全文获取类型
收费全文 | 1144篇 |
免费 | 729篇 |
国内免费 | 396篇 |
专业分类
化学 | 480篇 |
晶体学 | 508篇 |
力学 | 339篇 |
综合类 | 22篇 |
数学 | 21篇 |
物理学 | 899篇 |
出版年
2024年 | 17篇 |
2023年 | 31篇 |
2022年 | 36篇 |
2021年 | 57篇 |
2020年 | 35篇 |
2019年 | 57篇 |
2018年 | 52篇 |
2017年 | 73篇 |
2016年 | 77篇 |
2015年 | 92篇 |
2014年 | 141篇 |
2013年 | 116篇 |
2012年 | 120篇 |
2011年 | 98篇 |
2010年 | 102篇 |
2009年 | 123篇 |
2008年 | 107篇 |
2007年 | 99篇 |
2006年 | 124篇 |
2005年 | 76篇 |
2004年 | 62篇 |
2003年 | 81篇 |
2002年 | 53篇 |
2001年 | 53篇 |
2000年 | 62篇 |
1999年 | 41篇 |
1998年 | 31篇 |
1997年 | 57篇 |
1996年 | 43篇 |
1995年 | 37篇 |
1994年 | 23篇 |
1993年 | 14篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 23篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
排序方式: 共有2269条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。 相似文献
2.
以陶瓷基功能材料载体为研究对象,按照其生产工艺配方,研究了纤维种类(莫来石、氧化铝、氧化锆)及其添加量对陶瓷基功能材料载体性能的影响.在相同实验条件且不影响其功能化参数前提下,将其与未添加纤维的空白试样力学性能进行对比.结果表明,试样经1200℃烧成后,相比莫来石与氧化铝纤维增强的陶瓷基功能材料载体,氧化锆纤维的增强效果最好.当氧化锆纤维的添加量为0.8 wt;时,试样的吸水率和气孔率均较低,分别为2.0;、4.0;,相比空白对比试样抗折强度增强了42.4;. 相似文献
3.
采用传统固相反应法制备了Ca0.9(NaCe)0.05Bi2 Nb2 O9铋层状无铅压电陶瓷.采用XRD、SEM、EDS及相关电学性能测试系统表征了样品的晶体结构、断面形貌、元素组成以及介电、压电、铁电等性能,探究不同烧结温度对于陶瓷性能的影响.结果表明:当烧结温度为1150℃时,样品的晶体结构单一均匀,呈现片层状结构,致密性较好,压电常数高达17 pC/N,介电损耗仅为0.42;,居里温度为908℃,并且具有很好的温度稳定性,说明固相反应法制备的Ca0.9(NaCe)0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷最佳烧结温度为1150℃. 相似文献
4.
Comparative study on transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires: Calculated based on first principles 下载免费PDF全文
According to the one-dimensional quantum state distribution, carrier scattering, and fixed range hopping model, the structural stability and electron transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires(N-SiCNWs, P-SiCNWs, and As-SiCNWs) are simulated by using the first principles calculations. The results show that the lattice structure of NSiCNWs is the most stable in the lattice structures of the above three kinds of doped SiCNWs. At room temperature,for unpassivated SiCNWs, the doping effect of P and As are better than that of N. After passivation, the conductivities of all doped SiCNWs increase by approximately two orders of magnitude. The N-SiCNW has the lowest conductivity. In addition, the N-, P-, As-doped SiCNWs before and after passivation have the same conductivity–temperature characteristics,that is, above room temperature, the conductivity values of the doped SiCNWs all increase with temperature increasing.These results contribute to the electronic application of nanodevices. 相似文献
6.
玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光 总被引:4,自引:0,他引:4
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系. 相似文献
7.
8.
9.
10.