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1.
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析   总被引:5,自引:2,他引:3  
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.  相似文献   
2.
M~++BrCN─→MCN~++Br气相反应的从头算研究朱荣顺,戴树珊(云南大学化学系,昆明,650091)关键词气相反应,过渡金属阳离子,溴化氰,从头算,相对论赝势对过渡金属离子与一些小分子的气相反应已有大量的实验和理论研究[1~5],MichelS...  相似文献   
3.
刘虹  张福义 《分析化学》1998,26(3):254-258
在一个石英反应室内,让激光解离的Ni^+与连续喷入的酯类化合物分子束流反应,生成的产物离子经飞行时间质谱仪检测,研究了Ni^+与乙酸乙酯、乙酸丙烯酯、乙酸乙烯酯、乙酸丁酯的气相反应。根据如下机理满意的解释了发生的反应:(1)Ni^+与酯形成激发态络合物;(2)β-H迁移至烃氧基的氧上形成Ni^+的双配体化合物离子;(3)失去一中性配体分子得Ni^+的单配体化合物离子。由酯的ΔH离和D(Ni^+-A  相似文献   
4.
利用阿伦尼乌斯公式求活化能时,对于气相反应,当反应速率常数分别采用kp或kc时,所求得的活化能值可能不同,本文对此进行了讨论。  相似文献   
5.
计算了气相反应C60+O3=C6O(C2v)+O2的热力学函数.得到了该反应Gibbs自由能的具体数值,结果表明在所研究的温度范围内Gibbs自由能为负值,从热力学角度来说,该反应可以自发进行,在计算该气相反应热力学函数的基础上,给出了气相C6O(C2v)的标准热力学函数  相似文献   
6.
Wei  Xiang  CHEN  Xiao  Chun  MA 《中国化学快报》2003,14(3):312-315
Non-carbon inorganic fullerene-like(IF) nanoscale materials have recently attracted intense interest due to their nested hollow and nanotube structures,In this letter,IF-WS2 nanoparticles prepared by solid-gas reaction were characterized by X-ray diffraction,Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy.The results show that the IF-WS2 nanoparticles have a nested hollow closed spherical structure with diameter of 100-150mm.  相似文献   
7.
基于化学气相反应法,以高纯Si和SiO2为反应源材料,在碳纤维表面原位生长β-SiC纳米纤维。采用XRD、SEM和TEM 等分析测试手段对SiC纳米纤维进行了表征分析,研究了不同反应温度和时间对生成β-SiC纳米纤维微观形貌和结构的影响,并探讨了β-SiC纳米纤维的生长机制。研究结果表明:采取化学气相反应法能够制备高质量、高纯度的β-SiC纳米纤维,纳米纤维的直径约为100~300 nm。随着反应温度的提高和时间的延长,纳米纤维的产额增加,且微观组织形貌发生了变化。结合制备过程和纳米纤维微观结构的观察分析,表明气-固(VS)机制是SiC纳米纤维生长的主要机理。  相似文献   
8.
本文使用"CO相对燃烧速率"的概念和通用的"有效影响参数转化方程",将带有气相反应速率无穷快假设的移动火焰锋面(MFF)模型成功地扩展应用到有限气相反应速率条件的计算中。对于多组不同有限气相反应速率、以及不同粒径的碳粒燃烧计算,MFF模型扩展应用的预报结果都与严格连续膜模型符合较好,碳粒着火温度的预报也更为准确。  相似文献   
9.
20世纪中期兴起的星际化学推进了人类对宇宙产生与演化、生命起源和地球环境的认识。天文学与天体物理学、光谱学、基础化学等多学科的互相结合,为星际化学尤其是对星际空间中新型化合物和化学反应的认知突破起到了重要作用。创造性地提出将星际化学的探索和发现引入大学基础化学教学的方案。在分析星际化学所涉及的典型化学知识和应用实例的基础上,初步探讨了本方案的可行性。将化学与星际化学知识相结合的教学方式在拓宽学生的眼界的同时,可以有效增加课堂的趣味性。  相似文献   
10.
茅艳琳  左然 《人工晶体学报》2020,49(7):1168-1175
针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高.在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善.当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善.  相似文献   
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