相变材料介质阻断电池热失控传播特性研究

针对锂离子电池热失控传播问题,以石蜡/膨胀石墨复合相变材料为电池模组热管理介质,建立电池热失控传播二维数值计算模型。通过改变膨胀石墨与石蜡的质量分数得到不同导热系数与相变焓的复合材料,探究关键设计参数对电池热失控传播的阻断特性。研究结果表明相变材料能够有效延缓甚至阻断热失控的传播,当导热系数较低或较高(如0.3和21.01 W·m^-1·K^-1)时皆能阻断热失控传播,对于中间导热系数材料的模组,首次热失控传播时间间隔随导热系数升高而增加,而后续传播间隔随着导热系数升高而减小。     

键阻断原理构建中孔A型沸石

采用不同类型的有机硅烷化SiO2作为基本合成单元,制备了具有晶内中孔的A型沸石。考察了反应碱度、Si/Al比、晶化时间等合成条件对产品的影响。结果表明,苯胺基丙基三甲氧基硅烷是合成中孔A型沸石的最佳硅烷化试剂;硅烷化试剂的应用,使中孔沸石晶化过程可以通过"键阻断原理"有效控制;沸石的中孔尺寸可以通过不同类型的有机硅烷化试剂进行调控;一定范围内,其外比表面积、中孔体积随SiO2表面硅烷化度的增加而增加。通过沸石晶化过程中的"键阻断",可以制备具有晶内中孔的A型沸石。     

键阻断原理构建中孔A型沸石

采用不同类型的有机硅烷化SiO₂作为基本合成单元, 制备了具有晶内中孔的A型沸石。考察了反应碱度、Si/Al比、晶化时间等合成条件对产品的影响。结果表明, 甲氨基丙基三甲氧基硅烷是合成中孔A型沸石的最佳硅烷化试剂;硅烷化试剂的应用, 使中孔沸石晶化过程可以通过“键阻断原理”有效控制;沸石的中孔尺寸可以通过不同类型的有机硅烷化试剂进行调控; 一定范围内, 其外比表面积、中孔体积随SiO₂表面硅烷化度的增加而增加。通过沸石晶化过程中的“键阻断”, 可以制备具有晶内中孔的A型沸石。     

硫化砷非晶态波导光阻断效应的机理研究

在实验研究了As₂S₈和掺杂As₂S₈薄膜波导光阻断效应的基础上,讨论了反常电子组态的形成机理和转移机理,提出了光阻断效应切断过程和回复过程的动力学模型,数值分析结果与实验数据十分符合,理论预期与实验现象一致,表明该模型抓住了光阻断效应的基本特征,揭示了过程本质,反映了实验现象的内在机理. 关键词： 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 动力学模型     

一种基于GIS的选址问题及算法

本文考虑了选址区域内存在地理阻断情况下的一种基于GIS的选址问题.对单配送中心选址模型,以GIS返回的任意两点间的最短可行路径的长度作为修正距离函数,分析了目标函数在凸形选址区域上非凸非连续的性质.进一步,采用给出了一种近似搜索算法并通过一个实例计算与重心法进行了比较.     

基于机群网络入侵阻断研究

首先叙述了NNA侵阻断技术背景，然后分析了网络入侵阻断技术发展状况及所存在的问题．在此基础上，本文提出了一个基于机群网络入侵阻断系统(简称CBIPS)，CBIPS由多台计算机组成，并行阻断网络攻击．实验结果表明，CBIPS可以提高网络入侵阻断性能．     

光折变法制备的As2S8条形波导的光阻断效应

实验研究了As2S8薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上,考察了As2S8条波导的光阻断效应,实现了光-光效应的开关功能.     

掺杂AS2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应

实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反.结合实验结果给出了分析讨论.     

掺锡As2S8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究

实验研究了Sn₁As₂₀S₇₉非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn₁As₂₀S₇₉条形波导,632.8 nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性. 关键词： 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 光折变效应