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利用激光溅射的方法,在射频离子阱中产生并囚禁了Cn^+(n=3,4,5)进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点,在其中开展了C^+n同O2的化学反应研究,得到了反应物的速率常数和反应产物分支比,根据热化学计算,分析了反应进行的主要通道。 相似文献
4.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
5.
以金属钇和异丙醇为原料,以HgCl2/I2为复合催化剂,通过对金属钇的机械加工以增加其比表面,并将异丙醇脱水使其含水量降低至0.05%,体系在82℃回流5h,经过滤、减压蒸馏,得到了白色海绵状异丙醇钇,其产率高达83%,合成时间比文献报道的缩短了19h,产率提高了8%。文章确定了催化剂的最佳用量为20gY加入60mg HgCl2/I2,研究了合成产率与HgCl2/I2催化剂和HgCl2催化剂的依赖关系及异丙醇中含水量对合成产率的影响,并对HgCl2/I2的催化作用机理进行了初步探讨。 相似文献
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美国LLNL1995年合成出的代号为LLM-105的高能量密度材料,其化学名称为1-氧-2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪(2,6-diamino--3,5-dinitropyrazine-1-oxide),分子结构式C4H4N605,分子量216.04,密度为1.913g/cm^3,氧平衡为-37.03%,生成热为-3.1kcal/mole,外观为亮黄色的针状晶体,比TATB的能量约高25%,且有着良好的热安定性,特性落高Dh50=117cm(RDX和HMX的特性落高30-32cm),对静电火花的刺激也很钝感。由于综合性能优异,LLM-105已经引起了国际炸药界的极大兴趣。 相似文献
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本文报道了在硫酸性介质中 ,以吐温 - 80为增溶剂 ,溴酸钾氧化姜黄催化光度法测定痕量钒 ( )的新体系。方法的检出限为 2 .6× 10 -3mg· L-1;相对标准偏差为 2 .7% (n=9) ,线性范围为 0 .0 12— 0 .0 4 0mg· L-1。可用于测定水样中痕量钒 ( ) ,结果满意 相似文献