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本文制备了一种基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器，该探测器是通过将多层PdSe2薄膜转移到平面GaAs上制成的. 所制备的PdSe2/GaAs异质结器件在808 nm光照下表现出明显的光伏特性，这表明近红外光电探测器可以用作自驱动器件. 进一步的器件分析表明，这种杂化异质结在零偏电压和808 nm光照下具有1.16×105的高开关比. 光电探测器的响应度和比探测度分别约为171.34 mA/W和2.36×1011 Jones. 而且，该器件显示出优异的稳定性和可靠的重复性. 在空气中2个月后，近红外光电探测器的光电特性几乎没有下降，这归因于PdSe2的良好稳定性. 最后，基于PdSe2/GaAs的异质结器件还可以用作近红外光传感器. 相似文献
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