高剥离类镁等电子序列的磁偶极MI和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法,系统地计算了类镁离子3s3p 磁偶极M1 3 P2-3P1 和电四极E2 3 P2-3P0(Z=20～103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度.计算中考虑了原子核的有限体积效应,进行了高阶Breit修正和QED修正,所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较.计算结果表明高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温激光等离子体中,磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视.     

高剥离类钠离子3s2S—3d2电四极矩E2光谱跃迁的理论计算

 利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级方法系统地计算了高剥离类钠离子3s²S—3d²D(Z=14～103）电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔，跃迁几率和振子强度，计算中考虑了核的有限体积效应，Breit修正和QED修正，所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较，计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的电四极矩E2光谱跃迁的跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中，电四极矩E2光谱跃迁过程不容被忽视。     

高离化类铍离子2s2 1S0-2s2p 1P1(Z=10～103)光谱跃迁

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统地计算了高离化类铍离子2s2　1S0-2s2p1P1(Z=10～103)跃迁的能级间隔和跃迁几率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,结果表明：高原子序数的高荷电离子的跃迁几率明显超过了中性原子的电偶极E1的跃迁几率,在ICF和MCF高温激光等离子体中,电偶极E1跃迁几率过程相当强烈。     

类硼等电子序列磁偶极M1 1s^22s^22p^2P_(3/2)—~2P_(1/2)能级间隔和光谱跃迁

采用相对论量子力学GRASP2程序,扩展平均能级EAL模型,有限核模型,考虑Breit和QED的高阶微扰修正,系统地研究了类硼等电子序列磁偶极M11s22s22p2P3/2—2P1/2(Z=10～100)光谱跃迁的精细能级结构间隔,跃迁概率和振子强度,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明:在ICF高温高密度激光等离子体中磁偶极矩M1跃迁几率过程不容被忽视。     

类镁离子3s2 1S0-3s3p 3P1(Z=14～103)跃迁的相对论多组态研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统计算了高剥离类镁离子互组合线3s2 1S0-3s3p 3P1(Z=14～103)光谱跃迁的能级间隔和跃迁几率.计算中考虑了重要核的有限体积效应及Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较.结果表明,高原子序数的高荷电离子跃迁的互组合线跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当.在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中,互组合线跃迁几率过程不容被忽视.     

类镁离子3s^2^1So—3S^3P^3P1（Z=14—103）跃适的相对论多组态研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级（MCDF-AL）方法系统计算了高剥离镁离子互组合线3s^2^1So-3S^3P^3P1(Z=14-103)光谱跃迁的能级间隔和跃迁几率，计算中考虑了重要核的有限体积效应及Breit修正和QED修正，所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较，结果表明，高原子序数的高荷电离子跃迁的互组合线跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中，互组合线跃迁几率过程不容被忽视。     

Be,Mg和Ca原子电四极矩E2~1D—~1S跃迁的能级和跃迁概率

利用多组态DiracFock广义扩展平均能级(MCDFEAL)方法系统地计算了重要的中性原子Be,Mg和Ca单光子电四极矩E21D—1S光谱跃迁的能级间隔和跃迁概率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较.此外还从理论上预言了Ba和Mg单光子电四极矩E21D—1S光谱跃迁概率过程,在库仑规范中,跃迁概率A(Be)=38849s-1,跃迁概率A(Mg)=23572s-1和跃迁概率A(Ca)=481s-1.     

类钾离子组态3p63d磁偶极矩M1光谱跃迁

采用全相对论量子力学GRASP^2程序、广义平均能级EAL模型，在核的有限体积效应、Breit和QED效应的高阶扰动基础上，考虑到原子实的极化，系统地计算了高剥离类钾离子组态3p^6d(Z=22-42）磁偶极矩M1光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度，计算中选取4个非相对论输入组态3p^63d^1,3p^64s^1,3p^54s3d,3p^54s^2，将计算结果和最近文献的实验值进行比较，结果表明，考虑原子实极化效应后，计算的精细能级结构间隔与实验数据之间的系统误差基本消除。     

类锂离子(Z=3～100)磁偶和电偶的跃迁几率和能级间隔的相对论计算

采用全相对论多组态Dirac-Fock方法，分别计算了类锂离子（Z＝3－100)的磁偶跃迁1s^23s^2S1/2→1s^22s^2S1/2和电偶跃迁1s^2p^2P1/2→1s^22s^2S1/2的能级间隔，QED贡献和跃迁几率，比较了两者的参数与核电荷数Z的关系的差异，认为原子序数很大时，磁偶跃迁几率不能忽视。     

类镁离子3s21S0-3s3p1P1(Z=15～103)光谱跃迁的能级和跃迁几率的相对论多组态计算

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统地计算 了高离化类镁离子3s21S0-3s3p1P1(Z=15～103)跃迁的能级间隔和 跃迁几率，计算中考虑了重要的核有限体积效应，Breit修正和QED修正，所得结果和最近的 实验数据及其它理论计算值进行了比较。     

LiIO_3_KIO_3赝二元系相图

本文用粉末固态烧结法、水溶液蒸发法和熔融法对LiIO_3_KIO_3 系统可能存在的二元化合物进行合成. 二元化合物Li_2_K (IO_3_）_3_属单斜晶系; 简单单斜布喇菲点阵. 并确定其存在的成份范围和条件.a=11.127埃，b=11.092埃,c=8.243埃, 角度等于110°30′,z=4 同时测定了LiIO_3_KIO_3系统平衡态时亚稳态的相图. 关键词：     

脱水淫羊藿素-3-O-甙类化合物的核磁共振谱研究

用远程¹H-¹³C COSY (HMBC)技术研究了从朝鲜淫羊藿中分离出的二个脱水淫羊藿素-3-O-甙类化合物,朝藿甙A和箭藿甙B,确定了其骨架碳的化学位移.并重新评估了前期文献对该类化合物C-5、C-7和C-4'信号的归属.     

脱水淫羊藿素─3─O─甙类化合物的核磁共振谱研究

用远程１Ｈ－１３ＣＣＯＳＹ（ＨＭＢＣ）技术研究了从朝鲜淫羊藿中分离出的二个脱水淫羊藿素─３－Ｏ－甙类化合物，朝藿甙Ａ和箭藿甙Ｂ，确定了其骨架碳的化学位移．并重新评估了前期文献对该类化合物Ｃ－５、Ｃ－７和Ｃ－４′信号的归属．     

THE U(3) ANOMALY

The U(3) anomaly will be given based upon the geometrical and topological method which was used in deterurinating the anomalies for SU(N) and SO(N) gauge fields. It is shown that both the non-Abelian and the Abelian anomaly can be derived in unified treatment from the third Chern class and corresponding Chern-Simons secondary class of the U(3) group.     

LaGaO3:RE3+(RE3+=Eu3+,Ho3+)的光谱

本文用固态反应合成了钙钛矿型的LaGaO3和LaGaO3:RE3+(RE3+=Eu3+,Ho3+)荧光体,并观察了物相随不同的激活离子浓度的变化。测量了化合物在室温下的反射光谱,激发光谱和荧光光谱。研究了Eu3+的D0→7F2和Ho3+的5S2→5I8的荧光强度与激活离子浓度的关系,发现了浓度猝灭,并得到了最大荧光强度的浓度值。     

Poly-3BCMU 薄膜光漂白过程的理论模型

本文报道了使用两种不同漂白光源时,Poly-3BCMU薄膜的光漂白过程,并建立了描述漂白过程的理论模型.最后讨论了采用光漂白方法制备导波微光学元件的可能性.     

压力对TlPbxBaCa3Cu3O超导电性的影响

 在零电阻温度T_c0达到120 K的TlBaCa₃Cu₃O_y超导体中，掺入不同含量的Pb后，超导电性受到抑制，点阵常数减小。加压时，T_c先随压力p的增加而上升，样品1（x_Pb=0.05）的dT_c0/dp=1.7 K/GPa，样品2（x_Pb=0.5）的dT_c0/dp=2.2 K/GPa。T_c的峰值随Pb的增加而减小。加压时，对由于Pb的加入引起的Cu—O层的精细结构变化起到调制作用。     

BaBi1-xPbxO3体系的物理性质研究

采用固态反应法制备了一系列BaBi1-xPbxO3（x：0～1）多晶并测定了其晶体结构和相应的物理性质．粉末法测得的X射线衍射所得的晶体结构与粉末中子衍射结果一致，晶体经历了从单斜晶系（O≤x〈0．1）、到正交晶系（0．1≤x〈0．65）、再到四方晶系（0．65≤x〈0．9）、最后到正交晶系（0．9≤x≤1．0）的转变．发现随着四价阳离子铅对铋的掺杂替代导致晶胞参数在半导体区域减小，而在超导区域振动变化，这归结于Bi^3＋和Bi^5＋被Pb^4＋的取代和呼吸模型Bi（Bb）O6的作用，从而证明了Bi两种价态的存在．电阻率的测量结果表明样品的电性与晶体结构和生长环境紧密相关，但氧缺陷不是主要因素．最佳掺杂区在x=0．75，其超导临界温度约为9K．掺杂区0≤x≤0．3的样品既可用本征半导体解释，也可用3D变程跃迁解释．在半导体区用3D变程跳跃解释时，lnρ～T^-1／4的斜率连续减小，说明掺杂改变了态密度或定域化长度．样品的金属一半导体转变可用交叠能带解释．拉曼光谱的测量结果表明改变入射激光的频率并不影响各拉曼峰的强度．随Pb的掺杂，BiO6八面体的呼吸模数逐渐减少，同时晶体的无序程度增强．超导温度与Bi（Bb）O6模的形变势的强弱无关，但受其频移的影响．     

KCdF3:Cr3+晶体EPR零场分裂参量与电荷补偿效应的研究

按照叠加模型与EPR零场分裂参量的三阶微扰理论,建立了KCdF₃:Cr³⁺晶体EPR零场分裂参量与四角对称Cr³⁺-Cd²⁺缺陷中心局域结构之间的定量关系.证实Cd²⁺空位与晶格畸变的存在,我们获得:围绕Cr³⁺离子的六个F^-配体分别向中心Cr³⁺移动Δ₁=0.00294nm,Δ₂=0.0010nm,Δ₃=0.0028nm (参见图2).EPR零场分裂参量与实验一致表明:Cd²⁺空位与晶格畸变的假设是合理的.尽管四角晶场主要来自Cd²⁺空位,但晶格畸变的贡献不可忽略.     

用转移函数方法研究铒离子上转换发光与抽运功率的关系

用转移函数方法分析了铒离子上转换发光与抽运功率的关系.对单掺铒离子的发光材料,对比分析了铒离子为高浓度和低浓度掺杂时上转换发光强度与抽运功率的关系.对稀土离子共掺杂系统,分析了Er3+在铒镱共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中的上转换发光过程,认为Er3+绿色辐射的上转换发光强度与抽运激光功率的非平方关系是由于Er3+和Yb3+之间的强交叉弛豫过程引起的.讨论了在稀土离子共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中提高Er3+的上转换发光强度的几种方法. 关键词： 转移函数方法 上转换发光 氟氧化物玻璃陶瓷