过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词： 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积     

现代物理信息

 NATURE《自然》1991年.1.G.J.Fishman等《用长时间曝光设备在宇宙飞船表面观测⁷Be》349卷6311期沿轨道运行的人造卫星上的长时间曝光设备,在空间差不多6年,最近返回地球,从放射性的测量中,在长时间曝光设备的前沿,找到了一定数量的同位素⁷Be.本文的测定,可以把⁷Be作为外大气层示踪物以及空间表面相互作用研究的应用.     

CO（ a）+ NO（X）传能体系中的新传能通道

在相对碰撞平动能为 0 .0 5eV的分子束实验条件下 ,研究了亚稳态CO(a) +NO(X)的E E传能通道 .通过测量和分析交碰区的传能发射光谱 ,在 780和 860nm处观测到了NO(b -a)跃迁Ogawa带的△v =+ 4和△v =+ 3序的发射光谱 .从而首次在实验上直接证实了传能过程中第四通道的存在 (CO (a) +NO(X)→CO (X) +NO(b) ) .这一通道的发现解释了前人测量到的在CO(a)与NO(X)碰撞传能过程中CO(a)的猝灭速率远大于NO(A ,B)生成速率的实验结果 ,并进一步证实了这一“经典”E E传能体系为电子交换机理的传能观点     

DV4型光谱仪两种故障的处理

美国ＢＡＩＲＤ公司生产的ＤＶ4光谱仪 ,在ＣＭＵ 2 0元素板上有 8个通道 ,元素板的总数由仪器中的光电倍增管总数决定 ,最多可分析 32个元素。我公司自 1986年以来 ,先后购进两台美国ＢＡＩＲＤ公司生产的ＤＶ4光谱仪。该仪器具有自动化程度高、选择性好、操作简单 ,分析速度快 ,可同时进行多元素定量分析 ;校准曲线线性范围宽 ,精度高 ,检出限低。我公司该仪器主要用于转炉、电炉钢包钢样的化学成分 (碳、硅、锰、磷、硫、镍、铬、铜、锡、钼、钒 )分析。在使用过程中出现过一些故障 ,均妥善地进行了处理并解决了存在的问题。以下为典型故…     

基于压缩全息和空分复用的多彩色图像加密

针对现有光学加密方法进行彩色图像加密时加密容量低、解密图像失真度高等问题,提出一种基于压缩全息和空分复用的多彩色图像加密方法.在光学加密阶段,结合改进的Mach-Zehnder干涉仪与空分复用技术,通过不同的随机相位掩膜对多幅彩色图像进行同时加密,仅需单次曝光即可得到由多幅彩色图像加密的全息图.在解密过程中,由于记录全息图的过程可建模为压缩感知过程,使用两步迭代收缩/阈值算法即可求解.实验结果表明,提出的加密系统加密容量大,解密重建图像质量高,结合压缩感知理论,有效地消除了同轴全息中平方场项对解密重建性能的影响,解密图像平均峰值信噪比仅下降约2～5dB;密钥安全性高,随机相位掩膜与传播距离均起到密钥的作用,在随机相位掩膜错误或传播距离仅偏移0.25%时,便无法解密出原始彩色图像;且对噪声与遮挡性攻击具有良好的鲁棒性,解密重建性能随噪声增大下降趋势缓慢,加密全息图80%信息受到遮挡性攻击时,仍可取得良好的解密重建结果.     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。     

曝光系统离焦对平面全息光栅衍射波前的影响

波前像差是衍射光栅的重要技术指标，它直接影响光栅的分辨率。由光致刻蚀剂记录两束相干光干涉条纹是制作全息光栅的关键步骤。为了提高全息光栅曝光系统调整精度、减小离焦、降低光栅的衍射波前像差，从离焦对反射球面准直镜的准直光平行度的影响程度出发，分析了准直光平行度对全息光栅衍射波前像差的影响。理论分析和数值模拟结果表明，准直镜调整误差直接决定全息光栅衍射波前像差大小。以3种不同刻线密度光栅为例，得出了准直镜调整误差的允许变化范围。     

自动实时激光全息无损检测系统

介绍一种自动激光全息无损检测系统。该系统由计算机控制自动曝光，并对全息干版进行自动冲洗和对测量数据进行处理，解决了一次曝光激光全息实时检测中全息干版无法精确复位的问题。计算机控制真空加载，缺陷大小及位置由计算机打印输出，一次最大测量面积为０５ｍ×１２ｍ，最小分辨缺陷尺寸为３ｍｍ。     

用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系

 为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系，根据抗蚀剂的灵敏度曲线，采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验，将计算值进行曲线拟合，得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20~35 μC/cm²间时，实验值与计算值间的差值最小，说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系。采用该方法节省了实验时间，提高了刻蚀效率。