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掺锡As2S8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究
引用本文:孙蓓,陈抱雪,隋国荣,王关德,邹林儿,浜中广见,矶守.掺锡As2S8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究[J].物理学报,2009,58(5):3238-3242.
作者姓名:孙蓓  陈抱雪  隋国荣  王关德  邹林儿  浜中广见  矶守
作者单位:(1)南昌大学物理系,南昌 330031; (2)日本东京农工大学工学院应用化学系,日本 184-8588; (3)日本法政大学工学院物质化学系,日本 184-8584; (4)上海理工大学光电学院,上海 200093
基金项目:国家自然科学基金(批准号:60677032),教育部博士学科点专项基金(批准号:20060252005),上海市重点学科建设项目(批准号:T0501)和江西省自然科学基金(批准号:2007JZW2048)资助的课题.
摘    要:实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导,632.8 nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性. 关键词: 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 光折变效应

关 键 词:光波导技术  硫属化合物玻璃  光阻断效应  光折变效应
收稿时间:2008-09-30

Photoinduced refractive index change effect of amorphous Sn-doped As2S8 film and its application in stripe waveguide fabrication
Sun Bei,Chen Bao-Xue,Sui Guo-Rong,Wang Guan-De,Zou Lin-Er,Hiromi Hamanaka and Mamoru Iso.Photoinduced refractive index change effect of amorphous Sn-doped As2S8 film and its application in stripe waveguide fabrication[J].Acta Physica Sinica,2009,58(5):3238-3242.
Authors:Sun Bei  Chen Bao-Xue  Sui Guo-Rong  Wang Guan-De  Zou Lin-Er  Hiromi Hamanaka and Mamoru Iso
Abstract:Photoinduced changes in refractive index and film thickness of amorphous Sn1As20S79 semiconductor film are studied experimentally. The emperical rules in as-evaporated,annealed and well-illuminated states are obtained respectively. An ultraviolet irradiation technique is presented and employed successfully to fabricate a Sn1As20S79 stripe waveguide, which shaws good characteristics of a waveguide under the 632.8nm guided mode excitation.
Keywords:optical waveguide technique  chalcogenide glass  optical stopping effect  photoinduced refractive index change effect
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