GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光

稀土离子掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体的发光是近年来开展起来的新的研究领域.在GaAs,InP和GaP等材料中,用离子注入、LPE、MBE、MOCVD以及单晶生长等方法掺杂Er、Yb和Nd等稀土离子,得到了尖锐稀土离子的特征发光.这些发光来自占据正常立方格点和非立方格点的稀土离子的内部4f能级跃迁,其发光行为与掺杂条件关系很大.这种稀土一半导体材料已开始用来制备具有稳定发射波长的发光和激光器件.     

用铁电晶体作投映电视

菲利浦Gloeilampenfabrieken提出了一种相对价廉、彩色的电视投映系统。它在法国的LEP(电子及应用物理实验室)表演了一个彩色电视系统,投映的光通量为足够电影用的2500流明。 LEP声称其新产品售价只为“菲利浦油膜光阀”售价(80,000元美金)的三分之一。下一步产品将用一种有铁电晶体层的Titus管来调制投映光,而取代油膜光阀技术。 对彩色电视系统,LEP用三个Titus管来调制4.5KW Xe灯的光,对黑白系统就只用一个管子及2.5KW的灯。输入的光通过一个方解石偏振     

用于黑白和多色显示的激光-光致发光转换 第二部分:显示系统

近代技术的发展,使激光束的调制和扫描在速度上能与用于电视接收机的电子束相比。它不象阴极射线管那样必须封入有限大小的真空中,因此,目前人们对激光显示系统产生较大的兴趣。本文的目的是要说明利     

液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象

在轻掺杂或不掺杂的GaAs/AlGaAs异质结LPE晶体中,在1.4K的温度下发现了一条新的、由于量子限制效应而出现的PL光谱线—H线。处于GaAs PL光谱的激子跃迁和最浅受主(C)跃迁之问的此H线是一条较宽(半宽～9meV)、拖有一长波方向尾的、而且其峰值能量随激发强度的增加而以对数线性方式移向激子线的高能端(移动超过8meV)的光谱线。H线与温度有密切的关系。随着温度的上升,H线移向较低能的受主跃迁边(达到2meV)而且发光强度很快下降,并在约14K处消失。阶梯蚀刻样品的PL实验证明了H线来源于GaAs/AlGaAs异质结的界面。一个异质结界面的能带不连续模型及其存在的类三角势阱的量子限制效应作用较满意地解释了H线的产生及变化的发光现象,实验表明,H线与此势阱限制的束缚载流子有密切的关系。     

有机薄膜1/4波片

<正> 波片是研究偏振光的重要光学元件,在激光实验中更常使用。通常它是用单轴双折射晶体(如石英)或便于剥制的双轴晶体(如云母)精细加工制备的。本文介绍了一种用有机薄膜作1/4波片的方法,即在实验室中对工厂生产的大面积均匀的有机薄膜进行测量,挑选所需波长的1/4波片。一、有机薄膜1/4波片原理很多高分子有机薄膜,如涤纶薄膜、聚丙烯薄膜等,在加热拉伸成膜的过程中,其线度