纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

单糖的高效毛细管电泳间接紫外检测法研究

本文研究了单糖的毛细管电泳间接紫外检测法。实验发现选用β－哚吲乙酸－磷酸钠体系作为背景电解质比较理论想，用于９种未经衍生的单糖进行毛细管电泳分离和间接紫外检测可取得满意结果，对半乳糖，甘露糖和葡萄糖酸的检出极限为２－１０ｐｍｏｌ水平。本文还讨论了背景电解质浓度与样品响应值的关系以及各种操作条件的影响。     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

以高度磺化的β－环糊精为手性选择剂的利伐斯狄明对映体毛细管电泳分离

利用高度磺化的β－环糊精为毛细管电泳手性选择剂，成功地分离了碱性药物利伐斯狄明，并且测定了其非消旋体样品的光学纯度。一般情况下碱性药物的分离是在酸性条件下进行的（pH＝2.5），目的是为了减小分析物在毛细管内壁的吸附。然而，对于利伐斯狄明，在pH 2.5时检测灵敏度较低，且不足以检测样品中低于1％的光学杂质；但实验发现提高缓冲液的pH值可以提高其检测灵敏度；而且，由于分析物在毛细管壁吸附造成的柱效降低可以通过线性聚丙烯酰胺动态涂层来抑制。本实验考察了环糊精的浓度，缓冲液的pH值和离子强度对分离度的影响，同时通过测定重现性，线性范围，最低检测限和最低检测量对方法进行了验证。最后在最佳条件下测定了非对映异构体样品的光学纯度。     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

光敏电阻基本特性测量实验的设计

介绍了测量CdS光敏电阻的伏安特性和光照特性的实验方法，并给出了相应的实验结果。     

聚4—氨基联苯溶液的性质

本文报导了聚4-氨基联苯的电化学合成,测定了它的ESR、IR及紫外可见光谱。聚合物在THF、DMF和DMSO中能全部溶解。界面移动法测得聚4-氨基联苯的DMF饱和溶液中正离子的迁移率为1.48×10~(-8)m~2·S~(-1)·V~(-1)。     

MES动态修饰PDMS芯片毛细管电泳电化学检测多巴胺和肾上腺素

在2-(N-吗啉)乙磺酸(MES)动态修饰的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微通道中,采用在柱安培检测方式,分离并测定了神经递质多巴胺和肾上腺素.实验中对分离电压、检测电位以及添加剂浓度等参数进行了探讨和优化.结果表明,修饰后的通道减少了对被测物的吸附,有效提高了分离度,多巴胺和肾上腺素的检测限分别为2.0 μmol/L和3.7 μmol/L.     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心