射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．     

Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光

本文首次研究了掺杂Ｔｍ（０．１）Ｙｂ（１０．９）氟氧化物玻璃陶次居９６６ｎｍ半导体激光激发下的直接上转换敏化发光现象。测量艰现存在很强的＾１Ｇ４→＾３Ｈ６的４７７ｎｍ的三光子和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的７９９．５ｎｍ双光子上转换荧光以及较弱的＾１Ｄ２→＾３Ｈ６的３６１ｎｍ,＾１Ｄ２→＾３Ｈ４的４４９．５ｎｍ,＾１Ｇ４→＾３Ｆ４的６４７．０ｎｍ和＾３Ｆ３→＾３Ｈ６的多个上转换发光。     

氟锆酸盐玻璃中Tm^3＋离子的红外光谱性质

根据Ｔｍ＾３＋离子有吸收光谱，计算在氟锆酸盐玻璃中的＾Ｔｍ＾３＋的Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ参数和工外跃迁＾３Ｆｉ→＾３Ｈ４，＾３Ｈ４→＾３Ｈ６和３Ｆ４→＾３Ｈ５ 发跃迁几率，研究了Ｔｍ＾３＋的红外发射光谱的交叉驰豫过程，讨论了离子浓度对红外发光强度的影响，并讨论了这些跃迁的发射截面。     

970nmLD激发Tm^3＋,Yb^3＋掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究

设计并制备了一种Ｔｍ＾３＋、Ｙｂ＾３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料,其组份为５０ＴｅＯ２－１４．ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３。测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱,在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色我,光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ６的跃迁,同时,还有两个较弱的红色发射源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

Tm^3＋—EDTA—H2C2O4溶液荧光体系的研究

本文首次找到了Ｔｍ＾３＋－ＥＤＴＡ－Ｈ２Ｃ２Ｏ４溶液荧光体系，发现Ｔｍ＾３＋在这个体系中能发出特征的荧光光谱对应于能级１Ｇ４→＾３Ｈ６的跃迁。同时对这个体系的溶液特性，发光机理以及分析应用分别进行了研究。该体系稳定性好，离子干扰小，操作简便，对于深入研究Ｔｍ＾３＋的荧光光谱和分析应用都是非常有意义的。     

Tm^3＋掺杂的MFT玻璃上转换发光及光学增益

报道了一种新型ＭＦＴ（Ｍｕｌｔｉ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ－Ｔｅｌｌｕｒｉｄｅ）玻璃材料（组份为５０ＴｅＯ２－１９．７ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ－０．３Ｔｍ２Ｏ３）的制备方法,测量了６５０ｎｍ激发下Ｔｍ＾３＋离子掺杂在ＭＦＴ玻璃材料中源于＾１Ｄ２→＾３Ｈ６（４７６ｎｍ）跃迁的两组蓝色上转换发光研究了上转换发光强度随激光率的变化关系,并且首次应用ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ     

KAIF4：Ce,Gd磷光体的荧光特性及能量传递

采用溶液反应和固相反应,分别合成了ＫＡＩＦ４基质化合物及ＫＡＩＦ４：Ｇｄ、ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ等磷光体,研究了它们的光谱特性。结果表明,ＫＡＩＦ４：Ｇｄ无认顷皮或长波紫外辐激发下,均无任何吸收和发射。在ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ中,Ｃｅ＾３＋离子能有效地将能量传递给Ｇｄ＾３＋离子,使Ｇｄ＾３＋产生了特征锐发射,具发射强度很大。但当Ｃｅ＾３＋浓度固定不变,改变Ｇｄ＾３＋的＾６Ｐ１／２→＾８Ｓ７／２发射     

Ca0.9Sr0.1S:Bi3+,Tm3+荧光材料的光学性质

Ｃａ０．９Ｓｒ０．１Ｓ：Ｂｉ＾３＋,Ｔｍ＾３＋是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了４４０ｎｍ和５２０ｎｍ发射的激发谱,２５０ｎｍ到３５０ｎｍ的激发的发射谱,以及４００ｎｍ到５２０ｎｍ的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明,Ｃａ０．９Ｓｒ０．１Ｓ：Ｂｉ＾３＋,Ｔｍ＾３＋有两个主要的能量传递体系,３２５ｎｍ的复合掺杂中心Ｔｍ＾３＋的ＣＴ跃迁激发体系,和Ｂｉ＾３＋的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱     

LaCl3：Pr^3＋,U^3＋中能量上转换机理的研究

首次在ＬａＣｌ３：Ｐｒ＾３＋，Ｕ＾３＋中观察到了能量上转换现象，当用６１５．４ｎｍ的红光激发时，ＬａＣｌ３：Ｐｒ＾３＋，Ｕ＾３＋有很强的蓝光以射，反斯托克斯荧光来自于Ｐｒ＾３＋的＾３Ｐ０→＾３Ｈ４的跃迁，主峰位于４８９．２ｎｍ。通过测量上转换荧光的发光衰减曲线以及发射强度对激发光强度的信赖关系，发现能量上转换是通过两个过程实现的，一是Ｕ＾３＋到Ｐｒ＾３＋的交叉弛豫能量传递Ｕ＾３＋：＾４Ｉ１１／２（     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

YAG晶体中Cr~（3＋）→Tm~（3＋），Er~（3＋）→Tm~（3＋）的能量

研究了加入敏化离子Ｃｒ３＋和Ｅｒ３＋的Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的吸收谱和荧光谱，计算了Ｃｒ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋离子的２Ｅ、４Ｉ１３／２、３Ｆ４能态的平均寿命及能量；转移效率、转移速率．得出Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋转移效率为８０％，转移速率为２．１×１０３ｓ－１．由（Ｅｒ，Ｔｍ）：ＹＡＧ的荧光谱可见存在Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋的有效的能量转移．讨论了Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋和Ｅｒ３＋→Ｔｍ３＋能量转移的不同．     

798 nm半导体激光激发下Yb3+, Tm3+:ZBLAN玻璃的上转换发光

在用７９８ｎｍ半导体激光直接激发Ｔｍ＾３＋离子至＾３Ｆ４能级时,Ｔｍ＾３＋和Ｙｂ＾３＋共掺的锆系氟化物（Ｔｍ＾３＋,Ｙｂ＾３＋;ＺＢＬＡＮ）玻璃中观测到了较强的上转换蓝光。分析了发光机理：Ｔｍ＾３＋离子把能量传递给Ｙｂ＾２＋离子,被激发的Ｙｂ＾３＋离子又把能量传递给Ｔｍ＾３＋离子,从而把Ｔｍ＾３＋激发至发射蓝光的能级＾１Ｇ４和＾１Ｄ２。对这种泵浦机制的特点进行了讨论。     

铥配合物的红外有机电致发光

合成了两种三价铥配合物,并将其制成双层结构器件。首次得到了直流低压驱动下,来自铥离子＾３Ｈ４→＾３Ｈ６电子跃迁红外（ＩＲ）发光。     

Tm^3＋和Yb^3＋共掺五磷酸盐非晶中的间接敏化上转换

本文报道在约７９８ｎｍ的半导体激光泵浦下，Ｔｍ＾３＋，Ｙｂ＾３＋共渗五磷酸盐非晶的蓝光发射。激光被样品吸收而直接激发Ｔｍ＾２＋离子至＾３Ｆ４能级。从Ｔｍ＾３＋向Ｙｂ＾３＋的能量传递，接着从Ｙｂ＾３＋向Ｔｍ＾３＋的能量传递把Ｔｍ＾３＋离子激发至＾１Ｇ４能级。分析表明，声子在上转换过程中起了很大作用。     

掺稀土离子的CaS：Bi荧光粉的发光性质

采用固相反应法合成了单掺和双掺稀土离子Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的ＣａＳ：Ｂｉ荧光粉，测定了试样的荧光光谱和有效余辉。与ＣａＳ：Ｂｉ相比，掺入Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的荧光粉，Ｂｉ３＋特征发射峰４４７ｎｍ增强，有效余辉延长。表明Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对Ｂｉ３＋在ＣａＳ中的发光产生了敏化作用，Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋在基质晶格中造成了缺隙深能级，讨论了Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对ＣａＳ：Ｂｉ发光敏化作用的大小和在基质中造成缺隙能级。的深浅。     

Ce3+,Tb3+氟化物磷光体的发光性质比较

采用溶液反应和固相反应分别合成了Ｋ３ＡｌＦ６基质化合物及ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体,研究了它们的光谱特性,并与ＫＡｌＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣａＦ２：Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体的发光特性进行了比较。结果发现,ＣａＦ２：Ｃｅ,Ｔｂ、ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ、ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递不能有效进行,有时Ｔｂ＾３＋起     

YAG晶体中Tm^3＋离子的荧光特征分析

计算了ＹＡＧ晶体中Ｔｍ＾３＋离子辐射跃迁几率Ａｉｊ，无辐射跃迁几率Ｗｉｊ，交叉弛豫几率Ｐ，荧光寿命τｉ和荧光分支比βｉｊ等荧光特征参量，并利用这些值及跃迁速率方程讨论了＾３Ｆ４能级荧光强度与掺杂浓度的关系，得出当激发光的泵浦速率从１０＾２～１０＾６ｓ＾－１时，Ｔｍ＾３＋离子的最佳相对浓度Ｘｏｐ在４．９～６．４％之间。     

氟锆酸盐玻璃中Tm^3＋和（Tm^3＋＋Ho^3＋）离子的光谱研究

给出氟锆酸（ＺＢＬＡＮ）玻璃中＾Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子的Ｑｔ参量，并与氧化物玻璃中Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋的Ｑｔ参量进行了比较，用３７５ｎｍ和４６８ｎｍ波长激发单掺ＺＢＬＡＮ中Ｔｍ＾３＋离子，获得来自Ｄ，２，＾３Ｈ４，Ｇ４能级不同发射波长的发光强度随掺杂浓度的变化，而用小于１μｍ的激发波长激发发单掺Ｔｍ＾３＋或Ｈｏ＾３＋样品，获得近红外区发射光谱。文中给出掺杂浓度对于Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾＋近红外区