纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

光敏电阻基本特性测量实验的设计

介绍了测量CdS光敏电阻的伏安特性和光照特性的实验方法，并给出了相应的实验结果。     

聚4—氨基联苯溶液的性质

本文报导了聚4-氨基联苯的电化学合成,测定了它的ESR、IR及紫外可见光谱。聚合物在THF、DMF和DMSO中能全部溶解。界面移动法测得聚4-氨基联苯的DMF饱和溶液中正离子的迁移率为1.48×10~(-8)m~2·S~(-1)·V~(-1)。     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

任意多阶梯度场强毛细管凝胶电泳中谱带的迁移和展宽

在自行制备的毛细管凝胶电泳柱上，通过实验考察毛细管凝胶电泳（ＣＧＥ）中场强（Ｅ）和组分迁移率（μ）的关系，发现在一般ＣＧＥ使用的场强范围内，μ随Ｅ增大而成近似线性的增加。并讨论了产生这种现象的原因。以此为基础提供了任意多阶梯度场强毛细管凝胶电泳中组分的迁移时间和距离的计算公式，用于编制计算机程序。     

MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测

为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。     

Modified Ceria-Zirconia Fluorite-Like Catalysts for the Combustion of Methane

For dispersed ceria-zirconia-based solid solutions prepared via the polymerized complex method and annealed at 700℃, effects of bulk doping by Ca, Mn, Co, Bi or Nb cations and surface modification by Mn and Pt on their structural features, surface/bulk oxygen reactivity and catalytic activity in methane combustion are considered. With up to 20 mol% doping, a structural type of homogeneous solid solutions of anion-deficient fluorite with disordered anion vacancies is formed. Doping by transition metal cations or Pt increases the mobility and reactivity of the surface/bulk oxygen. A broad variation in specific rates of methane combustion for the studied systems was observed, suggesting structural sensitivity of this reaction. In general, there is no universal relationship between the oxygen mobility, the reactivity and the catalytic activity in methane combustion, which is explained by the factor of specific methane activation on surface active sites. For the Pt-promoted samples, Pt efficiency in methane activation depends on the Pt-support interaction, and the most favorable ones being mixed Pt/MnOx and Pt/NbOx clusters on the surface of the supports that exhibit high lattice oxygen mobilities.     

有机单晶场效应晶体管

有机单晶场效应晶体管的研究对于探索电子的本质特性具有十分重要的意义。近几年来，不管是在制备技术还是在器件性能的研究方面，有机单晶场效应晶体管均取得了很大的进步，并由此引起了社会的广泛关注，成为场效应晶体管领域的一个重要研究方向。本文主要介绍了有机单晶的生长方法、有机场效应器件的各种制备技术、器件的迁移率及其影响因素，并对有机单晶场效应晶体管的发展前景和面临的一些问题作了简要的讨论。