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1.
使用Galerkin方法,结合Sobolev空间理论和不等式技巧,给出了广义神经传播方程解的存在唯一性定理,然后利用吸引子存在性定理,采用半群方法证明了方程整体吸引子的存在性. 相似文献
2.
《中国物理 B》2021,30(5):56501-056501
Thermal expansion control is always an obstructive factor and challenging in high precision engineering field. Here,the negative thermal expansion of Nb F_3 and Nb OF_2 was predicted by first-principles calculation with density functional theory and the quasi-harmonic approximation(QHA). We studied the total charge density, thermal vibration, and lattice dynamic to investigate the thermal expansion mechanism. We found that the presence of O induced the relatively strong covalent bond in Nb OF_2, thus weakening the transverse vibration of F and O in Nb OF_2, compared with the case of Nb F_3.In this study, we proposed a way to tailor negative thermal expansion of metal fluorides by introducing the oxygen atoms.The present work not only predicts two NTE compounds, but also provides an insight on thermal expansion control by designing chemical bond type. 相似文献
3.
4.
Kenny Pruitt 《International Journal of Mathematical Education in Science & Technology》2018,49(6):944-947
The purpose of this paper is to consider analogues of the twin-prime conjecture in various classes within modular rings. 相似文献
5.
6.
We consider a Schrödinger operator on , where V is a real-valued measurable function, and give an explicit and simple characterization of intrinsic ultracontractivity (IU) of the Schrödinger semigroup generated by L for a wide class of potentials. By making use of it, we also give new examples of potentials for which the semigroups satisfy (IU) or non-(IU). 相似文献
7.
二氧化钒(VO2)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(TMIT)的调控一直是研究热点。本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO2薄膜TMIT的影响,并尝试解释其内部作用机理。在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO2薄膜。研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于TMIT的提高(本课题TMIT最大可达84.7 ℃)。TMIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难。 相似文献
8.
弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT 单晶的三方-四方相变温度(TRT)约为160 ℃,居里温度(TC)约为260 ℃,室温压电系数d33、d31、d15分别为1 340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数εT33、εS33、εT11、εS11分别为2 700、905、2 210、1 927,机电耦合系数 k33、k31、k15、kt分别为 87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d33)和纵向机电耦合系数(k33)小于 PMN-PT 单晶,但是横向压电性能(d31)和剪切压电性能(d15)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150 ℃以下有较好的温度稳定性。 相似文献
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