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1.
缓发中子有效份额βeff是反应堆动态特性的重要参数,也是相对反应性与绝对反应性之间的转换桥梁,对于以反应性作为宏观参数的检验工作具有重要意义。测量采用基于Rossi-α方法的Nelson数法开展了快临界装置βeff的实验研究。通过采用铅屏蔽、更薄的6Li玻璃闪烁体、脉冲幅度甄别三种措施,降低了γ射线对测量的影响。实验中测量了反应堆从-60¢到缓发临界之间的7个状态,最终测量得到βeff值为0.006 66,不确定度为7.88%;与理论计算数值偏差为2.15%。测量结果与理论值符合良好,表明了测量方法的有效性。  相似文献   
2.
依托中国先进研究堆(CARR)高通量中子源,建成了初具规模的中子科学平台,具备中子散射、中子成像和中子活化分析等多种研究技术。其中,中子散射技术包括中子衍射、小角中子散射及中子反射、非弹性中子散射,可以用于分析材料微观结构和动力学性质;热中子成像和冷中子成像可以用于材料内部缺陷等无损检测;中子活化分析系统可以用于物质内核素成分分析。目前已建成和在建中子谱仪共计19台,并初步配备了样品环境装置,为相关应用研究提供了条件基础,可为我国物理、化学、材料科学、生命科学、能源和环境等领域基础研究及工业应用提供重要技术支撑。CARR中子科学平台始终坚持合作共享对外开放的宗旨,将继续为国内外用户提供优质中子技术,服务基础科学前沿和国家重大创新需求研究。  相似文献   
3.
假设^13C是单粒子的2p态的结构,用Glauber多重散射理论研究了入射能量为1GeV的质子在^13C上的弹性散射,得到了与实验符合得很好的理论结果。这说明^13C可能存在着一个类晕的中子皮。  相似文献   
4.
5.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.  相似文献   
6.
杨昌平  周智辉  王浩  K. Iwas  M. Kohgi 《物理学报》2006,55(12):6643-6646
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 关键词: 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体  相似文献   
7.
用MCNP程序和ENDF/B—VI库数据计算了Livermore的^6 Li探测器的中子探测效率,并与国外发表的^6Li玻璃的探测效率数据进行比较,结果基本一致,表明本实验室的计算方法是正确的。  相似文献   
8.
为了获得脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应,编制了适合裂变中子测量探测系统灵敏度能响的一系列专用程序,研究了相应的实验标定技术,采用理论计算和实验验证相结合的方法,对几套探测系统中子灵敏度能量响应进行了研究,初步解决了标定需要的“单能、脉冲、高强度、多个不同能量的中子源”问题,使不确定度大大提高,满足了测量的要求。  相似文献   
9.
符合计数的测量量为总中子计数和符合计数,而未知量有(α,n)中子与自发裂变中子之比α、泄漏增殖系数M1以及钚-240的质量。符合计数与源中子泄漏复度分布的二阶矩成正比。对MCNP程序进行修改,加入自发裂变源与(α,n)中子源的跟踪功能,直接得到了中子泄漏复度分布的二阶矩。  相似文献   
10.
浮栅ROM器件辐射效应机理分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词: FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">60Co γ 总剂量效应  相似文献   
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