H2（V=3）+H2（He）碰撞中的转动能量转移

激发态Na₂与H₂碰撞,使H₂（V=3,J=3）得到布居,在H₂和He总气压为800 Pa及温度为700 K的条件下,利用相干反斯托克斯拉曼散射（CARS）光谱技术研究了H₂（3,3）与H₂（He）间转动能量转移过程.改变CARS激光束与激发Na₂的激光之间的延迟时间,测量He不同摩尔配比时H₂（3,J）态CARS谱强度的时间演化,得到H₂（3,3）的总弛豫速率系数分别为k_3,3^H₂=（21士5）×10^-3cm³·s^-1和k_3,3^H_e=（5.6士1.6）×10^-13cm³·s^-1.测量H₂（3,J）各转动态的相对CARS谱强度,由速率方程分析,得到H₂（3,3）+H₂→H₂（3,J）+H₂中,对于J=2,4,转移速率系数分别为（11±4）×10^-13cm³·s^-1和（8.2±3.1）×10^-13cm³·s_<sup>-1.在H₂（3,3）+He→H₂（3,J）+He中,对于J=2,4,转移速率系数分别为（3.1±1.2）×10^-13cm³·s^-1和（2.1士0.7）×10¹³cm³·s^-1.对于H₂（3,3）,单量子弛豫|△J|=1约占该态总弛豫率的90%.     

Li2Mo2O6多晶材料的结构与电性能的研究

本文用固相反应烧结制备出Li₂Mo₂O₆多晶材料。经X射线分析、红外光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的研究,确定了它的结构是Li₂Mo₂O₄和MoO₂两个晶相组成的烧结体。钼离子以四价状态存在于MoO₂晶相结构中。采用交流阻抗谱分析了晶界与温度变化的相关性。测得了样品的ln(σ_总T)-1/T 曲线是由两段直线和一段曲线所组成;总电导率化能σ_27℃=1.36×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_115℃=1.49×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_300℃=9.71×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_370℃=2.42×10^-3(Ω·cm)^-1;电导活化能E₁=0.043eV,E₂=0.235eV,E_平均=0.76eV。采用维格纳极化电池法测得电子电导率σ_e,σ_e27℃=2.240×10^-5(Ω·cm)^-1,σ_e300℃=4.476×10^-3(Ω·cm)^-1。实验证明,室温下材料为固体电解质,300℃附近为良好的离子与电子混合导体。 关键词：     

Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)晶体的结构与光学性能研究

利用X射线粉末衍射确定了Tm³⁺掺杂硅酸镓镧(La₃Ga₅SiO₁₄,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm：LGS晶体的室温吸收谱和470nm光激发下的发射光谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Tm³⁺的三个晶场调节参数Ω_t(t=2,4,6),分别为2.694×10^-20cm²,1.842×10^-20cm²,0.030×10^-20cm²;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了³H₄和³F₄态的自发跃迁概率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果进行了分析. 关键词： Tm：LGS晶体 吸收谱 Judd-Ofelt理论 光谱参数     

掺Er3+碲酸盐玻璃的光谱性质与Judd-Ofelt理论分析

用高温熔融法制备了碲酸盐玻璃(70TeO₂-9B₂O₃-6Nb₂O₅-5Na₂O-10ZnO-1%(质量分数)Er₂O₃)样品。测试了玻璃样品的吸收光谱和荧光光谱。应用Judd-Ofelt理论计算了Er³⁺离子的谱线强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比、辐射寿命等光谱参数,并拟合了相应的强度参数Ω_t(t=2,4,6)(Ω₂=8.01×10^-20cm²,Ω₄=2.09×10^-20cm²,Ω₆=1.15×10^-20cm²)。结果发现该碲酸盐玻璃具有较大的Ω₂值,说明Er—O键的共价性强于它在硅酸盐、锗酸盐、氟化物、铋酸盐和磷酸盐玻璃中的共价性。Er³⁺在碲酸盐玻璃中⁴I_13/2→⁴I_15/2跃迁几率约为492s^-1,表明Er³⁺可能有较强的1.5μm发射。分析了Er³⁺在碲酸盐玻璃中能级⁴I_13/2→⁴I_15/2发射的荧光半峰全宽(FWHM=73nm),并应用McCumber理论计算了Er³⁺的受激发射截面(σ_e=1.08×10^-20cm²),发现其FWHM×σ_e远大于Er³⁺在铋酸盐、磷酸盐、锗酸盐和硅酸盐玻璃中的受激发射截面,说明碲酸盐玻璃是一种制备宽带光纤放大器的优良基质材料。     

深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

用深能级瞬态光谱和光致发光(PL)方法研究了AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)发射区AlGaInP中的深能级.得到了两个深能级,分别为E_c-E_t1＝0.42eV和E_c-E_t2＝0.59eV,其复合截面为σ_n1＝6.27×10^-17cm²和σ_n2＝6.49×10^-20cm². 关键词：     

THE 82S1/2→62D EXCITATION TRANSFER OF RUBIDIUM ATOMS INDUCED BY COLLISIONS WITH GROUND-STATE RUBIDIUM AND HYDROGEN MOLECULES

The processes of excitation transfer from the 8²S_1/2 state to the 6²D state of rubidium in Rb(8²S_1/2)-Rb(5²S_1/2) and Rb(8²S_1/2)-H₂ collisions have been studied experimentally. During irradiating the Rb vapor, mixed with H₂, by two light beams for selective stepwise excitation, the Rb 8²S_1/2→5²P_3/2 direct fluorescence and the Rb 6²D_3/2→5²P_1/2 sensitized fluorescence have been measured as a function of H₂ gas pressure. The measurements yielded the cross-sections σ(8²S_1/2→6²D) and σ^*(8²S_1/2→6²D) of Rb 8²S_1/2→6²D excitation tranfer induced by collisions with 5²S_1/2 atom and H₂ molecules respectively. The results are discussed in detail.     

一种新型掺铒碲酸盐玻璃的光谱性质研究

研究了一种新型掺Er³⁺碲酸盐玻璃的光谱性质；应用Judd-Ofelt理论计算了碲 酸盐玻璃中Er³⁺离子的强度参数Ω(Ω₂=479×10^-20 cm²,Ω₄= 152×10^-20cm²,Ω₆=066×10^-20cm2)，计算了离子的自发跃迁概 率，荧光分支比；应用McCumber理论计算了Er³⁺的受激发射截面(σ_{e=1040×1 0^-21cm²)，Er³⁺离子⁴I13/ 2→⁴I15/2发射谱的 荧光半高宽(FWHM=655nm)及各能级的荧光寿命(⁴I13/2 能级为τrad =399ms)；比较了不同基质玻璃以及不同类型碲酸盐玻璃中Er³⁺离子的光谱 特性， 结果表明该掺铒碲酸盐玻璃具有更好的光谱性能，更适合于掺Er³⁺光纤放大 器实现宽带和高增益放大. 关键词： 碲酸盐玻璃 光谱性质 Judd-Ofelt理论}     

Yb:Y2－2xLa2xO3激光透明陶瓷的光谱性能

对一种低温易烧结的Yb:Y_2-2xLa_2xO₃激光透明陶瓷的光谱性能进行了初步研究，Yb:Y_2-2xLa_2xO₃激光透明陶瓷具有宽的吸收带和大的吸收截面，在最强的吸收峰977nm处吸收截面达4.0×10^-20cm²；其荧光发射寿命为1.1ms，发射截面在1033nm处为1.0×10^-20cm²，在1077nm处为0.7×10^-20cm².Yb:Y_2-2xLa_2xO₃陶瓷的各项光学性能指标接近或达到单晶的指标. 关键词： 氧化镧钇 激光陶瓷 低温烧结 光谱性能     

激发态Na(3P)原子的碰撞缔合电离

用染料激光照射温度为250℃的Na蒸汽,将基态Na原子激发到3P态,两个Na(3P)原子碰撞,产生缔合电离,测量了缔合电离截面。本实验的关键是激发态原子密度及其空间分布的确定。本文用三种不同的方法测定Na(3P)原子密度,并仔细地研究了它们的空间分布;结合电离电流的测量,得到了缔合电离截面σ_Al=4.2×10^-17cm²(±36％)。与其它实验结果作了比较,并进行了讨论。 关键词：     

利用Townsend放电测定N2(A3∑u+)亚稳态分子的扩散系数和猝灭速率常数

在纯N₂气体中,利用Townsend放电方法,对N₂(A³∑_u⁺)亚稳态分子的扩散系数D_m和猝灭速率常数K_q的测定进行了研究。分别得到:D_m=128cm²/s,K_q=8.1×10^-19cm³/s。 关键词：     

α-Al2O3单晶中Fe3+离子的电子顺磁共振

本文对α-Al₂O₃单晶体中Fe³⁺离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe³⁺离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe³⁺离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe³⁺离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g_‖=2.001,g_⊥=2.003,D=1679 关键词：     

Cross sections for slow ion production and charge transfer in H+3(D+3)−H2(D2) collisions

Slow ion production cross sections for collisions of H⁺₃ and D⁺₃ ions with H₂ and D₂ have been measured at collision energies between 100 eV and 500 eV. The values vary from 2 × 10^-17 cm² to 6 × 10^-17 cm². The smaller cross sections for D₃ projectiles may be explained as an internal energy effect.     

激发态铯原子间的碰撞能量转移

用激光抽运基态Cs₂分子,通过预离解或碰撞转移,由一部分的激发态Cs₂产生Cs原子6P,5D激发态。测量了Cs(5D)+Cs(6P)→Cs(7D_J)+Cs(6S)碰撞激发能量转移截面σ_(7DJ),以及Cs(7D_J)+Cs(6S)→除Cs(7D)外的态的截面σ_tr。结果是,对于J=5/2,3/2,σ_(7DJ)(以 关键词：     

Ionic transport in the lithium nitride bromides,Li6NBr3 and Li1 3N4Br

The ionic and electronic conductivities of the lithium nitride bromides Li₆NBr₃ and Li_{1 3}N₄Br have been studied in the temperature range from 50 to 220°C and 120 to 450°C, respectively. Both compounds are practically pure lithium ion conductors with negligible electronic contribution. Li₆NBr₃ has an ionic conductivity Ω of 2 × 10^-6Ω^-1cm^-1 at 100°C and an activation enthalpy for σT of 0.46 eV. Li_{1 3}N₄Br shows a phase transition at about 230°C. The activation enthalpy for σT is 0.73 eV below and 0.47 eV above this temperature. The conductivities at 150 and 300°C were found to be 3.5 × 10^-6 Ω^-1cm^-1 and 1.4 × 10^-3Ω^-1cm^-1, respectively. The crystal structure is hexagonal at room temperature with $\text{a = 7.415 (1)}\text{A}\text{?}$ and $\text{c = 3.865 (1)}\text{A}\text{?}$.     

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_0.75Ga_0.25As_0.58P_0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10^-16cm²和3.8×10^-12cm²。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。 关键词：     

Raman紫外双共振研究C2H2分子的碰撞转动弛豫

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C₂H₂分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X¹∑_g⁺,v″₂=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A¹Au(v′₃=1)←X¹∑_g⁺(v″₂=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C< 关键词：     

Absorption of H and D Ly-α radiation by O2 molecules at high temperatures

Absorption cross sections of molecular oxygen were measured at the H and D Ly-α wavelengths (1215.67 and 1215.34 Å) between 800 and 1700°K, the cross sections being given by the equation σ (cm²) = 4.2E-18 exp(-3070/T) (4.2E-18 = 4.2 × 10^-18). The absorption cross section for v = 1 is (9±2)E-19 cm² and that for v = 2 is (7±3)E-18 cm², compared to 1.E-20 cm² for v = 0. Vibrational relaxation times were found to be in agreement with literature data over the range of common temperatures.     

用低能弱γ源测量电子对的近阈产生截面

用2.7μCi的⁶⁰Co弱γ源和NaI(Tl)与Ge(Li)双探测器符合测量方法,测量了Al,Zn,Sn,Pb四种样品的电子对产生绝对截面。测量结果与前人用很强γ源得到的结果相符合,并验证了在近阈条件下,对产生截面满足Jaeger关系式:σ_pair=(Z²+aZ⁴)σ₀,求得对⁶⁰Co源γ光子,α=(1.51±0.23)×10^-4,σ_{0关键词：}