铜(Ⅱ)四配位卤素络离子的电子结构与吸收光谱

本文给出了在络离子CuX₄^--(X=Cl,Br)中的配位体与中心离子的晶场能级。在考虑晶场效应之后,利用改进了的Wolfsberg-Helmholz分子轨道法,计算了该络离子的基态与一些激发态的能量。计算结果与所观察到的配位场跃迁带及电子迁移带的一些特性基本相符。     

深深怀念虞福春先生

我在北大物研室(546信箱)跟先生学习时，曾希望向先生学习核磁共振，先生因在核磁共振研究中发现了化学位移效应而享誉世界。先生在给我讲授知识的同时，告诫我要按国家需要来挑选所学专业，以自身的经验教育我参加实验室建设是研究生学习的最好的途径之一。     

利用BaF2晶体快速闪烁发光性质改进正电子湮没寿命谱仪

测量BaF2晶体闪烁发光长短两种寿命成分的光电子产额,利用它的短成分发光极快的特点研制核辐射探测中的定时探测器,采用于正电子湮没寿命谱仪中使谱仪的时间分辨率由FWHM=270ps(ps:微微秒)改进到190ps(计数效率不改变)或者使计数效率提高10倍(时间分辨率相同)。     

Relations between compositional modulation and atomic ordering degree in thin films of ternary III—V semiconductor alloys

This paper derives the expressions for the ordering degree and the modulation factor of A and B atoms in A_xB_1-xC epilayers of ternary III--V semiconductor alloys. Using these expressions, it identifies quantitatively the alternating atom-enhanced planes, compositional modulations, atomic ordering degree on the group-III sublattices and the fine structure of NMR spectra.     

铜(Ⅱ)四配位卤素络离子的晶场光谱与立体构形

给出了CuX₄^-(X=Cl,Br)的晶场能级,导出了这些络离子的立体构形与它们的晶场吸收带位置之间的关系式。计算结果与实验值很好相符。     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应

测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。     

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．     

GaAs衬底上生长的GaInP2外延单昌薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜。很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染。     

MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系

测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.