向列相液晶中空间光孤子的观测

分别以He-Ne激光器、半导体激光器和Ar⁺激光器作为光源照射液晶材料，在低光强入射的情况下均观察到了光束的自聚焦现象以及空间光孤子的形成，观察到了长度l>5mm的孤子波和多模空间光孤子，并对空间孤子的产生条件及特性进行了讨论. 关键词： 自聚焦 空间光孤子 向列相液晶     

(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响

采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词： 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层     

有机自由基棒状希夫碱型磁性液晶

以丙基和戊基取代的反式双环己基、反式环己基苯基及联苯甲酸酯中介核与2,2,6,6-四甲基哌啶氧自由基(TEMPO)相连，制备了四个棒状希夫碱磁性液晶分子。其中两个化合物在偏光显微镜下呈现出向列相丝状和纹影织构。DSC测定显示其向列相温度范围4~6℃。EPR测定显示几个化合物具有顺磁性。     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

胆甾液晶／聚合物多组分体系的结构与性能研究（Ⅲ）──ChN／poly（MMA－CO－BMA）混合体系的形态结构

应用Ｘ射线衍射、偏光显微镜及电子显微镜研究了胆甾液晶与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）─甲基丙烯酸丁酯（ＢＭＡ）无规共聚物共混体系的形态结构。研究了体系的结晶态及液晶态的行为和共聚物含量及组成对光学织构的影响。     

某些含二维液晶基元的热致液晶高分子的向列态纹影响构

发现某些含二维液晶基元的热致液晶高分子容易产生反向壁织构与含有高强度有错点（│Ｓ│大于１）的向列态纹影织构。这类液晶高分子的织构与形态学特点与含一维棒状液晶基元的其他液晶高分子不同。     

条带织构装饰技术观察含T─型液晶基元的热致性聚芳酯液晶态的向错

采用条带织构装饰新技术研究了含Ｔ─型液晶基元的热致性聚芳酯液晶态的向错形态．经过培养的液晶样品无需剪切，淬火后便可呈现出围绕向错点取向排列的条带织构，而条带织构长轴的垂直方向正代表了液晶基元的指向矢方向，这样，在普通偏光显微镜下就能直接观察到这些条带织构装饰的强度Ｓ＝±１／２和Ｓ＝±１的向错，并观察到Ｓ＝－３／２的高强度向错和闭环状的反转壁．     

用熔融织构生长法(MTG)制备YBCO超导体的临界电流密度以及微观结构

用熔融织构生长法(Melt-Textured-Growth)制备出具有高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_y超导材料·片状的YBCO粉末烧结体被快速加热到包晶转变温度以上,慢速冷却通过包晶转变点,制成一种高密度层状结构的类单晶超导体。这种超导体具有很强的定向结晶组织和很强的晶粒间的连接。采用持续的直流电四引线法在77K温度下,测量了样品的临界电流密度J_c与外磁场H的关系。在2T场强下,J_c达到了23800A/cm~2。扫描电镜和高压电镜的观察表明,样品中除了有弥散的Y_2BaCuO_y和CuO非超导相颗粒外,还存在着大量的孪晶、位错、位错环以及堆垛层错等品格缺陷。这些缺陷对提高磁场下的J_c起着重要的作用,其中有些缺陷本身就是磁通钉扎中心。     

熔融织构生长强磁浮YBCO超导块材的取向和结构

采用熔融织构生长法结合顶部Ｓｍ１２３籽晶技术，成功地制备了直径为２０ｍｍ的ＹＢＣＯ超导块材。该块材具有极强的磁性能。用Ｘ射线θ／２θ扫描和Φ扫描分析其结构表明，样品在三维方向上具有很强的择优取向，其ｃ、ａ、ｂ轴方向分别与Ｓｍ１２３籽晶的ｃ、ａ、ｂ轴方向一致，并具有类似单晶的结构特点。