微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响

基于Safonov和Yamazaki所发展的激励自旋波非线性辐射衰减的理论［J. MMM. 161 (1996 ) 275］, 考虑磁激子与磁激子以及磁激子与光子的两种非线性相互作用过程，计算了微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响，结果与实验数据基本一致. 关键词： 磁激子 谐振器 铁磁体     

Exciton—Phonon Scattering in CdSe／ZnSe Quantum Dots

A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

Optical spectra and Exciton State in Vertically Stacked Self—Assembled Quantum Discs

We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases.     

半导体中的双激子压缩态及其复合辐射

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。 关键词：     

聚合物电致发光材料研究进展

本文较详细地综述了聚合物电致发光材料的研究进展，重点介绍了聚对苯撑乙烯（ＰＰＶ），并提出了有关聚合物电致发光材料及器件构造研究的一些观点。     

圆二色谱中的激子手性法在有机化学中的应用

激子手性法是圆二色谱领域内,近一、二十年内发展的一种测定有机化合物绝对构型的可靠方法。本文对其基本原理及规律作一简要介绍。并以邻二醇、共轭烯酮,共轭二烯及丙烯醇为例,介绍本法在测定绝对构型中的应用。此外,本法也可用于糖类的结构研究。     

液相合成方形PbS纳米晶的光学特性

采用一种简单、温和的液相合成方法制备了PbS纳米晶，利用透射电镜和高分辨透射电镜对PbS纳米晶的形貌与晶型结构进行了表征．研究了PbS纳米晶的光学吸收和光致发光特性，并比较分析了包覆剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和回流时间对产物光学特性的影响．结果表明：PVP分子链中的O原子与纳米晶表面吸附的游离态Pb原子形成Pb-O配位键，使产物的激子吸收大为减弱，同时引起了表面浅束缚态能量的升高，最终导致了荧光淬灭现象．     

电极材料对NPB/Alq3有机电致发光器件性能的影响

采用不同材料作为有机电致发光器件(OELDs)的电极, 制备了基本结构为[阳极/NPB(40 nm)]/Alq3(50 nm)/阴极]的异质结双层器件, 并通过改变OELDs器件的阴极或阳极来研究电极材料对器件光电性能的影响. 研究结果表明, 各器件电流-电压(I-V)关系的基本特征与陷阱电荷限制电流(TCLC)机制的拟合情况相符. 由于有机材料本身能级的无序性以及载流子迁移率对温度和电场的依赖性, 不同电极的载流子注入能力与其功函数并无直接关系. 双层器件中由于空穴传输层的引入, 使得载流子复合区域位于有机层异质结界面处, 降低了金属阴极对激子的猝灭作用, 从而大大提高了器件性能. 此外, 金属电极OLEDs器件结构具有的微腔效应会导致发射光谱的位移和谱峰宽度变窄, 这表明通过对金属电极的表面改性和优化可使器件性能超过常规结构的器件.