Synthesis of hexagonal monocrystal AlN microtubes and nanowires at low temperature

This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlClh-AlN, microtubes, nanowires,h-AlN, microtubes, nanowiresProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 10474078) and the Science Foundation of the Education Office of Shanxi Province, China.2006-11-23This paper reports that pure hexagonal aluminium nitride microtubes and nanowires growing along the [0001] direction have been successfully synthesized by directly reacting AlCl3 with NaN3 at low temperature （450℃） under condition of non-solvent system. The grey-white powder of reacting product was characterized by high-resolution transmission electron microscope （HRTEM）, which shows that the powder is long straight-wire morphology with outer diameter from 40nm to 300 nm and length up to several micrometres. The results of both electron diffraction （ED） and x-ray diffraction （XRD） indicate that the AlN microtubes have a pure hexagonal monocrystal tubular structure with the combination of the curled AlN nanobelts. Room-temperature photoluminescence spectrum of the synthesized sample showed an emission peak, which is closely related to the small size of the microtubes.     

空位对纤锌矿型AlN自发极化影响的最大局域化Wannier函数方法研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿型AlN中引入不同电荷态的N空位和Al空位时结构中最大局域化Wannier函数,并根据Wannier函数的空间分布及空间分布的几何中心位置,对空位引起的晶体电子结构变化及[0001],[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的自发极化进行了研究.结果表明,利用最大局域化Wannier函数分析电子结构具有直观的特点,清晰地表明N—Al键具有较强的离子性.研究发现,N空位结构中悬挂键上电荷向空位处转移,而Al空位结构中悬挂键上电荷则远离空位,沿悬挂键方向移动到N原子一侧.同时发现,空位的引入破坏了[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的中心对称结构,产生了极化,且极化强度随着空位电荷态的增加而增大.在[0001]晶向上,随着N空位电荷态的增加,空位周围电子结构发生了剧烈变化,使得自发极化发生了逆转,极化强度随着电荷态的增加而增大;而在Al空位中,随着电荷态的增加,自发极化沿原方向显著增加,但没有发生极化反转.     

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射

用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_1-xN薄膜样品进行了研究，观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP⁺)，讨论了In_xGa_1-xN的A₁(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时，对Raman谱中E₂和A₁(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 关键词： Raman散射 X射线衍射 相分离 应力 LO声子-等离子耦合     

激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

氮化铝薄膜的光学性能

分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力，该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV；而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下（10 k～293 k）的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响，这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.     

缺陷态透射率可调的三缺陷层的一维光子晶体

利用传输矩阵方法，从理论上研究了三缺陷层一维光子晶体的光学性质.在缺陷层间距足够大以致于出现缺陷态简并的情况下，调节第一或第三个缺陷层的光学厚度，光子晶体缺陷态的透射率会发生最大程度的变化.这种结构可同时具有窄带滤波器和光开关的功能，据此提出了一种低阈值光开关的设计.把折射率可调的向列型液晶作为晶体的第三个缺陷层，并用4×4传输矩阵方法计算了其缺陷态透射率与电场电压的关系.     

态|ψ(3)>q中任意偶数次N次方振幅压缩效应的研究

由于薛定谔猫态光场,尤其是多模薛定谔猫态光场的非经典特性,如各种广义非线性高阶、高次压缩效应,人们构造了多种单模、双模及多模薛定谔猫态光场并研究了其非经典特性,得出了许多全新的物理现象.     

Au-Au2S复合纳米球壳微粒的空腔谐振及参量讨论

Au-Au2S复合纳米球壳微粒（金纳米球壳），是一种新型复合结构的纳米微粒，其结构为纳米级的Au2S介质球外包裹了一层几个纳米厚的黄金球壳。这种复合纳米球壳微粒可以被抽象为球型谐振腔。报道了它的空腔谐振吸收的实验结果，并且运用经典理论结合介观结构特征，讨论了有关Au-Au2S复合纳米球壳微粒空腔谐振吸收的一些重要参量，其中包括谐振吸收波长、品质因数、谐振能量等。另外，还讨论了金球壳的厚度对这些重要参量的影响。     

GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究

用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的ＧａＮ中自由，束缚激子（ＢＸ）的跃迁，讨论了这些跃迁的光致发光谱，复合寿命及其与温度的关系，给出了中性施主束缚激子和自由激子（ＦＸ）的辐射复合寿命分别为０．１２ｎｓ和０．４ｎｓ。     

MOCVD生长InxGa1-xN合金微观结构和光学特性

利用发光光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微(AFM)等实验方法对MOCVD生长的InxGa1-xN合金进行了研究。原子力显微图样表明样品表面出现纳米尺度为微岛状结构。样品PL和PLE谱表明,其主要吸收峰位于波长为365,474nm,发光峰的位置位于波长为545,493nm处,其中545nm发光峰半高宽较493nm发光峰宽,这两个峰分别起源于In(Ga)N浸润层和InGaN层发光,浸润层局域化激子和岛状微观结构弛豫特性是产生发光峰Stokes移动的重要原因。