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1.
煤直接液化油中混合酚的分离研究 《燃料化学学报》2019,47(11):1298-1304
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。 相似文献
2.
Mariam Hakami Dr. Geetanjali Deokar Jasmin Smajic Dr. Nitin M. Batra Prof. Pedro M. F. J. Costa 《化学:亚洲杂志》2021,16(11):1466-1474
In the last decade, catalytic chemical vapor deposition (CVD) has been intensively explored for the growth of single-layer graphene (SLG). Despite the scattering of guidelines and procedures, variables such as the surface texture/chemistry of catalyst metal foils, carbon feedstock, and growth process parameters have been well-scrutinized. Still, questions remain on how best to standardize the growth procedure. The possible correlation of procedures between different CVD setups is an example. Here, two thermal CVD reactors were explored to grow graphene on Cu foil. The design of these setups was entirely distinct, one being a “showerhead” cold-wall type, whereas the other represented the popular “tubular” hot-wall type. Upon standardizing the Cu foil surface, it was possible to develop a procedure for cm2-scale SLG growth that differed only by the carrier gas flow rate used in the two reactors. 相似文献
3.
《Annales de l'Institut Henri Poincaré (C) Analyse Non Linéaire》2020,37(2):417-456
We study the energy-critical nonlinear wave equation in the presence of an inverse-square potential in dimensions three and four. In the defocussing case, we prove that arbitrary initial data in the energy space lead to global solutions that scatter. In the focusing case, we prove scattering below the ground state threshold. 相似文献
4.
Two novel 2′-hydroxychalcone derivatives (i.e., M1 and M2) are explored in this work. We mainly focus on investigating the effects of photoexcitation on hydrogen bonds and on the excited-state intramolecular proton transfer (ESIPT) process. On the basis of calculations of electrostatic potential surface and intramolecular interactions, we verify the formation of hydrogen bond O1 H2···O3 in both S0 and S1 states. Exploring the ultraviolet–visible spectra in the liquid phase, our simulated results reappear in the experimental phenomenon. Analyzing molecular geometry and infrared stretching vibrational spectra, we confirm O1 H2···O3 is strengthened for both M1 and M2 in the S1 state. We further confirm that charge redistribution facilitates ESIPT tendency. Constructing potential energy curves, we find the ultrafast ESIPT behavior for M1, which is because of the deficiency of side hydroxyl moiety comparing with M2. This work makes a reasonable affiliation of the ESIPT mechanism for M1 and M2. We wish this paper could facilitate understanding these two novel systems and promote their applications. 相似文献
5.
6.
采用Cundari和Stevens等推导的有效芯势对镧系金属一氢化物进行了理论计算,以探讨镧系金属元素与氢的相互作用。结果表明所有镧系金属一氢化物基态时理论上是稳定的,最稳定的是SmH,最不稳定的是DyH;键长计算结果显示,基态时镧系金属一招兵买马花物有独立王国 收缩现象发生;红外振动频率理论计算值与实验结果一致;成键轨道中,金属原子轨道的贡献主要是s轨道和d轨道:从CeH至ErH(GdH)例外)随着外层电子的增加s轨道成分逐渐增大d轨道成分逐渐减小;从TmH和LuH(包括GdH),成键轨道中金属原子轨道的贡献主要是d轨道,约为90%;约大多数镧系金属一氧化物的成键轨道中金属原子轨道f成分小于1%。 相似文献
7.
使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合. 相似文献
8.
The structural properties of polycrystalline silicon films, prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition system, with different flow rates of SiH4/SiF4 mixtures at 300 °C were investigated. This study indicates that the low hydrogen coverage on the growing surface, under optimum fluorine radicals, will be leaded to an improvement of crystallized area as compared with case of high hydrogen coverage surface. Moreover, the studies of the role of SiH4 and SiF4 radicals show that the SiH4 radicals are important in the nucleation and growth of grains. However, SiF4 radicals are effective in the structural change of grain boundaries regions and by this way, in the present system, establish the growth of grains under the dominant 〈1 1 0〉 direction. The stress investigation indicates that addition of high flow rate of SiF4 in amorphous film, results in the nearly stress free films. Finally, we found that the changes in g-value reflect the changes in the intrinsic compressive and tensile stress in the both polycrystalline and amorphous silicon films. 相似文献
9.
相对论性无自旋粒子在Hartmann势场中运动的精确解 总被引:1,自引:1,他引:0
在标量势等于矢量势的条件下,本文获得了具有Hartmann型势的Klein-Gordon方程的精确解.给出了束缚态的精确的能谱方程和归一化的径向波函数,对于散射态,获得了按“k/2π标度”归一化的径向波函数和相移的解析计算公式.讨论了散射振幅的解析性质和波函数、能谱方程以及相移的非相对论近似. 相似文献
10.
从点电荷的电势计算公式出发推导出了瓣形均匀带电面在其直径处的电势分布.进一步讨论了均匀带电半球面在其底面以及均匀带电球面内部和外部的电势分布. 相似文献