固体氧化物燃料电池LSCF-SDC 纳米复合阴极制备及性能研究

利用硝酸盐溶液一次浸渗工艺在La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ(LSCF)表面涂覆Sm0.2Ce0.8O2(SDC)纳米颗粒,制备了LSCF-SDC纳米结构复合阴极。微观结构分析显示SDC纳米颗粒在LSCF表面均匀分布并且颗粒大小均一。界面阻抗图谱表明SDC浸渗极大的降低了LSCF阴极的界面极化阻抗,在750和650℃仅为0.074,0.44Ω.cm2。LSCF-SDC复合阴极的表观活化能为1.42 eV,略小于纯LSCF阴极。与混合法制备的LSCF-GDC复合电极相比,采用浸渗工艺制备的LSCF-SDC纳米结构复合阴极也显示出良好的电化学催化活性。     

MgAl2O4粉体的低温燃烧合成与烧结性能

以尿素、甘氨酸和淀粉为燃烧剂,用低温燃烧法合成了 MgAl2O4 纳米粉体,并研究硝酸铵(氧化剂)外加量对燃烧过程、粉体特性及烧结活性的影响,分别用 SEM、XRD 对 MgAl2O4 粉体的显微结构和物相组成进行了表征.实验结果表明:随着前驱体中硝酸铵加入量的增大,燃烧方式从无焰燃烧转变为有焰燃烧,且有焰燃烧时间显著增加,燃烧产物的烧失量大幅度减小,MgAl2O4 纳米晶的粒径明显增大,而粉体的烧结活性则先升高后降低.当硝酸铵和(硝酸铝+硝酸镁)的物质的量比为0.04:0.15时,用低温燃烧法合成的 MgAl2O4 粉体的烧结活性较高,制备的陶瓷材料的相对密度达到了98%.     

半导体单晶生长过程中的位错研究

阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况。分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素,以及抑制位错增殖的措施。与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响。最后,对熔体单晶生长过程的位错研究进行了展望。     

ACRT-Bridgman法制备组份均匀的碲锌镉单晶体

采用加速坩埚旋转技术-Bridgman（ACRT—B）法制备了640mm的结构较为完整的Cd0.96Zn0.04Te晶锭．利用红外分光光度计测定晶片的近红外透射曲线，最大斜率切线法测定截止波长（cut-off wavelength，threshold wavelength），进而计算截止能量和该点的Zn组份。绘制了晶片表面的组织图，以及晶锭轴向剖面的Zn组份等高线图。实验结果表明：ACRT方法显著改善晶体组份的轴向偏析和径向偏析，晶锭中部存在两个Zn组份轴向和径向皆均匀的区域，分别约占晶锭体积的37％和16％，对应于两个大的单晶晶粒，大部分区域Zn组分径向偏析几乎完全消失。     

区熔法制备Al_2O_3/MgAl_2O_4共晶陶瓷

利用感应区熔法制备了Al2O3/MgAl2O4共晶陶瓷。当坩埚壁温为2150℃、行走速度为5 mm/h时,获得了10 mm×104 mm表面光滑的圆棒。结果表明共晶陶瓷由Al2O3相和MgAl2O4相组成,分别按照(110)(311)晶面生长;Al2O3相为基体相,MgAl2O4相以非连续的片状均匀地分布在基体相之中。定向凝固共晶陶瓷的密度是理论值的99%;硬度和断裂韧性分别达到18.7 GPa和3.74 MPa·m1/2,约是预烧结体的2倍。气孔和界面非晶相的消失以及以单晶形态存在的Al2O3基体相,有效提高了材料的硬度和断裂韧性。     

晶体生长用石英玻璃管镀膜工艺的正交实验研究

运用正交设计,对CdZnTe晶体生长用高纯石英坩埚内壁镀膜过程中的镀膜温度、镀膜时间、气体流量、冷却时间四个因素进行了研究和优化.用金相显微镜,扫描电镜观察分析了不同镀膜工艺条件下得到的碳膜表面形貌,用WS-2005自动划痕仪对碳膜与石英管壁之间的结合力进行了测试.实验结果表明,镀膜温度对碳膜质量影响最为显著,其次是镀膜时间,再次为冷却时间,而气体流量对碳膜质量的影响甚小.镀膜工艺的优化参数:镀膜温度为1010 ℃,气体流量为6 L/h,镀膜时间为4 h,冷却时间为18 h.该工艺参数得到的碳膜较为均匀,且与石英管壁结合强度高.     

支撑液膜在线萃取富集流动注射荧光光度法测定水中痕量苯酚

选用无毒性的磷酸三丁酯为流动载体, 煤油为膜溶剂的液膜萃取体系, 建立了支撑液膜在线萃取富集流动注射荧光光度法测定水中痕量苯酚的新方法. 对实验条件进行了优化. 方法的检出限为0.4 μg/L, 线性范围为1～180 μg/L.     

非稳态不可压缩自由表面粘性流体的三维数值计算

扩展了相对体积算法，计算了变速旋转的敞口圆筒内水的真实非稳态流动。采用了原始变量、交错非等分网格和显式迭代。计算结果与实验现象相吻合。当圆筒长时间等速旋转，其内流体与筒体一起作刚性旋转时，计算自由表面形状与流体力学理论公式的预言吻合得很好。     

PEDOT:PSS薄膜的山梨醇掺杂对光电池性能的影响

采用共混-旋涂技术在ITO导电玻璃上制备出经山梨醇掺杂的PEDOT:PSS导电膜,将所制得的薄膜作为空穴传输层用于有机太阳能电池研究.通过对比分析掺杂前后光电池暗电流曲线与光电流曲线的变化,考察了山梨醇掺杂对器件光伏性能的影响,并就其中的影响机理进行了讨论分析.结果表明,山梨醇的加入,可以明显提高光电池的短路电流,填充因子以及能量转换效率.较未掺杂器件,8wt %山梨醇掺杂条件下,器件短路电流由8.82 mA/cm²增加至11.27 mA/cm²,FF由0.43 关键词： PEDOT:PSS薄膜 山梨醇 有机太阳能电池 性能