磁场对Ge表面场效应的影响

本文研究了横向磁场对Ge表面交流场效应的影响,提出了与其他作者不同的解释。根据我们的实验结果,可以认为磁场对场效应的影响主要是由于磁浓缩效应引起了样品电导的附加变化,而不是由于霍耳电压改变了表面势垒。并且指出利用这个实验来决定表面复合速度与表面势垒关系的可能性。