一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统

 非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30 μm～50 μm之间,死区范围小于300 μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400 mm×1 100 mm×3.2 mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35 μm,50 μm和45 μm,死区范围（P1至P3的距离）为287 μm,最终深度分别为0.98 μm,0.24 μm和0.58 μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求。     

无光焦度校正板在主镜后的牛顿光学系统的设计

描述了无光焦度校正板放在主反射镜后的无光焦度校正板-牛顿光学系统的设计.光栏放在主镜上,改变相对孔径A,选择校正板光焦度φ21、φ22和遮拦比α,进行光学系统的光线追迹,求解出光学系统的最佳选择,并给出各种设计曲线和设计结果,对光学系统进行合理的评价.     

一种带有无光焦度校正板的牛顿光学系统的设计

无光焦度校正板自身无色差和像面弯曲,并具有弯曲PW和光焦度φ₁₁及φ₁₂等变数,为光学系统的像差校正提供了很大的方便。以系统通光孔径Φ=300mm,相对孔径A＝1/2,光阑位置l_p2/f=-0.75,主镜为球面反射镜为例,设计了一种带有无光焦度校正板且光阑在主反射镜前的牛顿光学系统。通过对光学系统进行光线计算、像差分析和优化,得到校正板透镜最佳光焦度φ₁₁＝5,优化后的轴上点波前像差W＝0.0001λ。     

SINA法生产己内酰胺工艺中杂质分析

己内酰胺(CPL)工业生产方法有多种,由SINA公司开发的以甲苯为原料生产CPL中杂质种类多,与以苯为原料生产的己内酰胺产品中的杂质有很大的区别,并且杂质含量很低,且多数杂质物化性质与主成分相近,分离与检测都很困难。本文利用气相色谱-质谱联用仪对SINA法生产的己内酰胺进行了杂质的分析。