基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光伏型探测器的制备和图像传感的应用

本文制备了一种基于PdSe₂/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器，该探测器是通过将多层PdSe₂薄膜转移到平面GaAs上制成的. 所制备的PdSe₂/GaAs异质结器件在808 nm光照下表现出明显的光伏特性，这表明近红外光电探测器可以用作自驱动器件. 进一步的器件分析表明，这种杂化异质结在零偏电压和808 nm光照下具有1.16×10⁵的高开关比. 光电探测器的响应度和比探测度分别约为171.34 mA/W和2.36×10¹¹ Jones. 而且，该器件显示出优异的稳定性和可靠的重复性. 在空气中2个月后，近红外光电探测器的光电特性几乎没有下降，这归因于PdSe₂的良好稳定性. 最后，基于PdSe₂/GaAs的异质结器件还可以用作近红外光传感器.     

近红外光电探测器的发展与应用

近红外光电探测器在军事和国民经济中应用广泛,如航空航天、光通信、工业控制、近红外成像等领域。文章首先讲述了近红外光电探测器的发展历史、工作原理和基本应用情况。通过比较各类光电探测器的性能参数,可以看出基于纳米材料的近红外光电探测器具有很高的响应度、探测率和响应速度。然后,文章将着重介绍近红外光电探测器在光纤通信、无人驾驶、模式识别和光电耦合等领域的发展情况及相关原理。最后,文章对近红外光电探测器的发展前景进行了展望。未来近红外光电探测器将全面应用于各大领域,但是高端的材料生长技术、高效的光电转化方法以及大规模光电器件集成工艺等方面的不足依旧是限制纳米光电探测器发展的主要因素。     

PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器

提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器.采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器.光电性能测试结果表明,所设计的器件在200～1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近.在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166mA·W-1,当施加-2V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W-1.此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右.由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的"LASDOP"字母图像,展示了潜在的应用前景.     

High efficiency ETM-free perovskite cell composed of CuSCN and increasing gradient CH3NH3PbI3

To enhance device performance and reduce fabrication cost,a series of electron transporting material(ETM)-free perovskite solar cells(PSCs)is developed by TCAD Atlas.The accuracy of the physical mode of PSCs is verified,due to the simulations of PEDOT:PSS-CH₃NH₃PbI₃-PCBM and CuSCN-CH₃NH₃PbI₃-PCBM p-i-n PSCs showing a good agreement with experimental results.Different hole transporting materials(HTMs)are selected and directly combined with n-CH₃NH₃PbI₃,and the CuSCN-CH₃NH₃PbI₃ is the best in these ETM-free PSCs.To further study the CuSCN-CH₃NH₃PbI₃ PSC,the influences of back electrode material,gradient band gap,thickness,doping concentration,and bulk defect density on the performance are investigated.Energy band and distribution of electric field are utilized to optimize the design.As a result,the efficiency of CuSCN-CH₃NH₃PbI₃ PSC is achieved to be 26.64%.This study provides the guideline for designing and improving the performances of ETM-free PSCs.