科学与工程学院,江西,南昌,330047 4. 中国科学院,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| 基金项目： | 红外物理国家重点实验室开放基金资助项目（200202）;南昌大学校基金资助项目（Z-2918） |
| 摘 要： | 用磁控溅射法在Si（111）基片上以不同溅射功率沉积LaNiO3（LNO）薄膜，基片温度370℃，对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理（500℃，10min）。使用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况。分析发现：LNO薄膜经退火处理后，其中的Ni／La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1：1，其导电性能也越好。另外，我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极，四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能，实验发现：（1）LNO薄膜的电阻率随膜厚的增加而降低，在大约300nm厚时略又有增加趋势；（2）LNO薄膜的红外吸收系数随其厚度的增加而增加，且随红外波长的增大而减小。 |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 LNO薄膜 射频磁控溅射 红外吸收 |
| 文章编号： | 1006-0464（2005）06-0610-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-10 |
| 修稿时间： | 2005年6月10日 |
ELECTRIC AND INFRARED ABSORPTION PROPERTIES OF LNO THIN FILMS PREPARED BY RF-MAGNETRON SPUTTERING |
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| WANG Zhen-dong,LAI Zhen-quan,FAN Ding-huan,ZHANG Jing-ji,HUANG Zhi-ming.ELECTRIC AND INFRARED ABSORPTION PROPERTIES OF LNO THIN FILMS PREPARED BY RF-MAGNETRON SPUTTERING[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2005,29(6):610-612. | |
| Authors: | WANG Zhen-dong LAI Zhen-quan FAN Ding-huan ZHANG Jing-ji HUANG Zhi-ming |
| Institution: | 1. Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330047, China; 2. College of Material Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330047, China; 3. National Lab for Infrared Physics ,Shanghai Institute of Technical Physics ,Shanghai 200083, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | ferroelectric thin films LNO thin films RF magnetron sputtering infrared absorption |
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