Scheme for N-Qubit Toffoli Gate by Transport of Trapped Ultracold Ions

We propose a potentially practical scheme for implementing an n-qubit Toffoli gate by elaborately controlling the transport of ultracold ions through stationary laser beams. Conditioned on the uniform ionic transport velocity, the n-qubit Toffoli gate can be realized with high fidelity and high successful probability under current experimental conditions, which depends on a single resonant interaction with n trapped ions and has constant implementation time with the increase of qubits. We show that the increase of the ion number can improve the fidelity and the successful probability of the Toffoli gate.     

实时单发测量的汤姆逊离子谱仪

介绍一种使用闪烁体耦合电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)的方式对离子进行记录的汤姆逊能谱仪,可实现对离子能谱的实时单发测量。同时,该谱仪利用倾斜电极板对离子进行偏转,可减少由于离子打在电极板上产生的电磁噪声,能够提高实验结果的信噪比。该谱仪在北京大学4.5 MV静电加速器和2×6MV串列加速器上进行了标定实验,测量了闪烁体将离子转化成光子后的探测效率,实验结果也验证了该谱仪的可行性和稳定性。该汤姆逊谱仪将用于北京大学激光加速器CLAPA对离子束流的测量研究。     

掺稀土离子的CaS：Bi荧光粉的发光性质

采用固相反应法合成了单掺和双掺稀土离子Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的ＣａＳ：Ｂｉ荧光粉，测定了试样的荧光光谱和有效余辉。与ＣａＳ：Ｂｉ相比，掺入Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的荧光粉，Ｂｉ３＋特征发射峰４４７ｎｍ增强，有效余辉延长。表明Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对Ｂｉ３＋在ＣａＳ中的发光产生了敏化作用，Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋在基质晶格中造成了缺隙深能级，讨论了Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对ＣａＳ：Ｂｉ发光敏化作用的大小和在基质中造成缺隙能级。的深浅。     

Pulsed Ion Sheath Dynamics in a Cylindrical Bore for Inner Surface Grid—Enhanced Plasma Source Ion Implantation

Based on our recently proposed grid-enhanced plasma source ion implantation(GEPSII) technique for inner surface modification of materials with cylindrical geometry,we present the corresponding theoretical studies of the temporal evolution of the plasma ion sheath between the grid electrode and the target in a cylindrical bore.Typical results such as the ion sheath evolution,time-dependent ion density and time-integrated ion energy distribution at the target are calculated by solving Poisson‘s equation coupled with fluid equations for collisionless ions and BOltzmann assumption for electrons using finite difference methods.The calculated results can further verifty the feasibility and superiority of this new technique.     

射频离子阱中氖离子的电荷转移

本文报导的是存在射频离子阱中的氖离子与氖气的电荷转换率的测量，其结果好于Ｐｅｎｎｉｎｇ阱。     

离子导体在离子输运状态下的物理特性

1974年杨桢等发现α-LiIO_3单晶在直流电场作用下,中子衍射强度显著增强现象后,引起了中国物理学家们的强烈兴趣。特别是中国科学院物理研究所的物理学家们研究了离子导体在静电场作用下的介电行为,X射线形貌图,光衍射,喇曼散射,超声衰减等等,观察到了许多新现象,并对这些现象的机制作了理论解释,本文将对这些实验和理论结果作一评述。     

Cross Sections of Electron Detachment for Si^- and Ge^- in Collision with Ar

Single electron detachment cross section for 10-40keV Si^- and Ge^- in collisions with Ar are measured and compared with other available experimental results. In our experimental energy region, the trend of cross sections is almost constant. The cross sections of Ge larger than Si can be understood by including electron affinity and size of negative ions.     

固体离子学概述

 固体离子学是研究固体中离子行为及其相关应用的科学.它是在七十年代才兴起的新学科。内容包括快离子导体(又叫固体电解质),混合导体(又称电极材料)和它们的应用。它是物理、化学、材料、器件的交叉学科,因而引起广泛领域的科学家和工程师的兴趣和关注.自然界的固态材料依据其导电能力来分类可分为导体、半导体和绝缘体.在不特别指明电荷载流子的情况下,这种分类都是相对于电子(或空穴)的导电能力而言的.     

利用CR39上的径迹鉴别激光加速离子产物

分别利用单能的质子束及碳离子束辐照CR39,并制定了规范的刻蚀条件及流程。通过对处理完成后的数据进行详细处理,得到了质子及碳离子的径迹直径-能量的响应曲线,可用于确定CR39上质子或碳离子的能量。以此为依据,得到了鉴别CR39上质子及碳离子的有效方法。在激光加速离子的实验中,通过测量CR39上的径迹大小及相对灰度,利用本文给出的标定数据,确认了质子径迹,得到了实验的质子能谱。     

在HL－1M装置上用弯晶谱仪测量离子温度

本文叙述在ＨＬ－１Ｍ装置上用弯晶谱仪获取Ｆｅ的类Ｈｅ离子谱，用谱线的多谱勒加宽测量等离子体的离子温度，得到的等离子体ＨＬ－１Ｍ装置离子温度为５００—８００ｅＶ。     

利用离子输运的标度特性计算离子在固体中的射程分布

利用低能轻离子在固体中的输运量可近似由离子标度输运截面单值描述这一标度特性,取得了计算低能轻离子在重靶中射程分布的普适公式,具体地,在用离子输运双群模型计算得到射程分布前四阶矩后,建立这些与标度输运截面之间的近似单值对应关系,在此基础上,拟合得到计算射程分布的前四阶矩以及射程分布的公式.通过与实验值和MonteCarlo计算结果的比较,检验了本文给出的普适公式.利用本文的结果可以较好描述低能轻离子在固体中的射程分布,同时又有很高的计算效率. 关键词：     

非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的离子导电性与结构研究

本文研究了非晶锂离子导体P₂O₅-0.7Li₂O-0.4LiCl-0.1Al₂O₃的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激 关键词：     

利用同步辐射与离子阱研究高电离态离子

近年来,各种形式的离子阱作为“清洁”的离子存储器被应用于低能高电离态离子的碰撞和光谱学的研究.同步辐射作为一种新型光源,其能量范围宽,产生的光子能量高,是高电离态产生、电离和激发的有力手段.把二者的优点结合起来,可开辟新的科学生长点.[1] 研究低能高电离态离子,对于实验室等离子体和天体等离子体中的光电离和碰撞过程;对于量子电动力学的精密检验; 对于研究高电离态离子的能极结构和谱线;对于检验和发展光电离以及其他光与离子相互作用理论,都具有非常重要的意义,是当前原子、分子物理学的重要研究前沿. 利用同步辐射光产生离子…