光干涉现象的演示

采用传统方法演示孔(双孔、三孔)和缝(双缝、三缝)的干涉图像,与由传感器采集图像信息后由计算机得出干涉光强分布曲线进行比较,两种方法获得的实验图像符合较好.     

培养化学生物学复合型本科生的探索

1　培养化学生物学复合型人才的时代背景　　生命体系是目前化学研究最重要的对象之一。几年前 ,我国就已有学者提出 ,分子以上层次的化学是研究化学、生物学复杂系统的一部分 ,它将会在从生物医学到化学之间的辽阔领域展现出新的活力[1] ,并预测可能会产生一门被称为化学生物学的交叉学科[2 ] 。最近 ,吴厚铭先生通过对当今各国学科现状与文献的分析 ,认为化学生物学这一重要的新兴交叉学科已经形成[3 ] 。该学科适应化学与生物学和医学等学科领域相互交叉、相互渗透的趋势 ,采用生物学家不熟悉的化学手段 ,如运用小分子或人工设计合成的分…     

A New Method to Prepare Boron Nitride Thin Films

We report a new method to prepare boron nitride (BN) thin films on Si (100) substrates in an Ar-N2-BCl3-H2 gas system by magnetron arc enhanced plasma chemical vapour deposition. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and x-ray diffraction (XRD) are used to characterize the films. The FTIR spectra show that the deposited boron nitride films experienced a transition from pure h-BN phase to a cubic-containing phase with the variation of arc current ranging from IOA to 18A. The BN film with 42% c-BN was obtained without substrate bias voltage. In the gas system of Ar-N2-BCl3-H2, h-BN can be preferentially etched by chlorine. The chemical etching effect of chlorine allows the formation of c-BN without substrate bias voltage, which may develop a new perspective for the deposition of high quality c-BN film with low stress.     

BCxN薄膜的紫外透过光谱研究

利用射频磁控溅射方法以不同的溅射功率(80～130 W)制备出具备紫外增透性能的BCN,BC2N和BC3N薄膜.傅里叶红外吸收光谱和X射线光电子能谱测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.溅射功率对薄膜的组分和紫外增透性能有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响紫外增透性能,且碳原子数小的样品紫外增透性能好.以110 W条件下制备的BCN薄膜中碳原子数最小,它的紫外增透性能最好,在200～350 nm波段附近平均透过率比玻璃提高了将近40%.     

抗HIV活性物质三取代(+)-cis-Khellactone衍生物的合成

具有(+)-cis-Khellactone骨架结构的天然产物Suksdorfin具有明显的抗HIV活性.在对Suksdorfin进行系统的结构修饰和优化过程中发现(3′R,4′R)-3′,4′-di-O-(S)-camphanoyl-(+)-cis-khellactone(DCK)的类似物对HIV-1在H9细胞中的复制有非常强的抑制活性.     

磁阻尼多功能演示仪(Ⅱ型)

将磁阻尼演示仪与PASCO力传感器相连,通过计算机采集数据,实现对磁阻尼振动若干物理过程的演示,并且用简化模型分析了阻尼振动的物理过程.     

FC(O)SNCO的电子结构和光电离解离过程

由于拥有―C(O)S―和―NCO基团, FC(O)SNCO的分子和电子结构是非常有趣的. 利用FC(O)SCl和AgNCO制备了FC(O)SNCO,并利用HeI光电子能谱(PES)、光电离质谱(PIMS)以及理论计算研究了其分子和电子结构. 通过将实验、理论计算以及自然键轨道(NBO)分析结合起来, 获得了FC(O)SNCO的最稳定分子构型. 利用外壳层格林函数(OVGF)方法以及与相似化合物的比较, 对其光电子能谱进行了指认. 理论计算表明,对于中性分子最稳定的构型为syn-syn非平面构型, 而电离后的离子最稳定构型为syn-syn平面构型. 实验结果表明, 第一电离能来自于S的孤对电子轨道, 为10.33 eV. 第二至第六电离能分别为12.03、13.23、13.77、14.78、15.99 eV, 并对这些电离能进行了指认. 在光电离质谱中产生了六个质谱峰, 分别为SN⁺、FC(O)⁺、SNCO⁺、FC(O)SN⁺、C(O)SNCO⁺、FC(O)SNCO^+·, 其中FC(O)SNCO^+·的峰是最强峰. 结合HeI光电子能谱和理论计算, 对PIMS进行了分析,并研究了可能的电离和解离过程并对其进行了讨论.