单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究

利用Si（001）向［110］方向偏4°角的斜切表面作为衬底，成功地制备了分布均匀的单畴的单原子In链阵列.扫描隧道显微镜分析表明，沉积的In原子优先吸附在台面上沿着台阶内边缘的位置，并在两个Si的二聚体链之间形成稳定的In二聚体.In二聚体组成直的单原子链，其生长机理与Car提出的“表面聚合反应”相一致.另外，衬底具有非常窄的台面和双原子层台阶边的特殊结构是形成单畴的单原子链的关键. 关键词： 铟单原子链 硅邻近面 扫描隧道显微镜     

硅表面纳米银团簇的氧助迁移行为

 采用原位扫描隧道显微镜研究了Si（111）－7×7表面蒸镀纳米银团簇的迁移行为以及氧气氛的促进作用．在覆盖度较低的情况下，蒸镀的银原子在Si（111）－7×7表面形成具有规整三角形结构单元的有序银团簇，它们主要占据在Si（111）－7×7表面有位错的半单胞内．在氧的存在下，形成的结构单元在硅表面发生迁移，并逐渐团聚成无明显结构特征的大粒子．原位观察结果表明，在连续扫描过程中，团聚后的大粒子在氧覆盖的硅表面也会发生迁移，最后稳定在硅表面原子氧吸附位周围．进一步的观察发现，硅表面银团簇的存在对随后氧的吸附状态具有明显的影响．这些结果为解释纳米银团簇在SiO2表面具有独特的催化性能提供了依据．     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性

用等离子体氧化形成绝缘层的方法,重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结。样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６．０％,翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ,平台宽度约２４００Ａ／ｍ。结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧。     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的研究

用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（TMR)效应的Ni₈₀Fe₂₀/Al₂O₃/Co磁性隧道结.光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Al₂O₃绝缘层.样品的TMR比值在室温下最高可达6.0％,反转场可低于800A/m,相应的平台宽度约为2400A/m.结电阻R_j的变化范围从百欧到几百千欧,并且TMR比值随零磁场结偏压增大单调减小. 关键词：     

有序Ni纳米线阵列的制备及共磁滞回线

由铝在１５Ａ％硫酸介质中进行电化学氧化而得到的多孔Ａ１２Ｏ３是制备有序纳米线阵列的一种好的样模材料。在该样模中电沉积的有序Ｎi纳米线阵列排布规则、有序。磁滞回线 测量表明长径比为４００的Ｎi纳米线阵列在垂直于Ａ１２Ｏ３表面方向（即平行于Ｎi 纳米线方向）的矫顽力为８３１Ｏe,矩形度达０．９１,具有显著的磁单轴各向异性和磁单 轴各向异性和磁单畴特性。     

自旋极化扫描隧道显微术

自旋极化扫描隧道显微术是一种新兴的表面自旋分辨技术，文章主要介绍了自旋极化的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱实现表面自旋分辨的原理以及在各种磁性表面研究中的应用，采用自旋极化技术的扫描隧道显微镜可以测量表面磁结构，其空间分辨可以达到原子尺度，分辨率超过其他磁显微技术，而自旋极化扫描隧道谱不但可以分辨空间精细磁畴结构，而且能研究表面态的交换劈裂，文章作者还进一步提出了利用自旋极化扫描隧道显微镜实现自旋注入的设想。