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1篇
专业分类
物理学
1篇
出版年
1992年
1篇
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1
1.
P
2
S
5
/NH
4
OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究
总被引:3,自引:0,他引:3
下载免费PDF全文
钟战天
罗文哲
牟善明
张开颜
李侠
李承芳
《物理学报》
1992,41(4):683-688
采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P
2
S
5
/NH
4
OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P
2
S
5
/NH
4
OH溶液处理后,GaAs表面处Ga
2
O
3
和As
2
O
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