乙醇与水协同修饰Bi_2WO_6纳米片形貌及改善其光致发光性

通过控制前驱体中乙醇与水的体积比,采用溶剂热法得到不同形貌的Bi2WO6纳米片,探讨了Bi2WO6形貌与光致发光性能之间的关系。Bi2WO6的结晶度、纳米片的棱长以及片层间距随醇水比增大而逐渐提高,当醇水比为1∶1时,Bi2WO6纳米片的棱长、片层间距和比表面积(BET)最大,表现出优异的光致发光性能;而在醇水比大于1∶1时,纳米片的棱长、片层间距和BET随之降低,光致发光性能继而减弱。以上表明醇水比为1∶1时,复配乙醇与水协同修饰Bi2WO6纳米片形貌的效果最佳,BET最大,从而促进其光致发光性能的改善。     

Bi2WO6纳米晶的制备、表征及光催化性能

以硝酸铋、钨酸钠等为原料,利用水热法在150℃下反应24h得到Bi2WO6纳米晶。X射线粉末衍射结果表明,所制备的Bi2WO6属于正交晶系,晶胞参数为a=5.457,b=16.435及c=5.438。XPS结果表明所制造的Bi2WO6纯度较高。研究了分别以水、N,N-二甲基甲酰胺、乙二醇为溶剂时所制备Bi2WO6样品在可见光激发下对罗丹明B的降解活性,结果表明,以乙二醇为溶剂时,Bi2WO6光催化活性最佳,主要是由于在乙二醇中制备的Bi2WO6分散性好,粒径小,对紫外-可见光具有较大波长范围的吸收所致。另外,研究了以水为溶剂时溶液pH及添加表面活性剂等对所制备Bi2WO6光催化活性的影响,结果表明,反应温度为140～150℃,pH在1.0附近及添加SDS后所制备Bi2WO6光催化活性较佳。荧光光谱分析发现,添加表面活性剂的样品发射荧光的强度较弱,表明载流子复合程度低,因而光催化效率高。     

Eu3+掺杂Gd2W2O9和Gd2（WO4）3纳米荧光粉发光性质研究

采用共沉淀法制备了不同Eu3+掺杂浓度的Gd2W2O9和Gd2(WO4)3纳米发光材料.通过对纳米材料样品的X射线衍射谱(XRD)和场发射扫描电镜(FE-SEM)照片的观察和分析,对样品的结构和形貌进行了表征.测量了各样品的发射光谱、激发光谱,计算了各样品的部分J-O参数和Eu3+5D0能级量子效率,绘制了不同基质中Eu3+发光的浓度猝灭曲线,对Eu3+掺杂的Gd2W2O9和Gd2(WO4)3纳米发光材料的光致发光性质进行了研究.实验结果证明,与较常见的Gd2(WO4)3:Eu一样,Gd2W2O9:Eu中Eu3+5D0→7F2跃迁的红色发光也能被395nm和465nm激发光有效激发,具有近紫外(蓝光)相对激发效率高,猝灭浓度大的优点,有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

水热法制备形貌可控的ZnMoO4微晶及其光致发光性能

以Zn(Ac)2和(NH4)6Mo7O24.4H2O为原料,分别以CTAB、SDS、PVP-K30作为辅助剂,采用水热法合成了不同形貌和结构的ZnMoO4微晶。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及光致发光光谱(PL)等分析手段对所得材料的结构、形貌及发光性能进行了分析和表征。测试结果表明:通过改变辅助剂的种类、用量和反应时间可以合成形貌可控的ZnMoO4微晶,不同形貌的样品发光强度不同,但发射中心均在565 nm左右。     

聚丙烯酸铅辐射防护材料的制备及性能研究

采用化学接枝聚合法制备了聚丙烯酸铅辐射防护材料,利用傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）和扫描电镜（SEM）对其结构进行了分析,并利用多道γ谱仪测量了其屏蔽率.利用EGSnrc软件,通过蒙特卡罗模拟,理论计算了防护材料的屏蔽率,讨论了引入样品前后,注量和剂量的变化规律.结果表明：制备的防护材料具有优良的屏蔽性能,其屏蔽效果与射线能量有关.在纯空气介质中,注量和剂量的变化均与粒子能量相关,注量随深度成不连续的阶梯分布,梯高相等,梯宽逐渐变窄,剂量随深度缓慢增加.样品引入后,在空气介质区域,注量和剂量的变化不再与能量相关,而与样品的厚度有关.样品介质区域和空气介质区域的注量都成非线性变化,注量和剂量的变化率在样品与空气分界处,出现了明显的转折. 关键词： 辐射防护 屏蔽性能 EGSnrc     

水热法合成Bi2Te3一维纳米线的研究（英文）

通过水热法以Na2TeO3为Te源和SDBS为表面活性剂在不同反应温度和反应时间下合成了半导体材料Bi2Te3的一维纳米线粉体.纳米线粉体通过XRD衍射仪分析物相,扫描电镜分析其表面形貌.分析结果表明反应温度和反应时间对Bi2Te3的纯度和表面形貌均有很大的影响.最佳的反应条件为反应温度150℃,反应时间为24小时.在此条件下制备的Bi2Te3纳米线的长度为500~1000nm左右,直径仅为30~50nm.同时也对不同形貌Bi2Te3晶体的成核和生长机理进行了研究.     

溶剂热-高温煅烧法制备纳米Gd2MoO6:Nd3+近红外发光材料

采用乙二醇-水的混合溶液作为溶剂,用溶剂热法制备了Gd2MoO6∶Nd3+的前驱体,然后对得到的样品在800℃下煅烧1 h。使用X射线衍射仪对样品的结构进行了表征,通过近红外和可见光区的发射光谱和激发光谱以及透射电子显微镜对样品的发光性质以及形貌进行了研究。探究了煅烧温度、Nd3+的掺杂浓度、pH值、乙二醇-水的配比对样品的近红外发光性能以及形貌的影响。实验结果表明,在乙二醇-水的配比为1∶1,Nd3+的掺杂摩尔分数为0.03,pH值为1.5,煅烧温度为800℃时,能得到分散性良好,并具有优良近红外发光性质的纳米粒子。     

Sol-gel制备的Yb3+,Er3+掺杂光致发光膜及其上转换光致发光性能

以钛酸正丁酯、异丙醇、硝酸镱和硝酸铒为起始原料,乙酰丙酮为络合剂,硝酸为催化剂,采用溶胶-凝胶法和旋转镀膜工艺制备出无掺杂和镱、铒共掺杂二氧化钛光致发光薄膜。利用接触角测定仪测定玻璃基底和溶剂之间的接触角,通过TG、XRD和FESEM分别对溶胶溶液或薄膜样品进行热分析、物相分析和特征形貌表征,研究了掺杂元素、不同煅烧温度对薄膜物相组成的影响。结果表明:异丙醇与玻璃基底的接触角最小,被选为最佳溶剂。当煅烧温度达到700 ℃且保温2 h时,可得到晶型较好的无掺杂和镱、铒共掺杂薄膜,其颗粒形貌为球形结构,平均尺寸不大于50 nm,薄膜表面均匀致密且较光滑。荧光分光光度计的测试结果表明,镱、铒共掺杂薄膜具有较强的光致发光性能。     

GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

MBiO2Cl(M=Ca，Sr，Ba)材料的合成、能带计算及发光性能研究

采用固相合成方法制备出CaBiO₂Cl,SrBiO₂Cl和BaBiO₂Cl粉体,研究了该Sillen系列铋基氧卤化合物的光学带隙、电子结构及发光性能.基于密度泛函理论计算表明,SrBiO₂Cl和BaBiO₂Cl均为直接带隙半导体材料,与吸收光谱实验结果相符合.在X射线和紫外光激发下三者均具有宽的可见光发射带(400—550nm),尤其是BaBiO₂Cl粉体的光输出强度约为Bi 关键词： 光致发光 电子结构 Sillen化合物     

Ag负载WO3/TiO2光催化剂的合成及其催化性能

以钛酸丁酯、无水乙醇、钨酸铵为原料,采用溶胶-凝胶法合成了WO3/TiO2复合光催化剂;采用光还原技术制备了Ag负载WO3/TiO2光催化剂,借助X射线粉末衍射(XRD)和UV-Vis光谱等技术对样品的组成和光吸收性能进行了表征,并以罗丹明B为模型污染物考察样品的光催化活性。XRD分析表明,所得粉体均为锐钛矿型纳米TiO2,且与WO3复合后,纳米TiO2特征衍射峰宽化,强度降低;UV-Vis光谱分析表明,载银使得催化剂在400—700nm的可见光区域对光响应,且在紫外光区吸收显著增强,对光具有更高的利用率;以罗丹明B为降解物的光催化实验表明,WO3复合对纳米TiO2光催化活性有显著的影响,而载Ag后其光催化活性进一步提高,将该光催化剂用于炼油厂废水的处理,效果较好。     

磁场下夹层结构的高能电子屏蔽性能

针对空间高能电子环境可能造成的航天设备故障、宇航员辐照损伤等情况,基于电子束返回效应,提出了一种磁场下金属/真空夹层式高能电子屏蔽结构。采用Geant4软件,模拟空间高能电子连续能谱,研究磁场下夹层式结构的高能电子屏蔽性能。此外,建立体素模型,计算射线在人体中的累积剂量,从而评估磁感应强度、屏蔽体材料对屏蔽性能的影响。结果表明:与传统被动屏蔽方式相比,夹层式结构具有电子屏蔽性能高、生成透射次级X射线少的特点;随着磁感应强度增加,体模中累积剂量下降,证明夹层结构的电子屏蔽性能不断提升;Ti/Ti材料组合的屏蔽方式具有更优越的高能电子屏蔽性能。该结构具备较好的高能电子屏蔽性能,将来有望对空间高能电子辐射环境进行有效防护。     

InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。     

Eu3+/Dy3+共掺Sr3Y2(BO3)4荧光粉的发光性质研究

稀土掺杂发光材料一直是科研领域研究的热点,被广泛应用于白光LED、温度传感、显示显像、新能源和激光等领域。基质的结构对于稀土离子光致发光特性有非常重要的影响,在众多发光基质材料中,硼酸盐具有透光范围宽、光学损伤阈值高、较好的热稳定性和化学稳定性等优点。碱土-稀土金属硼酸盐Sr₃Y₂(BO₃)₄具有出色的光学性能,对其发光性能的研究具有重要意义。稀土离子Eu³⁺具4f⁶电子层,是一种典型的下转换发光中心离子,常被选作红色发光材料的激活剂。Dy³⁺具4f⁹电子层,也是一种典型的下转换发光中心离子,在紫外光激发下,在蓝色光区和橙色光区有较强的荧光发射。采用高温固相法合成了Sr₃Y₂(BO₃)₄∶Eu³⁺/Dy³⁺荧光粉,通过XRD和SEM对样品的结构和形貌进行了表征,XRD结果表明,1 0...     

激光聚变实验装置屏蔽性能模拟计算北大核心CSCD

主要采用了蒙特卡罗方法对激光聚变实验装置外表面的中子和光子能谱及剂量进行模拟与分析,引入了MCAM软件绘制激光聚变实验装置的三维模型图,并自动转化为MCNP的输入文件,进行了靶室屏蔽性能的蒙卡模拟,从辐射防护的角度为屏蔽系统的建立、人员的辐射防护以及靶室材料的选择提供理论依据。通过模拟结果得出,CLAM钢作为靶室材料时,其屏蔽中子产生的瞬发光子剂量,在非孔道处是铝合金的1/2左右,40cm厚的混凝土屏蔽层对中子和光子起到了很好的屏蔽作用,均降低了一个数量级,另外在孔道处的中子和光子剂量,加了混凝土的情况反而比裸靶室时高10%左右,建议对靶室孔道外部考虑额外的防护。     

新型NiO-Bi2Te3异质结光电探测器的制备与光响应性能研究

采用旋涂法制备氧化镍(NiO)薄膜,用化学气相沉积法在其表面生长碲化铋(Bi2Te3),形成NiO/Bi2Te3异质结,采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜、能量色散光谱以及光致发光光谱来表征异质结材料.研究了N i2+浓度对光电探测器的光谱响应和光功率响应的影响.结果表明N i2+浓度为0.5 mol/L时器件表现出最...     

不同制备条件对Zn2SiO4∶Mn2+粉末发光性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Zn2SiO4∶Mn2 粉末,探讨了体系pH值、热处理温度、煅烧气氛对材料结构和发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等分析手段对Zn2SiO4∶Mn2 粉末的结构、颗粒大小、形貌、发光性能进行了表征。结果表明:溶胶的pH值影响制备的粉体的结晶性和颗粒大小,当溶胶pH值为4.34时,体系水解缩聚反应充分,所得荧光粉的光致发光强度最强;煅烧气氛显著影响荧光粉的发光强度,前驱体在N2(90%) H2(10%)的还原气氛下煅烧得到的发光粉发光强度最强;最佳热处理温度为900℃。     

不同制备条件对Zn2SiO4：Mn^2＋粉末发光性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Zn2SiO4：Mn^2＋粉末,探讨了体系pH值、热处理温度、煅烧气氛对材料结构和发光性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）谱等分析手段对Zn2SiO4：Mn2＋粉末的结构、颗粒大小、形貌、发光性能进行了表征。结果表明：溶胶的pH值影响制备的粉体的结晶性和颗粒大小,当溶胶pH值为4．34时,体系水解缩聚反应充分,所得荧光粉的光致发光强度最强;煅烧气氛显著影响荧光粉的发光强度,前驱体在N2（90％）＋H2（10％）的还原气氛下煅烧得到的发光粉发光强度最强;最佳热处理温度为900℃。     

可见光响应的BiVO_4/TiO_2纳米复合光催化剂

通过水热法制备了两种新型纳米复合材料Bi VO4/Ti O2,并对其晶体结构、形貌尺寸及光催化活性进行了测试。X射线粉末衍射测试结果表明,这两种复合材料均是由单斜相Bi VO4和锐钛矿型Ti O2构成;扫描电镜和透射电镜测试结果表明,两种样品均为Bi VO4纳米颗粒负载于Ti O2纳米线上;通过测试紫外-可见吸收光谱可观察到Bi VO4/Ti O2的吸收边相对于纯Ti O2明显发生了红移;在相同实验条件下,对亚甲基蓝的可见光催化降解实验结果表明,由含Bi3+钛酸盐纳米线制备的Bi VO4/Ti O2的光催化活性远高于纯Bi VO4和Ti O2半导体材料。     

CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化

利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用. 关键词：