T=0.72Tc全电流超导隧道结电子模拟器

本描述了电子模拟器模拟了工作温度Ｔ＝０．７２Ｔｃ时超导隧道电流，它不仅包含了频率，能隙以及非线性准粒子隧道电流中电阻和电抗项的作用，还考虑了非零温度的影响。给出了恒压源与恒流源偏置条件下的直流与交流Ｉ－Ｖ特性，还给出了上述两种偏置条件下约瑟夫孙台阶及光子辅助的准粒子台阶与外加交流电压及频率间关系。     

rf-偏置超导隧道结阻尼特性与周期、次谐波和混沌现象

本文利用dc与rf电流偏置全电流超导隧道结电子模拟器在固定dc值、rf激励幅度与频率条件下，观察到了随阻尼变化系统出现周期、次谐波与混沌解现象。     

rf-偏置超导隧道结的周期次谐波和混沌现象研究

本文利用全电流超导隧道结电子模拟器研究了dc与rf电流激励超导隧道结 .在固定rf激励频率和阻尾的条件下 ,随着rf激励幅度增加 ,初步观察到了系统的周期、次谐波和混沌解的无穷尽序列现象 .     

DC与AC激励超导隧道结阵发性混沌研究

本文利用全电流超导隧道结电子模拟器研究了ｄｃ与ａｃ电流激励下超导隧道结阵发性混沌。在固定外加ａｃ激励信号频率、幅度和滞后参数的条件下，改变ｄｃ偏置，用示波器显示了周期解，次谐波解与混沌解时的相空间轨迹（φ－ｃｏｓφ）以及对应的结两端电压的瞬时波形图（φ－ｔ）。初步阐述了阵发性混沌的性质及通向这一模式的道路。     

正常金属/超导/正常金属双垒隧道结中的量子相干输运

考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。     

小面积Pb合金隧道结中的准粒子射频感应台阶

我们用8mm波段的电磁波辐照小面积Pb合金超导隧道结,在能隙电压附近观察到了光子辅助的准粒子隧道效应所引起的感应台阶。本文报道了有关的测试方法、实验结果和主要结论,并简要地叙述了一种波导-悬置带线-隧道结的新的微波耦合结构。     

正常金属d_(x~2-y~2)+id_(xy)混合波超导结中的隧道谱

在Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论框架下,通过求解Bogoliubov-deGennes方程,计算正常金属dx2-y2+idxy混合波超导结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明:隧道谱中的电导峰位置强烈地依赖电子的入射角、超导的晶轴方位和dxy波分量的强度。     

非平衡超导体N-S分区的实验证明

用隧道注入准粒子,使超导铅膜进入非平衡状态,在同样水平的注入条件下,可能出现两种与历史有关的非平衡零电阻状态,本文用的Pb-Pb-Pb双重隧道结构,探测这两种非平衡态的性质,发现一种是均匀的非平衡态,另一种是N-S分区的非均匀非平衡状态。 关键词：     

铁基超导体FeSe0.5Te0.5表面隧道谱的研究

用扫描隧道显微镜/谱仪仔细研究了铁基超导单晶FeSe_0.5Te_0.5样品的表面形貌和隧道谱, 测量到了清晰的表面原子形貌和在空间比较稳定的隧道谱结构．在样品中测量的隧道谱零能态密度比较高, 说明样品里面有比较强的非弹性准粒子散射. 在正能5 mV附近有个较大的背景鼓包, 这一背景在很高温度也未消失. 空间中Se和Te集中的位置会带来高能背景的变化, 超导能隙附近谱的形状大致相同. 较强的非弹性准粒子散射破坏了超导的准粒子散射, 因此没有在二维微分电导图中发现超导准粒子相干散射的特征亮斑.     

超导非平衡隧道结隧道特性的理论研究

本文利用动力学方程研究了超导非平衡隧道结的I(V)特性,理论计算结果与双隧道结实验的测量结果能够很好符合。通过理论与实验的比较,我们得到了Al膜中电声子相互作用下的准粒子特征时间和声子俘获因子,同时表明,对于Al膜,电子-电子直接相互作用对于准粒子的弛豫起重要作用,而声子的逃逸时间是随着声子能量增大而减小的。     

铁磁-绝缘层-d波超导结中的Andreev反射特性

考虑到铁磁层中的磁交换作用和界面散射效应,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论,计算铁磁-绝缘层-d波超导结中的准粒子输运系数与隧道谱.研究表明：铁磁层中的交换场能抑制Andreev反射,使得依赖于准粒子入射角的Andreev反射表现出瞬息波的行为,呈现一些新的隧道谱特征. 关键词： Andreev反射 d波超导 隧道谱     

d波超导体NIS结中的时间反演对称态的破缺与准粒子寿命效应

考虑到d波超导表面时间反演对称态的破缺与准粒子的有限寿命效应,在BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论框架下,通过求解BogoliubovdeGennes(BdG)方程,计算正常金属d波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱.研究表明:1)d波超导表面时间反演对称态的破缺会导致零偏压电导峰位移,位移的程度取决于分解d波超导表面时间反演对称态中s波分量的强度;2)准粒子的寿命效应与粗糙界面散射效应都能压低零偏压电导峰,其中粗糙界面散射还会阻碍零偏压电导峰的位移.这些结果能较好地解释Tc氧化 关键词：     

铁磁-d波超导结中的自旋极化隧道谱

考虑到铁磁层中准粒子输运的自旋极化效应以及 d波超导表面时间反演对称态的破缺效应 ,在 Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论框架下 ,研究铁磁 -d波超导隧道结中的隧道谱 ,所得结果能展示一些新奇特征 ,并能解释一些实验现象     

强准粒子注入产生的超导铅膜“双能隙”态中准粒子有效化学势μ~*与过量准粒子数n的关系

从超导铅隧道结在强准粒子注入下的“双陡区”实验资料计算铅膜准粒子的μ及n,所得μ-n及n_c-T关系与Chang-Scalapino理论定性符合,证明了用铅膜的“双能隙”非均匀态来解释此现象是正确的。     

金属微粒对于隧道性质的影响

本文利用泛函积分方法研究了超导金属微粒准粒子态密度的量子尺寸效应及随温度的变化。并研究了当超导微粒嵌入隧道结后对于Josephson效应的影响,发现在Josephson临界电流中出现反常现象。此外,我们还计算了准粒子隧道电流,结论与实验结果一致。 关键词：     

Kondo晶格中超导热力学临界场的研究

本文在两带准粒子模型下研究了Kondo晶格中超导热力学临界场的行为。我们唯象地引入了准粒子之间的有效吸引相互作用,由系统的两个超导序参量所满足的自洽方程出发计算了超导态与正常态热力学函数之差,由此得到了Kondo晶格中超导热力学临界场的表达式,并结合重费米子超导体CeCu_2Si_2、UBe_(13)和UPt_3的有关实验对所得理论结果进行了讨论。     

电子型超导材料的超流密度响应

超导电性是凝聚态物理学中研究的热点.超导材料基本构成分为电子型与空穴型.对于空穴型超导材料,其电子配对对称性普遍接受的是具有dx2-y2波对称性;而对于电子型超导材料,电子配对对称性是dx2-y2波对称性还是s波对称性,目前还存在着很大的争议.在线性近似下,dx2-y2波超导体超流密度是温度的线性函数,而s波超导体的超流密度是温度的指数函数.因此通过对超流密度的研究可以明确电子型超导材料的电子配对对称性.本文首先从微观t-t′-t″-J模型出发,通过隶波色子平均场近似,计及反铁磁关联序和超导配对项,得到两带超导哈密顿量,进而推导出两带超流密度.最后验证了电子掺杂型超导体电子配对对称性和空穴掺杂型一样,同样具有dx2-y2波对称性,和早期唯象的两带模型的研究相一致.明确超流密度随掺杂的变化,是两带准粒子随掺杂变化相互作用的结果.     

准粒子注入引起超导铟膜电压态的研究

用隧道注入准粒子,通过测量超导铟膜两端电压的变化。发现在一定条件下(结电阻较小等)铟膜在一定注入阈值下会相变到膜电压态(中间电阻态),注入继续增大到第二个阈值时,相变到正常态。这两次相变都是一级相变,T_λ以上和以下桕变过程也没有明显的区别。     

微波辐照下超导隧道电流公式

本文利用Keldysh与Larkin及Ovchinnikov等人发展的非平衡格林函数方法推导了在微波辐照下,超导隧道结的准粒子电流与Josephson电流公式,求得准确到微波场二次项的结果,并简要讨论了微波辐照的影响。     

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

在正常金属／绝缘层／s波超导隧道结（NIS结）中，以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响，运用Bogoliubov_de Gennes（BdG）方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论，计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势，其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ ₀/e的偏压值，电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关，显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱. 关键词： NIS结 方势垒 微分电导